• 제목/요약/키워드: Al-P

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Triton X-100 존재하에 Thorin에 의한 미량의 알루미늄 이온의 분광학적 정량 및 이온-교환 분리 (Ion-exchange Separation and Spectrophotometric Determination of Trace Amount of Aluminium with Thorinin the Presence of Triton X-100)

  • 박찬일;차기원;정덕채
    • 분석과학
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    • 제12권6호
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    • pp.515-520
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    • 1999
  • Al(III)-thorin 착물에 대한 분광학적 정량 방법을 연구하였다. pH, 리간드와 계면활성제의 농도 및 안정화 시간에 대한 최적 조건을 결정하였다. thorin 리간드는 Fe(III), Ni(II), Cu(II), Pb(II) 그리고 Co(II)를 포함한 시료용액으로부터 Al(III)을 선택적으로 분리할 수 있도록 해준다. 여러 계면활성제중에서 비이온성인 Triton X-100에서 가장 안정한 상태를 나타냈고 수용액 중에서 Al(III)-Thorin-Triton X-100 착물은 526 nm에서 최대 흡광도를 가진다. 이 방법은 혼합된 시료용액에서 Al(III)을 정량하는데 이용되었다. 그리고, 분리 및 예비농축과정은 resoreinol-fermaldehyde 수지로 채워진 컬럼을 이용하였다. 컬럼 단계에서 수지의 흡착 능력은 pH변화에 매우 민감하기 때문에 pH를 조절하는 것이 필수적이다. 분리과정은 0.2 M acetic acid-sodium acetate 완충용액 (pH 4.5)와 1.0 M $HNO_3$용액으로 이루어졌다.

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플라즈마 용사에 의한 Al-SiCp 복합재료 코팅층의 제조 (Preparation of Al-SiCp Composite Coating by Plasma Thermal Spray)

  • 민준원;유승을;김영정;김정석;서동수
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권5호
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    • pp.460-467
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    • 2003
  • 기계적 합금화법에 의해 준비된 복합분말을 이용하여 용사공정에 의해 알루미늄 모재에 Al-SiC$_{p}$ 복합재료 코팅층을 형성하였다. 24h milling 후 복합화된 분말을 제조할 수 있었으며, 이 분말을 용사하여 복합재료 코팅층을 형성할 수 있었다. 코팅층의 두께 및 기공율과 공정변수와 관계를 분석하였으며, 경도의 증가를 확인하였다. 또한 TEM분석에 의해 Al-Si-C-O 화합물의 존재를 확인하였다.

강한 산성토양에서 Al의 과잉 흡수에 의한 오이 생육장해 양상 (Growth Inhibition of Cucumber by Absorbing Excess Al at Low Soil pH)

  • 김유학;김명숙;강성수;이형용
    • 한국토양비료학회지
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    • 제45권6호
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    • pp.925-927
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    • 2012
  • 산성화된 토양에서 생육하는 오이가 황백화 되면서 시드는 증상이 발생하여 현장에서 토양을 검사하여 진단하고 현장에서 토양 pH를 측정한 결과 4.2로 매우 낮은 강산성이었고, 실험실에서 분석한 결과 4.5로 나타났다. 토양을 풍건하여 토양 pH를 측정한 결과 4.5로 강산성이었다. 그래서 토양을 포화추출법으로 용액을 채취하여 분석한 결과 Al이 해리되어 나오고 있었고 식물체를 분석한 결과 Al이 고농도로 흡수되어 있었으며 질소와 Ca의 함량이 매우 낮았다. 현장에서 pH를 교정하기 위하여 소석회 포화액과 탄산칼슘을 처리한 결과 pH를 6.5로 조절할 수 있는 소석회 450 mL $plant^{-1}$를 처리한 주에서 어린 잎부터 정상적인 생육을 하였다. 이 결과로부터 강한 산성토양에서 나타난 오이의 황백화 증상은 Al이 해리되어 식물체로 과잉 흡수되고 이로 인하여 질소와 칼슘의 부족으로 야기된 것으로 나타났다.

Alum$\cdot$철염 응집제의 응집효과 비교

  • 안현화;황병기;이상호
    • 한국환경과학회:학술대회논문집
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    • 한국환경과학회 2000년도 정기총회 및 봄 학술발표회
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    • pp.126-127
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    • 2000
  • Fe(III) 응집제는 pH 5~9범위에서 Al(III)계 응집제보다 보다 우수한 응집효과를 보였으며 또한 pH의 영향을 거의 받지 않는 것으로 나타났다. 잔류 Fe의 경우 응집제 주입농도와 pH 증가에 영향을 거의 받지 않고 저농도의 잔류 Fe농도를 나타낸 반면, Al(III) 응집제는 잔류 Al의 급격한 증가를 나타내었다.

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SiC입자와 Al-Ti합금 용탕간반응에 의한 in situ 생성 TiC입자강화 Al합금복합재료의 조직과 기계적특성 (Microstructure and Mechanical Properties of in situ TiCp/Al Composites Fabricated by the Interfacial Reaction between SiC Particles and Liquid Al-Ti Alloy)

  • 임석원;중전박도
    • 한국주조공학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.170-179
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    • 1997
  • A noble technique has been developed for fabricating in situ formed $TiC_p/Al$ composites. In this process, fairly stable TiC particles were in situ synthesized in liquid aluminum by the interfacial reaction between an Al-Ti melt and SiC, which is a comparatively unstable carbide from the view-point of thermodynamics. It is possible in the present process to generate TiC particles of nearly 1 ${\mu}m$ in diameter, even utilizing SiC of 14 ${\mu}m$ as raw material. However, the dispersion behavior of TiC particles in the matrix depends on the size of the raw material SiC. Decomposing finer SiC makes the dispersion of TiC particles more uniform and the mechanical properties of composites are improved accordingly. The structure of in situ composites and their mechanical properties are affected by the fabrication temperature and the stirring time. It has been found that the most suitable condition for fabrication should be applied depending on the size of the raw material, even if the same kinds of carbide are used. Furthermore, although Al-Ti-Si system intermetallic compounds are detected in a $TiC_p/Al-Si$ composite which is fabricated by conventional melt-stirrng method, these compounds can not be observed in a $TiC_p/Al-Si$ composite made by this in situ production method. Hence the mechanical properties of the in situ $TiC_p/Al-Si$ composite are superior to those of the conventional $TiC_p/Al-Si$ composites.

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ZnO내 Al-도우너의 용해도의 산소분압 의존성 (Oxygen Partial Pressure Dependency of Al-donor Solubility in ZnO)

  • 김은동;김남균
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권12호
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    • pp.1093-1096
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    • 2001
  • ZnO내 $Al_2$ $O_3$의 고용은 $Al^{3+}$ 의 ZnO 결정의 $Zn^{2+}$자리, 즉 wurtizite 구조에서 4개의 산소가 만드는 4면체 공간자리로서 치환반응으로 정의될 수 있다. 이 반응은 아연-빈자리 혹은 산소-빈자리와 연관되어 일어나므로 ZnO의 비화학량론성 및 결정결함반응들과 상관관계를 가진다. 이러한 상호연관성은 아연-빈자리 및 산소분압(P $o_2$) 의존성을 낳으며, 결과적으로 ZnO내 Al 용해도([Al/sug zn/]$_{max}$)의 산소분압 의존성을 야기한다. 본 논문은 ZnO내에 Al의 용해도는 산소분압이 증가하면 감소한다는 것을 처음으로 곗나하여 보고한다. [A $l_{zn}$ ]$_{max}$ $P_{o2}$$^{-1}$4/./.

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Polysulfone으로 Al(OH)3를 고정화한 PSf-Al(OH)3 비드에 의한 불소 이온의 제거 특성 (Removal Characteristics of Fluoride Ions by PSf-Al(OH)3 Beads Immobilized Al(OH)3 with Polysulfone)

  • 전진우;이민규
    • 청정기술
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    • 제20권1호
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    • pp.51-56
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    • 2014
  • 본 연구에서는 폴리술폰(polysulfone, PSf)으로 알루미늄 수산화물(aluminum hydroxide, $Al(OH)_3$)을 고정화한 PSf-$Al(OH)_3$ 비드를 제조하였다. 제조한 PSf-$Al(OH)_3$ 비드에 의한 불소 이온 제거실험은 회분식으로 수행하였으며, pH, 초기농도, 공존이온과 같은 변수들의 영향을 살펴보았다. Langmuir 등온식으로 구한 불소 이온의 최대 제거량은 52.4 mg/g이었으며, 최적 pH 범위는 4~10이었다. PSf-$Al(OH)_3$ 비드에 의한 불소 이온의 제거과정은 전 단계에서 외부물질전달이 나중 단계에서 내부확산이 지배인 것을 알 수 있었다. 또한 PSf-$Al(OH)_3$에 의한 불소 이온의 제거에서 $HCO_3{^-}$, $SO{_4}^{2-}$, $NO_3{^-}$, $Cl^-$와 같은 공존 음이온들은 불소 이온의 제거에 방해를 하는 것으로 나타났다.

Al 이온 주입된 p-type 4H-SiC에 형성된 Ni/Ti/Al Ohmic Contact의 전기적 특성 (Electrical Characteristics of Ni/Ti/Al Ohmic Contacts to Al-implanted p-type 4H-SiC)

  • 주성재;송재열;강인호;방욱;김상철;김남균
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권11호
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    • pp.968-972
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    • 2008
  • Ni/Ti/Al multilayer system ('/'denotes the deposition sequence) was tested for low-resistance ohmic contact formation to Al-implanted p-type 4H-SiC. Ni 30 nm / Ti 50 nm / Al 300 nm layers were sequentially deposited by e-beam evaporation on the 4H-SiC samples which were implanted with Al (norminal doping concentration = $4\times10^{19}cm^{-3}$) and then annealed at $1700^{\circ}C$ for dopant activation. Rapid thermal anneal (RTA) temperature for ohmic contact formation was varied in the range of $840\sim930^{\circ}C$. Specific contact resistances were extracted from the measured current vs. voltage (I-V) data of linear- and circular transfer length method (TLM) patterns. In constrast to Ni contact, Ni/Ti/Al contact shows perfectly linear I-V characteristics, and possesses much lower contact resistance of about $2\sim3\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ even after low-temperature RTA at $840^{\circ}C$, which is about 2 orders of magnitude smaller than that of Ni contact. Therefore, it was shown that RTA temperature for ohmic contact formation can be lowered to at least $840^{\circ}C$ without significant compromise of contact resistance. X-ray diffraction (XRD) analysis indicated the existence of intermetallic compounds of Ni and Al as well as $NiSi_{1-x}$, but characteristic peaks of $Ti_{3}SiC_2$, a probable narrow-gap interfacial alloy responsible for low-resistance Ti/Al ohmic contact formation, were not detected. Therefore, Al in-diffusion into SiC surface region is considered to be the dominant mechanism of improvement in conduction behavior of Ni/Ti/Al contact.