• 한국미생물·생명공학회지
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• 제15권6호
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• pp.441-445
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• 1987

알카리성 amylase를 내는 Bacillus sp. AL-8의 알카리성 amylase 유전자를 amylase를 생성하지 않는 Escherichia coli HB101에 pBR322를 vector로 하여 형질전환하였다. E. coli도 알카리성 amylase를 생성하여 5$0^{\circ}C$에서 최적 활성온도를 가지며 5$0^{\circ}C$까지 열안정성을 갖고, pH10에서 최적 활성 pH를 나타내는 동시에 pH8-10에서 안정하였다. 알카리성 amylase 유전자가 E. coli에 형질전환되어 donor 세포와 같은 효소 성질을 갖고 있으며 pBR322로 삽입된 유전자는 pJW8에서 5.8kb이며 pJW200에서는 3.0kb로 E. coli에서 안정하게 발현되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권1호
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• pp.6-10
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• 2009

본 논문에서는 혼합소스(mixed-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.

• Composites Research
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• 제16권1호
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• pp.1-12
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• 2003

본 연구는 보강재의 부피분율이 49%, 56%, 63%첨가된 패키징용 SiC/Al복합재료를 가압주조법을 통해 개발하였다. SiC/Al복합재료는 0.8%의 무기성형제와 $Al_2$O$_3$섬유가 SiC입자에 비해 부피비 1:10의 비율로 첨가되었으며 새로이 고안된 몰드에서 제조되었다. 제조된 SiC/Al복합재료에 대해 30-300 구간에서 열팽창 계수를 측정하고, FEM수치해석과 비교하여 온도에 따른 특성을 분석하였다. 실험결과 SiC/Al복한재료의 열팽창계수는 혼합법칙, Turner모델의 중간값을 가졌으며 상온에서는 Turner모델에 가깝다가 온도가 높아질수록 혼합법칙에 가까와졌다. 이러한 특성은 모재의 소성변형 및 잔류응력에 의한 것으로 본 연구에서 제안한 모재와 보강재 사이에 작용하는 평균응력 차이로부터 분석이 된다. 해석결파 모재의 소성변형이 시작되는 온도에서 SiC/Al복합재료의 열팽창계수가 급격히 증가하였으며, 가공 잔류응력은 이러한 소성변형의 시작온도를 고온으로 이동시킴으로써 열팽창계수에 영향을 끼침을 밝혔다. 이러한 일련의 연구를 통해 온도에 따른 열팽창 특성은 복수입자모델에 의한 2차인 해석을 통해 성공적으로 분석됨을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.165-165
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• 2010

$1.55\;{\mu}m$ 대역의 레이저 다이오드를 제작하기 위해, InP(001) 기판에 InAlGaAs 물질을 장벽층으로 하는 InAs 양자점 구조를 분자선증착기 (MBE)를 이용하여 성장하고 구조 및 광학적 특성을 Double Crystal X-ray Diffraction (DCXRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Photoluminescence (PL)을 이용하여 평가하였다. 일반적으로 InAlGaAs 물질은 고유한 상분리 현상 (Phase Separation)이 나타나는 특성이 있으며, 이는 양자점 성장에 중요한 요인으로 작용할 수 있다. 이러한 InAlGaAs 물질의 상분리 현상을 기판온도 ($540^{\circ}C$, $555^{\circ}C$, $570^{\circ}C$)를 비롯한 성장변수를 변화시켜 제어하고 InAs 양자점 형성에 어떠한 영향을 미치는지를 분석하였다. 540의 성장온도에서 InP(001) 기판에 격자정합한 InAlGaAs 장벽층이 성장온도를 $570^{\circ}C$로 증가시킬 경우 기판에 대하여 인장 응력 (Tensile Strain)을 받는 구조로 변화되었다. 인장응력을 받는 InAlGaAs 장벽층을 Ga Flux 양을 조절하여 격자정합한 InAlGaAs 층을 형성할 수 있었다. AFM을 통한 표면 형상 분석 결과, 서로 다른 기판온도에서 성장한 InAlGaAs 물질이 InP(001) 기판에 격자정합 조건일지라도 표면의 거칠기 (Surface Roughness)는 매우 다른 양상을 보였고 InAs 양자점 형성에 직접적으로 영향을 주었다. $570^{\circ}C$에서 성장한 InAlGaAs 위에 형성한 InAs 양자점의 가로방향 크기를 세로방향 크기로 나눈 비율이 1.03으로서, 555와 $540^{\circ}C$의 1.375 와 1.636와 비교할 때 모양 대칭성이 현저히 개선된 것을 알 수 있다. 상분리 현상이 줄어 표면 거칠기가 좋은 InAlGaAs 위에 양자점을 형성할 때 원자들의 이동도가 상대적으로 높아 InAs 양자점의 크기가 증가하고, 밀도가 감소하는 현상이 나타났다. 또한 InAlGaAs 장벽층이 InP(001) 기판을 기준으로 응력 (Compressive 또는 Tensile)이 존재하는 경우, InAs 양자점 모양이 격자정합 조건 보다 비대칭적으로 변하는 특성을 보여 주었다. 이로부터, 대칭성이 개선된 InAs 양자점 형성에 InAlGaAs 장벽층의 표면 거칠기와 응력이 중요한 변수로 작용함을 확인 할 수 있었다. PL 측정 결과, 발광파장은 $1.61\;{\mu}m$로 InAs 양자구조 형상에 따라 광강도 (Intensity), 반치폭 (Line-width broadening) 등이 변화 되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권3호
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• pp.83-90
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• 2019

본 논문에서는 전력 반도체 소자용 Mg-doped AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. p형 재료로는 Mg을 사용하였다. 소자응용을 위한 기초 기판으로서 역할을 하기 위하여 GaN 에피층이 성장된 기판과 GaN 에피층이 성장되어 패턴이 형성된 사파이어 기판 위에 Mg-doped AlN 에피층을 선택 성장하였다. Mg-doped AlN 에피층의 표면과 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. XPS 스펙트럼과 라만 스펙트럼 결과로부터 혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 Mg-doped AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제19권1호
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• pp.13-18
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• 1982

The crystallization of metastable "orthorhombic" phase from the glass in the system of Na $AlSi_3O_8-CaAl_2Si_2O_8$ is studied. These crystals are crystallized in the range of composition from $Ab_80An_20$ to An100. The symmetry of these crystals show orthorhombic as a possible space group P22121. Two probable twin models are proposed. proposed.

• 한국응용약물학회:학술대회논문집
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• 한국응용약물학회 2002년도 창립10주년기념 및 국립독성연구원 의약품동등성평가부서 신설기념 국재학술대회:생물학적 동등성과 의약품 개발 전략을 위한 국제심포지움
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• pp.238-238
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• 2002

We studied whether kinase pathways are involved in TCDD-induced gene expression by treating specific kinase inhibitors ncluding MEK1 inhibitor PD98059, p38 inhibitor SB202190, PI-3 kinase inhibitor Wortmannin or LY294002 or protein tyrosine kinase inhibitor Genestein and then tested the effects of individual inhibitors on TCDD-induced gene expression of cytochromelAl gene (CYPlAl). Our results show that PD98059, MEK-1 inhibitor reduces dioxin-inducible transcription of CYPlAl. p44/p42MAPK, that is phosphorylated by Mek-1, are phosphorlylated by treatment of TCDD, peaking at lnM, 30min treatments. Overexpressions of p44/p42 MAPK dominant negative mutants suppress dioxin dependent transcription of DRE-driven reporter gene in a dose-dependent manner. Our results demonstrate that p44/p42 MAPK is essential for transcriptional activity of AHR/ARNT heterodimer. We found that PD98059 dose-dependently blocks TCDD-induced DRE binding of the AHR/ARNT heterodimer, thereby it reduces TCDD-induced gene expression. Therefore, our results indicate that Mek-1/p44/p42 MAPK pathway is involved in TCDD-induced gene expression, [This study was supported by a grant from Korean Research Foundation Grant (X01529)to H. Park]

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.55-56
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• 2007

The p-type ZnO thin film, fabricated by means of the ampoule-tube method, was used to make the ZnO p-n junction, and its characteristics was analyzed. The ampoule-tube method was used to make the p-type ZnO based on the As diffusion, and the hall measurement was used to confirm that the p-type is formed. the current-voltage characteristics of the ZnO p-n junction were measured to confirm the rectification characteristics of a typical p-n junction and the low leakage voltage characteristics. Using the ampoule-tube to fabricate the p-type ZnO will provide a very useful technology for producing the UV ZnO LED and ZnO-based devices.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제10권3호
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• pp.191-196
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• 1982

미곡저장중 균류에 의한 미곡의 손실을 방지하기 위하여 1978년 12월 부터 1979년 6월까지 7개월간 싸일로, 평창고 및 통가리에 저장한 미곡시료(밀양23호)에서 균류를 분리, 동정하였다. 한국산 벼 및 현미에서 분리된 30종의 균류중, Aspergillus속 11종(A. caespitosus, A. condidus, A. chevalieri, A fischeri, A. fumigatus, A. fiavus, A. nidulans, A. oryzae, A. ruber, A. sydowii, A. versicolor), Penicillium 속 5 종 (P. atramentosum P. chrysogenum, P. cyaneofulvum, P. nototum, P. steckii), Alternaria 속 2종 (Al. faesiculata, Al. grisea) Curvalaria 속 2종 (C, interseminata, C. tetromea), Trichothecium roseum, Nigrospora sphaerica, Rhizopus nigricans, Fusarium spp., Mucor spp., Helminthosporium spp., 및 Gliocladiopsis spp. 각 1종, 총 27종이 동정, 확인되었다. 한국산 벼에서 분리된 표면균류는 A. flavus와 A. candidus가 대부분이었으며, 현미에서는 A. sydowii가 많이 출현하였다. 또한 저장중 변질미에는 A. candidus, A. versicolor 및 A. glaucus group들이 주로 많았다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.258-264
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• 2004

본 논문에서는 40 ㎓ 대역 MMIC(Monolithic Microwave Intergrated Circuit) 이중평형 star 혼합기를 비아 공정이 있는 GaAs substrate(두께 4 mil)상에서 설계 및 제작, 측정하였다. 이중평형 star 혼합기를 구현하기 위해 발룬회로와 다이오드 설계가 필요했다. 발룬회로는 microstrip과 CPS(Coplanar Strip)를 이용하여 새로운 구조를 제안하여, 2 ㎓ 대역으로 주파수를 낮추어 새로운 구조의 발룬 성능을 PCB로 제작하여 확인한 바 있다. 이를 바탕으로 40 ㎓에서 MMIC 발룬을 설계하였다. 제안된 발룬은 비아 공정이 포함된 MMIC 회로에 적 합하며, 이중평형 혼합기 구현에 쉽게 적용 가능하다는 특징이 있다. 다이오드는 p-HEMT를 사용하는 밀리미터파 대역의 다른 MMIC 회로들과의 호환성을 고려하여, p-HEMT 공정을 기반으로 한 쇼트키 다이오드를 설계하였다. 이를 이용 제안한 발룬회로와 다이오드를 조합하여, 이중평형 star 혼합기를 구현하였다. 혼합기의 측정 결과 LO전력이 18 ㏈m일 때, 변환손실 약 30 ㏈를 얻었다. 이는 p-HEMT의 AlGaAs/InGaAs 층에 의한 다이오드 때문이며, p-HEMT구조에서 AlGaAs층을 식각하여 단일 접합 다이오드를 만들면 혼합기의 성능이 개선될 것으로 예상된다.