ZnO shows the properties of wide conductivity variation, high optical transmittance, and excellent piezoelectricity. Using these properties of ZnO, the material applications were extended to sensors, SAW filters, solar cells, and display devices. This paper investigated transmittance influencing factors for thin film ZnO grown by RF magnetron sputtering. The growth rate and structural investigation were carried out in conjunction with optical transmittance characteristics of thin film ZnO. The glass substrate temperature of $175^{\circ}C$ exhibited a preferential crystallization along (002) orientation. Transmittance of ZnO film deposited at the substrate temperature of $175^{\circ}C$ showed higher than 92%. An active sputter gas was investigated with a variation of $O_2$ partial pressure from 0 to 10% in an Ar atmosphere. ZnO film grown in 100% Ar gas shows that a reduced transmittance of 82% at the short wavelengths and decreased resistivity value. As the partial pressure of $O_2$ gas increased, the optical transmittance was increased above 90% at the short wavelengths, however, resistivity was drastically increased to higher than $10^4{\Omega}$-cm.
Recently, RFID has become popular in the field of remote sensing applications. Location awareness is one of the most important keys to deploying RFID for advanced object tracking. Generally, multiple reference RF stations or additional sensors are used for the location sensing with RFID, but, particularly in indoor environments, spatial layout and cost problems limit the applicability of those approaches. In this paper, we propose a novel method for location sensing with active RFID systems not requiring the need for reference stations or additional sensors. The system triangulates the position of RF signal source using the signal pattern of the loop antenna connected to the power detector. The power detector consists of a signal strength detector and a signal analysis unit. The signal analysis unit indicates the signal strength and serial number using the signal from the strength detector, and provides the direction of the signal to the application target. We designed three different signal analysis units depending on the threshold type. The developed system can sense the direction to the transponder located over 10 m away within the maximum error of $5^{\circ}$. It falls within a reasonable range in our normal office environment.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.11
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pp.536-543
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2003
In this paper, we describe a unique self oscillating and mixing (SOM) down-converter design using a modified defected ground structure (DGS). The proposed SOM converter is consisted of self-oscillator, which can produce negative resistance and select resonance frequency, RF matching circuit, and IF low pass filter. As the advantage of this SOM converter can mix LO and RF signals as well as inducing LO signal with only one active device. it is designed as a simple structure and the low cost. Also, there is easy advantage to be applied in RFIC/MMIC technology because it offers excellent phase noise performance in spite of using micro-strip structure. The LO signal for the proposed SOM converter is designed at 1㎓ and RF frequency was chosen to be 800MHz. The achieved conversion loss and phase noise performances of the implemented SOM converter are 15㏈ and -95dBc/Hz at 100KHz offset frequency respectively. The equivalent circuit parameters for DGS are extracted by using a three dimensional EM simulator and simple circuit analysis method.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.17
no.4
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pp.169-177
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2017
The role of electromagnetic (EM) waves in magnetic fusion plasma-ranging from radio frequency (RF) to microwaves-has been extremely important, and understanding of EM wave propagation and related technology in this field has significantly advanced magnetic fusion plasma research. Auxiliary heating and current drive systems, aided by various forms of high-power RF and microwave sources, have contributed to achieving the required steady-state operation of plasmas with high temperatures (i.e., up to approximately 10 keV; 1 eV=10000 K) that are suitable for future fusion reactors. Here, various resonance values and cut-off characteristics of wave propagation in plasmas with a nonuniform magnetic field are used to optimize the efficiency of heating and current drive systems. In diagnostic applications, passive emissions and active sources in this frequency range are used to measure plasma parameters and dynamics; in particular, measurements of electron cyclotron emissions (ECEs) provide profile information regarding electron temperature. Recent developments in state-of-the-art 2D microwave imaging systems that measure fluctuations in electron temperature and density are largely based on ECE. The scattering process, phase delays, reflection/diffraction, and the polarization of actively launched EM waves provide us with the physics of magnetohydrodynamic instabilities and transport physics.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.2
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pp.159-163
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2005
This paper gives characterization of ZnO thin film deposited by RF magnetron sputtering method, which is concerned in deposition process and device fabrication process, to fabricate solidly mounted resonator(SMR)-type film bulk acoustic resonator(FBAR). A piezoelectric layer of 1.1${\mu}{\textrm}{m}$ thick ZnO thin films were grown on thermally oxidized SiO$_2$(3000 $\AA$)/Si substrate layers by RF magnetron sputtering at the room temperature. The highly c-axis oriented ZnO thin film was obtained at the conditions of 265 W of RF power, 10 mtorr of working pressure, and 50/50 of Ar/O$_2$ gas ratio. The piezoelectric-active area was 50 ${\mu}{\textrm}{m}$${\times}$50${\mu}{\textrm}{m}$, and the thickness of ZnO film and Al-3 % Cu electrode were 1.4 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 180${\mu}{\textrm}{m}$, respectively. Its series and parallel frequencies appeared at 2.128 and 2.151 GHz, respectively, and the qualify factor of the resonator was as high as 401.8$\pm$8.5.
In Korea, a need of automatic dairy farm management system has been increased to lower production cost and to strengthen international competition. However, the present management system was mostly relied on foreign technologies and caused some problems in post management and after-sales services. Therefore, though there is a problem of price and quality at present, domestic technologies of the management system should be developed for the long run. This study was conducted to develop an electronic identification unit for an automatic dairy farm management system. The developed system was consisted of a tag, a reader, a switching circuit, and a personal computer. The tag attachable to each individual cow was developed to transmit individual radio frequency(RF) code into the air with modulation of ASK(amplitude shift keying). And the switching circuit was added to avoid confusion on reception and transmittance. The reader attached to a feeding device was developed to transmit activating signal periodically and to identify code of the individual tag when the tag was approached to the device. The reader was consisted of an active filter, a detecter, a comparator and a microcontroller. The test result was feasible enough to apply it for the automatic farm management system and the identified maximum distance was about 37cm.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.323-324
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2007
Investigation of improving the properties of UV photodetector which uses the wide bandgap of ZnO are under active progress. In this paper, transparent conducting aluminum-doped Zinc oxide films(AZO) were prepared by rf magnetron sputtering on glass(corning 1737) and p-Si substrate, were then annealed at temperature $400^{\circ}C$ for 2hr. The AZO thin films were deposited by RF sputtering system. HF power and work pressure is 120 W and 15 mTorr, respectively, and the purity of AZO target is 5N. The AZO thin films were deposited at 300, 400, $500^{\circ}C$, and $600^{\circ}C$. For sample deposited at $400^{\circ}C$, we observed best $V_r-I_{ph}$ of 0.94 mA and good transmittance.
In-rich InGaN epilayers were grown on (0001) sapphire substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). InGaN epilayers grown at various growth condition were observed by SEM, XRD, and RHEED. When plasma power of nitrogen increased from 290 to 350 W, surface morphology and crystal quality became worse according to more active nitrogen on the surface of InGaN at N-rich growth condition. As In composition was reduced from 89 to 71% by changing the incoming flux of In and Ga, surface morphology and crystal quality became worse. In addition, weak peaks of cubic InGaN phase was observed from InGaN layer with 71% In composition by XRD ${\Phi}$ scan measurement. When growth temperature decreased from 500 to $400^{\circ}C$, RHEED diffraction pattern was changed to be from streaky to spotty which means atomically rough surface, and spotty pattern showed cubic symmetry of InGaN clearly. XRD ${\Phi}$ scan measurement gave clear evidence that more cubic InGaN phase was formed at low growth temperature. All these results indicates that extremely low surface mobility of Ga adatom caused inferior crystal quality and cubic InGaN phase.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.12
no.2
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pp.299-308
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2008
This paper proposes a new design specification-based band fault modelling technique that can test design specification in a time domain. The band fault model is defined and the conditions of band fault model are gained as normal operation regions are defined. And the conditions of band fault model are used in a 5.25GHz low noise amplifier, then 9 band fault models that can detect hard and parametric faults of active and passive devices are obtained.
Purpose: Recent studies have indicated that applying different inclination angles and suspension devices could be a useful way of performing exercises that include the co-activation of the trunk muscles. Present study was to examine the influences of changes in the inclination angle during trunk muscle activity while engaging in a bridge exercise with a suspension device. Methods: 18 healthy, physically active male volunteers completed three trunk inclination angles (15°, 30°, and 45°) for bridge exercise variations. The surface electromyography responses of the rectus abdominis, internal oblique (IO), erector spinae (ES), and rectus femoris (RF), as well as the subjective difficulty (Borg RPE score), were investigated during these bridge exercises. Results: The bridge with a 45° inclination angle suspension significantly increased the muscular activities of the RA and RF and increased the Borg RPE scores (p<0.05). The bridge with a 15° suspension significantly elevated the ES activities when compared to the other conditions. Conclusion: The present study demonstrated that a higher inclination angle could not activate the overall trunk muscles during the bridge exercise. The RA and RF produced greater activation during the bridge exercise with the higher inclination angle. On the other hand, the activities of the erector spine were greater during the bridge exercise with the lower inclination angle. The present study suggests that applying a low trunk inclination angle for the supine bridge exercise is suitable for activating the erector spine muscles.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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