• 한국재료학회지
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• 제23권8호
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• pp.405-422
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• 2013

Atomic layer deposition(ALD) is a promising deposition method and has been studied and used in many different areas, such as displays, semiconductors, batteries, and solar cells. This method, which is based on a self-limiting growth mechanism, facilitates precise control of film thickness at an atomic level and enables deposition on large and three dimensionally complex surfaces. For instance, ALD technology is very useful for 3D and high aspect ratio structures such as dynamic random access memory(DRAM) and other non-volatile memories(NVMs). In addition, a variety of materials can be deposited using ALD, oxides, nitrides, sulfides, metals, and so on. In conventional ALD, the source and reactant are pulsed into the reaction chamber alternately, one at a time, separated by purging or evacuation periods. Thermal ALD and metal organic ALD are also used, but these have their own advantages and disadvantages. Furthermore, plasma-enhanced ALD has come into the spotlight because it has more freedom in processing conditions; it uses highly reactive radicals and ions and for a wider range of material properties than the conventional thermal ALD, which uses $H_2O$ and $O_3$ as an oxygen reactant. However, the throughput is still a challenge for a current time divided ALD system. Therefore, a new concept of ALD, fast ALD or spatial ALD, which separate half-reactions spatially, has been extensively under development. In this paper, we reviewed these various kinds of ALD equipment, possible materials using ALD, and recent ALD research applications mainly focused on materials required in microelectronics.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.234.2-234.2
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• 2014

Organic light emitting diode (OLED) is considered as the next generation flat panel displays due to its advantages of low power consumption, fast response time, broad viewing angle and flexibility. For the flexible application, it is essential to develop thin film encapsulation (TFE) to protect oxidation of organic materials from oxidative species such as oxygen and water vapor [1]. In many TFE research, the inorganic film by atomic layer deposition (ALD) process demonstrated a good barrier property. However, extremely low throughput of ALD process is considered as a major weakness for industrial application. Recently, there has been developed a high throughput ALD, called 'spatial ALD' [2]. In spatial ALD, the precursors and reactant gases are supplied continuously in same chamber, but they are separated physically using a purge gas streams to prevent mixing of the precursors and reactant gases. In this study, the $Al_2O_3$ thin film was deposited by spatial ALD process. We characterized various process variables in the spatial ALD such as temperature, scanning speed, and chemical compositions. Water vapor transmission rate (WVTR) was determined by calcium resistance test and less than $10-^3g/m^2{\cdot}day$ was achieved. The samples were analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and field emission scanning electron microscope (FE-SEM).

• The Plant Pathology Journal
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• 제32권4호
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• pp.357-362
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• 2016

ALD1 (ABERRANT GROWTH AND DEATH2 [AGD2]-LIKE DEFENSE1) is one of the key defense regulators in Arabidopsis thaliana and Nicotiana benthamiana. In these model plants, ALD1 is responsible for triggering basal defense response and systemic resistance against bacterial infection. As well ALD1 is involved in the production of pipecolic acid and an unidentified compound(s) for systemic resistance and priming syndrome, respectively. These previous studies proposed that ALD1 is a potential candidate for developing genetically modified (GM) plants that may be resistant to pathogen infection. Here we introduce a role of ALD1-LIKE gene of Oryza sativa, named as OsALD1, during plant immunity. OsALD1 mRNA was strongly transcribed in the infected leaves of rice plants by Magnaporthe oryzae, the rice blast fungus. OsALD1 proteins predominantly localized at the chloroplast in the plant cells. GM rice plants over-expressing OsALD1 were resistant to the fungal infection. The stable expression of OsALD1 also triggered strong mRNA expression of PATHOGENESIS-RELATED PROTEIN1 genes in the leaves of rice plants during infection. Taken together, we conclude that OsALD1 plays a role in disease resistance response of rice against the infection with rice blast fungus.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.77.1-77.1
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• 2013

Atomic layer deposition (ALD) is known for its self-limiting reaction, which offers atomic-level controllability of the growth of thin films for a wide range of applications. The self-limiting mechanism leads to very useful properties, such as excellent uniformity over a large area and superior conformality on complex structures. These unique features of ALD provide promising opportunities for future electronics. Although the ALD of Al2O3 film (using trimethyl-aluminum and water as a metal precursor and oxygen source, respectively) can be regarded as a representative example of an ideal ALD based on the completely self-limiting reaction, there are many cases deviating from the ideal ALD reaction in recently developed ALD processes. The nonconventional aspects of the ALD reactions may strongly influence the various properties of the functional materials grown by ALD, and the lack of comprehension of these aspects has made ALD difficult to control. In this respect, several dominant factors that complicate ALD reactions, including the types of metal precursors, non-metal precursors (oxygen sources or reducing agents), and substrates, will be discussed in this presentation. Several functional materials for future electronics, such as higher-k dielectrics (TiO2, SrTiO3) for DRAM application, and resistive switching materials (NiO) for RRAM application, will be addressed in this talk. Unwanted supply of oxygen atoms from the substrate or other component oxide to the incoming precursors during the precursor pulse step, and outward diffusion of substrate atoms to the growing film surface even during the steady-state growth influenced the growth, crystal structure, and properties of the various films.

• 대한소아신경학회지
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• 제23권2호
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• pp.45-50
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• 2015

목적: X-ALD는 Xq28에 위치한 ABCD1 유전자의 돌연변이로 긴사슬지방산이 신경 조직과 부신에 축적되어 일어나는 퇴행 뇌질환이며, 소아기 대뇌형의 경우 빠르고 심한 임상 경과를 보인다. 이 과정에서 산화스트레스도 조직 손상에 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 골수이식이나 로렌조 기름 등이 치료 방법으로 이용되나 치료의 위험성과 효과에서 한계를 보이는 실정이다. 이에 저자들은 X-ALD 환자에게 채취한 섬유모세포를 이용하여, X-ALD의 치료 가능성을 알아보기 위하여 VPA의 효과를 연구해보고자 하였다. 방법: X-ALD 환자의 피부에서 채취한 섬유모세포와 정상인의 피부에서 채취한 섬유모세포를 배양하였다. 배양된 섬유모세포에 VPA를 처리한 후 RNA발현 정도를 통해 ABCD2 발현을 확인하고 유동세포계측법으로 활성산소종을 측정하였다. 결과: VPA을 처리한 후 정상과 X-ALD 섬유모세포 모두에서 ABCD2의 mRNA 발현이 증가하였다. 특히 X-ALD 섬유모세포에서 ABCD2 유전자 mRNA 발현이 2.22배로 정상의 1.76배보다 더 증가하였다. 유동세포계측법으로 활성산소종을 확인한 결과 대조군에서 13.7, VPA를 처리한 군에서는 각각 0.25 mM에서 8.67, 0.5 mM에서 9.37, 1 mM에서 5.83을 나타내었다. 결론: X-ALD 환자에서 VPA의 항산화능을 이용하여 신경손상을 막을 수 있는 가능성이 있을 것으로 보이며, 이를 실제 환자에 적용하는 연구가 필요할 것이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.83-83
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• 2012

금속 실리사이드는 낮은 비저항, 실리콘과의 좋은 호환성 등으로 배선 contact 물질로 널리 연구되고 있다. 특히 $CoSi_2$는 선폭의 축소와 관계없이 일정하고 낮은 비저항과 열적 안정성이 우수한 특성 등으로 배선 contact 물질로 활발히 연구되고 있다. 금속 실리사이드를 실리콘 평면기판에 형성시키는 방법으로는 열처리를 통한 금속박막과 실리콘 기판 사이에 확산작용을 이용한 SALICIDE (self-algined silicide) 기술이 대표적이며 CoSi2도 이와 같은 방법으로 형성할 수 있다. Co 박막을 증착하는 방법에는 물리적 기상증착법 (PVD)과 유기금속 화학 증착법 등이 보고되어있지만 최근 급격하게 진행 중인 소자구조의 나노화 및 고 단차화에 따라 기존의 증착 기술은 낮은 단차 피복성으로 인하여 한계에 부딪힐 것으로 예상되고 있다. ALD(atomic layer deposition)는 뛰어난 단차 피복성을 가지고 원자단위 두께조절이 용이하여 나노 영역에서의 증착 방법으로 지대한 관심을 받고 있다. 앞선 연구에서 본 연구진은 CoCp2 전구체과 $NH_3$ plasma를 사용하여 Plasma enhanced ALD (PE-ALD)를 이용한 고 순도 저 저항 Co 박막 증착 공정을 개발 하고 이를 SALICIDE 공정에 적용하여 $CoSi_2$ 형성 연구를 보고한 바 있다. 하지만 이 연구에서 PE-ALD Co 박막은 플라즈마 고유의 성질로 인하여 단차 피복성의 한계를 보였다. 이번 연구에서 본 연구진은 Co(AMD)2 전구체와 $NH_3$, $H_2$, $NH_3$ plasma를 반응 기체로 사용하여 Thermal ALD(Th-ALD) Co 및 PE-ALD Co 박막을 증착 하였다. 고 단차 Co 박막의 증착을 위하여 Th-ALD 공정에 초점을 맞추어 Co 박막의 특성을 분석하였으며, Th-ALD 및 PE-ALD 공정으로 증착된 Co 박막의 단차를 비교하였다. 연구 결과 Th-ALD Co 박막은 95% 이상의 높은 단차 피복성을 가져 PE-ALD Co 박막의 단차 피복성에 비해 크게 향상되었음을 확인하였다. 추가적으로, Th-ALD Co 박막에 고 단차 박막의 증착이 가능한 Th-ALD Ru을 capping layer로 이용하여 CoSi2 형성을 확인하였고, 기존의 PVD Ti capping layer와 비교하였다. 이번 연구에서 Co 박막 및 $CoSi_2$ 의 특성 분석을 위하여 X선 반사율 분석법 (XRR), X선 광전자 분광법 (XPS), X선 회절 분석법 (XRD), 주사 전자 현미경 (SEM), 주사 투과 전자 현미경 (STEM) 등을 사용하였다.

• 대한임상검사과학회지
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• 제53권1호
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• pp.88-95
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• 2021

본 연구에서는 제모된 마우스 모델을 대상으로 목향 추출물의 경구 투여가 발모에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 목향 70% prethanol 추출물(ALD)을 제조하여 추출수율과 추출물에 함유된 총 폴리페놀 함량을 측정한 결과 각각 27.30±0.01과 28.39 mg gallic acid equivalent (GAE)/g extract로 측정되었다. ALD를 제모된 CL57BL/6 마우스에 6주간 경구 투여하며 관찰한 결과, 식이량과 체중 변화에 유의적인 변화가 관찰되지 않았다. 혈액 생화학적 검사 및 조직학적 검사를 통해 ALD의 6주간 반복 투여가 주요 장기인 간과 신장의 기능에 미치는 영향을 살펴본 결과, 대조군에 비해 간기능과 콩팥기능 모두 유의적인 변화는 관찰되지 않았다. 이와 더불어 ALD 투여에 따른 모발 성장 정도를 육안적으로 관찰한 결과, ALD 투여군에서 대조군 및 판시딜 투여군(양성 대조군)보다 현저하게 발모가 증가함을 확인하였다. 또한 모낭수와 진피의 콜라겐 생성 정도를 비교한 결과, 대조군 및 판시딜 투여군 대비 ALD 투여군에서 두 항목 모두 유의적으로 증가함을 알 수 있었다. 본 연구로부터 ALD의 경구 투여는 제모된 마우스 모델에서 모발 성장을 촉진하며 진피내 콜라겐 합성 증가와 모낭수 증가를 유도한다는 결론을 도출할 수 있었으며, 이는 ALD를 함유하는 경구용 발모 촉진제 개발을 위한 기초자료로써 그 가치가 있을 것으로 기대된다.

• 한국정밀공학회지
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• 제33권8호
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• pp.691-695
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• 2016

This paper covers the investigation of the microscale behavior of Pt nanostrucures fabricated by atomic layer deposition (ALD) at elevated temperature. Nanoparticles are fabricated at up to 70 ALD cycles, while congruent porous nanostructures are observed at > 90 ALD cycles. The areal density of the ALD Pt nanostructure on top of the SiO2 substrate was as high as 98% even after annealing at $450^{\circ}C$ for 1hr. The sheet resistance of the ALD Pt nanostructure dramatically increased when the areal density of the nanostructure decreased below 85 - 89% due to coarsening at elevated temperature.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.47-47
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• 2015

Atomic layer deposition (ALD) 방법으로 증착시킨 ZnO 기반의 박막물질들을 다양한 종류의 태양전지에서 TCO, Buffer Layer 등으로 활용하기 위한 노력이 최근 이루어지고 있다. 본 발표에서는 ALD를 이용한 ZnO 기반 박막물질들의 광전소자로의 적용을 위한 요구물성을 맞추기 위한 precursor/reactant의 selection을 포함한 공정 parameter가 박막의 물성에 미치는 영향 및 생산성 향상을 위한 ALD 공정장치 개발 예를 소개하고, 광전소자 특성에 미치는 영향을 살펴보았다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.726-732
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• 2007

ALD (atomic layer deposition)법을 이용하여 두께를 달리한 $10{\sim}50nm-TiO_{2-x}/quartz$ 구조의 UV 기능성 박막을 형성시켰다. 박막의 두께는 우선 $10nm-TiO_{2-x}$를 성막한 후 엘립소미터로 두께를 확인하였고 나머지 두께는 증착시간을 선형적으로 조절하여 완성하였다. $TiO_2$ 박막 두께에 따른 생성상과 파장대별 흡수도, 가시광선의 투과율을 각각 X선 회절기, UV-VIS-IR 분석기, 접사용 디지털 카메라를 써서 확인하였다. ALD 법으로 제조된 $TiO_{2-x}$는 벌크 $TiO_2$에 비해 비정질 (amorphous)이면서 비정량적인 $TiO_{2-x}$ 형태임을 확인하였다. 380 nm와 415 nm의 흡수단을 보여 $3.0{\sim}3.2eV$의 밴드갭을 가지는 기존의 벌크 $TiO_2$와는 달리, 제작된 $TiO_{2-x}$ 박막은 197 nm와 250 nm의 부근에서 흡수단을 보이는 특징이 있었다. 따라서 장파장대의 자외선을 차단하는 기능을 가진 기존의 벌크 $TiO_2$와는 달리 ALD로 제작된 나노급 $TiO_2$는 단파장대의 자외선을 흡수할 수 있는 기능성이 있었고, 아울러 가시광선대에서 우수한 투과도를 보였다. 새로이 제안된 ALD를 이용한 나노급 $TiO_{2-x}$ 박막은 가시광선의 투과도는 향상시키면서 단파장대의 자외선을 효과적으로 흡수하는 기능성을 가졌음을 확인하였다.