• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.180-182
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• 2009

Two different wet etching solutions, NaOH 40% and Acid, were used for etching in tri-crystalline Silicon(Tri-Si) solar cell fabrication. The wafers etched in NaOH40% solution showed higher reflectance compared to the wafers etched in Acid solution after $SiN_x$ deposition. In light current-voltage results, the cells etched in Acid solution exhibited higher short circuit current and open circuit voltage than those of the cells etched in NaOH 40% solution. We have obtained 16.70% conversion efficiency in large area($156cm^2$) Tri-Si solar cells etched in Acid solution.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권4호
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• pp.61-67
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• 2004

알루미늄 유전체의 표면적 증가에 의한 정전용량 값을 증가시키기 위하여, 1 M의 염산 에칭용액에 첨가제를 사용했을 때 나타나는 알루미늄 표면의 에칭특성의 변화를 조사하였다. 에칭액으로서 염산을 사용한 경우 알루미늄 표면에서 생성되는 에치피트의 형상과 단위 면적당 생성밀도가 균일하지 못하였다. 염산용액에 에틸렌글리콜이 첨가된 혼합용액에서 에칭을 실시했을 경우, 알루미늄 기지 표면에 미세하고 균일한 에치피트가 형성되어 표면적 증가의 효과가 크게 나타났다. 에틸렌글리콜이 첨가된 에칭액에서 제조된 유전체는 표면적 증가에 의한 효과로 높은 정전용량 값을 나타냈다.

• 한국재료학회지
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• 제16권1호
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• pp.63-67
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• 2006

The characteristics of the wet-etching of ZnO thin films were investigated using hydrochloric and phosphoric acid solutions as etchants. The etch rate of ZnO films, using highly diluted hydrochloric acid solutions at a concentration of 0.25% in deionized water, was determined to be about 120 nm/min, and linearly increased with increasing the acid concentration, resulting in $1.17{\mu}m/min$ when a 2% HCl solution was used. The surface of ZnO etched by an HCl solution, observed by scanning electron microscopy, showed a rough morphology with a high density of hexagonal pyramids or cones with sidewall angles of about ${\sim}45^{\circ}C$. Moreover, the sidewall angles of the masked area were similar to those of the pyramids on the surface. In comparison, the surface of ZnO etched by a phosphoric acid had a smooth surface morphology. The origin of this difference is from the very initial stage of etching, indicating that the etch-mechanism is different for each solution. Furthermore, when $H_3PO_4$ was added to the HCl aqueous solution, the morphology of the etched surface was greatly enhanced and the sidewall angle was also increased to about $65^{\circ}C$.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제21권4호
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• pp.306-312
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• 2004

An acid cleaning agent (AACA) for aluminum was prepared by blending of sorbitol, n-octanoic acid, MJU-100A, Tetronix T-701, PPA-23, C8-83 and phosphoric acid. With the prepared AACA, degreasing, foam height, etching and derusting tests were carried out. As a result, AACA-4 and AACA-7 showed better cleaning ability than commercial acid cleaning agents.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권4호
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• pp.135-139
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• 2014

수소화기상증착에피탁시로 성장된 GaN 단결정의 표면 특성을 정밀하게 측정하기 위해, 용융 KOH/NaOH 습식화학에칭법을 적용하였다. KOH/NaOH 습식화학에칭법에 에칭속도는 기존의 황산, 인산과 같은 etchant에 비해 느린데, 이는 불용성 코팅층의 형성에 의한 것이다. 따라서 이 방법으로 etch pits density를 더 효율적으로 평가할 수 있었다. 성장된 GaN 단결정을 XRD(X-Ray Diffraction), XRC(X-ray rocking curve)로 결정성을 분석하였으며, 에칭 특성과 표면 형상은 주자전자현미경을 이용하여 관찰하였다. 에칭 실험 결과 격자결함들이 독립적으로 잘 분리되어 있고 그들의 형태가 명확하게 나타나는 최적 에칭 조건은 $410^{\circ}C$, 25분이었다. 이 조건에서 얻은 결함밀도 값은 $2.45{\times}10^6cm^{-2}$이었으며, 이는 상업적으로 이용 가능 한 정도의 재료임을 확인할 수 있었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제27권5호
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• pp.771-779
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• 1997

본 연구의 목적은 법랑질 표면에 대한 산부식시간의 차이가 법랑질 표면의 부식형태, 교정장치의 전단접착강도 및 탈락 양상에 미치는 영향을 알아보는 것이다. 교정치료를 위해 발거된 하악 소구치의 법랑질을 $37\%$ 인산 용액을 이용하여 동일한 방법으로 각각 5, 10, 15, 30, 45, 60, 90, 120초 동안 부식시킨 후 법랑질 표면을 주사전자현미경으로 관찰하고, 교정장치를 접착한 후 Instron universal testing machine을 이용하여 전단접착강도를 측정하고 교정장치의 탈락 양상을 관찰하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 산부식시간을 5-120초 범위에서 변화시켜도 교정장치의 전단접착강도는 통계학적으로 유의성 있는 차이가 없었다(p<0.05). 2. 산부식시간에 따른 교정 장치의 탈락 양상은 15초 이하 부식군(5, 10, 15초)과 30초 이상 부식군(30, 45, 60, 60, 120초) 사이에 차이가 있었다. 즉, 15초 이하 부식군에서는 접착제/법랑질 경계부 탈락이 상대적으로 많았으나, 30초 이상 부식군에서는 접착제/교정장치 경계부 탈락이 많았다. 3. 법랑질 표면의 부식형태는 매우 다양하였으며 동일한 법랑질 표면에서도 여러 가지 형태의 부식 소견이 관찰되었다. 또한 법랑질 부식형태와 교정장치의 접착강도 사이에 연관성을 발견할 수 없었다. 4. 본 연구의 결과는 실험적 조건에서는 부식시간을 5초로 단축하여도 임상적으로 유용한 접착강도를 얻을 수 있음을 보여주고 있다. 그러나, 15초 이하 부식군에서 나타난 탈락 양상에 대해서는 더 많은 연구가 이루어져야 할 것으로 여겨진다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제54권4호
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• pp.548-554
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• 2016

Damascene 구조를 갖는 반도체소자의 구리금속배선 식각공정에서 배선재료에 의해서 발생되는 구리 식각잔류물을 제거하기 위해 oxalic acid (OA), lactic acid (LA) 및 citric acid (CA)의 카르복시산 함유된 반수계 혼합세정액을 제조하고 특성을 분석하였다. 카르복시산은 pH에 따라 카르복실기와 구리이온들과의 다양한 복합체를 형성하며 세정특성의 변화를 준다. 카르복시산들이 함유된 각각의 세정액의 세정특성평가결과 10 wt% CA를 함유한 반수계 세정액의 식각잔류물 세정특성은 pH 2에서 7까지의 영역에서 가장 낮은 구리 식각률을 보였으며 pH 2에서 4까지 구리에 대한 구리산화물의 가장 높은 식각 선택도를 나타내었으나 pH 5에서 7 범위에서는 10 wt% LA가 함유된 세정액이 더 높은 선택도를 보였다. 따라서 표면세정효과는 pH에 따라 변화하며 적절한 카르복시산을 사용함이 요구된다. CA가 함유된 세정액의 경우에 CA 농도와 구리에 대한 구리산화물의 식각 선택도의 증가특성을 보이며 CA가 5 wt%이상 함유된 경우에는 세정 후 구리배선의 표면이 88 %이상의 금속구리로 분석되어 구리산화물로 구성된 식각 잔류물의 제거에 효과적임을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제17권2호
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• pp.95-99
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• 2008

Various etching methods of optical fiber and formation of metal nano particles on the optical fiber have been proposed for fabrication of fiber optic localized surface plasmon resonance (FO LSPR) biosensors. Different types of etched optical fiber are possible by removing the cladding of optical fiber using HF (hydrofluoric acid) solution and BHF (buffered hydrofluoric acid) solution, which results in improved surface roughness when BHF solution is used. Localized surface plasmon can be formed and measured by formation of silver and gold nano particles on the etched optical fiber. The characteristics of the etched optical fiber and metal nano particles on the etched surface of the optical fiber play a key role in dictating the sensitivity of the LSPR sensors, so that the proposed results can be expected to be applied for related research on fiber optic based biosensors.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권3호
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• pp.106-111
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• 2001

The freestanding GaN substrates were grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on (0001) sapphire substrate and prepared by using laser induced lift-off. After a mechanical polishing on both Ga and N-surfaces of GaN films with 100$\mu\textrm{m}$ thick, their polarities have been investigated by using chemical etching in phosphoric acid solution, 3 dimensional surface profiler and Auger electron spectroscopy (AES). The composition of the GaN film measured by AES indicted that Ga and N terminated surfaces have the different N/Ga peak ratio of 0.74 and 0.97, respectively. Ga-face and N-face of GaN revealed quite different chemical properties: the polar surfaces corresponding to (0001) plane are resistant to a phosphoric acid etching whereas N-polar surfaces corresponding to(0001) are chemically active.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제8권1호
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• pp.167-172
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• 1982

The purpose of this study was to evaluate the marginal sealing ability of "Silar". Using freshly extracted human teeth and 2% acquous methylene blue, the marginal leakage of dye in restorative materials such as Silar, Silar with acid etching technique, Hi-Pol, Hi-Pol Enamel Bond system, Adaptic and Amalgam were investigated at $37^{\circ}C$ and under temperature cycling in range of $4^{\circ}C-60^{\circ}C$. The results as follows; 1. All filling materials showed some degree of marginal penetration by 2% methylene blue dye. 2. Silar with acid etching technique revealed effective marginal sealing ability, but under temperature cycling it showed increased marginal leakage. 3. All composite resins showed greater marginal leakage than amalgam restoration. 4. Silar had the most effective marginal sealing ability in experimented composite resins.