Fabrication possibility of low-shrinkage alumina without oxidation and wetting agent was presented on the basis of observation about oxidation behavior, microstructure and physical characteristics of such reaction agents free Al2O3-Al system. The composition less than Al 10w/o where Al can act as a sintering agent for Al2O3 was excluded. Under the condition of present experiments oxidation of Al2O3-Al system was dependent not on holding time but mainly on oxidation temperature. In thes case of Al powder not comminuted effectively during powder mixing of Al2O3-Al, columnar structure which would act as a hindrance to the densification during sintering developed more during oxidation with higher Al contents, and which made the fabrication of low-shrinkage Al2O3 ceramics impossible. If Al powder was comminuted effectively due to co-mixed Al2O3 characteristics, densification was improved because of no columnar structure and made the fabrication of sintered body with -2.7% dimensional change and 81% relative density possible. As a result, it is possible to fabricate dense low-shrinkage Al2O3 ceramics without oxidation and wetting agent under conditions such as smaller particle size of Al, Al contents below 50v/o, higher green density of Al2O3-Al compact and the use of Al2O3 powder used for high-density ceramics.
Cl-based gas chemistry is generally used to etching for al alloy metallization. After the etching of Al alloy with Cl-based gas plasma, residual chlorine on Al alloy reacts with H$_{2}$O due to air exposure and results in Al corrosion. In this study, the corrosion phenomena of Al wer examined with XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (scanning electorn microscopy). It was confirmed that chlorine mainly existed at the grian boundary of Al alloy after plasma etching of Al alloy with cl-based gas chemistry and Al corrosion was largely generated at the grain boundary of Al alloy. And residual chlorine was passivated by sulfur and fluorine which were generated by SF$_{6}$ plasma. These effects of passivation reduced the Al corrosion due to air exposure.
전자빔 증착을 이용하여 알루미늄(Al)과 마그네슘(Mg)의 2층 구조를 갖는 박막을 강판 위에 코팅한 후 열처리를 실시하여 박막의 미세구조 변화와 합금상을 관찰하고 Al-Mg 코팅 강판의 내부식 특성을 평가하였다. 이를 통해서 Al-Mg 박막의 미세구조와 합금상이 Al-Mg 코팅 강판의 내부식 특성에 미치는 영향을 확인하였다. Al-Mg 박막의 조성은 Al 박막과 Mg 박막의 두께 변화를 이용하여 조절하였으며 Al-Mg 박막의 두께비는 각각 1:1(Al:Mg), 2:1, 5:1 이었다. 열처리 온도는 $400^{\circ}C$, 열처리 시간은 2, 3, 10분 이었다. Al-Mg 코팅 강판은 열처리를 실시하면 주상구조에서 치밀한 구조로 변화하였으며 Al-Mg 합금상이 생성되었으며 합금상은 $Al_3Mg_2$와 $Al_{12}Mg_{17} $ 이었다. 이러한 합금상의 생성으로 Al-Mg 박막의 미세구조가 변화하고 Al-Mg 코팅 강판의 내식성에도 영향을 미친 것으로 판단된다.
This paper describes an experimental study on ultrasonic welding of similar and dissimilar metals. There are optimum welding conditions which are found for welding of Al/Al and Al/Cu. It evaluated weldability using tensile test, SEM observation and EDX-ray analysis. Both ultrasonic welding of Al/Al and Al/Cu have amplitude as the variable factor. Al/Cu welding was examined again with welding time as variable factor to find the best conditions. The more welding time or amplitude increase, the better weldability. The optimum conditions for ultrasonic welding of Al/Al were formed at pressure 0.25 MPa, welding time 0.25 sec, amplitude 90%. Pressure 0.25 MPa, welding time 0.4 sec, amplitude 80% are optimized for Al/Cu ultrasonic metal welding and solid-state diffusion generated by ultrasonic vibration and frictional heat is confirmed at the welded interface.
먼저 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 사파이어 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. AlN 공급원으로는 분말소결된 AlN 타겟을 적용하였다. 플라즈마 파워를 50에서 110 W로 증가시켰을 때 AlN 층의 두께는 선형적으로 증가하였다. 그러나 동작압력을 3에서 10 mTorr로 증가시켰을 때는 동작기체인 아르곤 양이 증가함에 따라 AlN 타겟으로부터 스퍼터링되어 나온 AlN 입자들의 평균자유행정의 거리가 감소하기 때문에 AlN 층의 두께는 약간 감소하였다. 질소 기체를 아르곤과 섞어주었을 때는 질소의 낮은 스퍼터링 효율에 의해서 AlN의 두께는 크게 감소하였다. 다음으로는 ZnO 형판 위에 AlN를 증착하였다. 그러나 700도 이상의 열처리에 의해서 AlN와 ZnO의 계면이 약간 분리되어 계면의 열적 안정성이 낮다는 결과를 얻었다. 게다가 스퍼터링으로 증착한 AlN 박막의 나쁜 결정성으로 인하여 700도에서 MOCVD의 반응기 기체인 수소와 암모니아에 의해서 AlN 밑의 ZnO 층이 분해되는 현상도 관찰하였다. 그리고 900도 이상에서는 ZnO가 완전히 분해되어 AlN 박막이 완전히 분리되었다.
TiAlN films were deposited on WC-5Co substrates with different buffer layers by D.C. magnetron sputtering. The films were evaluated by microstructural observations and measuring of preferred orientation, hardness value, and adhesion force. As a process variable, various buffer layers were used such as TiAlN single layer, TiAlN/TiAl, TiAlN/TiN and TiAlN/CrN. TiAlN coating layer showed columnar structures which grew up at a right angle to the substrates. The thickness of the TiAlN coating layer was about $1.8{\mu}m$, which was formed for 200 minutes at $300^{\circ}$. XRD analysis showed that the preferred orientation of TiAlN layer with TiN buffer layer was (111) and (200), and the specimens of TiAlN/TiAl, TiAlN/CrN, TiAlN single layer have preferred orientation of (111), respectively. TiAlN single layer and TiAlN/TiAl showed good adhesion properties, showing an over 80N adhesion force, while TiAlN/TiN film showed approximately 13N and the TiAlN/CrN was the worst case, in which the layer was destroyed because of high internal residual stress. The value of micro vickers hardness of the TiAlN single layer, TiAlN/TiAl and TiAlN/TiN layers were 2711, 2548 and 2461 Hv, respectively.
3원계 Al-Nb-Zr의 용응 합금을 스프렛 ?봬?(splat-quenching) 방법을 이용하여 급속냉각응고 한 후, 응고된 시편을 698K에서 200시간까지 열처리하여 상전이를 연구하였다. 급속응고 및 열처리된 시편의 미세구조는 X-선 회절 및 투과전자 현미경으로 분석하였다. Al-1.95Nb-0.65Zr, Al-1.3Nb-1.3Zr, 및 Al-0.65Nb-1.95Zr (at%) 3원 합금계를 연구하였다. 각 합금의 조성은 Vegard's 법칙을 적용하여 Al(${\alpha}$)의 기지조직과 $L1_2-Al_3(Nb,Zr)$의 석출상들이 정합을 이루도록 선택되었다. 급속응고된 후 각 합금은 과고용된 Al(${\alpha}$)의 고용상을 형성하였다. Al-1.3Nb-1.3Zr, 및 Al-0.65Nb-1.95Zr의 급속응고된 상태의 시편을 698K에서 열처리하여 알루미늄 기지와 정합의 계면을 갖는 $L1_2-Al_3(Nb_{0.5}Zr_{0.5})$와 $L1_2-Al_3(Nb_{0.25}Zr_{0.75})$의 상을 각각 석출하였다. 반면 Al-1.95Nb-0.65Zr 합금은 평형상인 $D0_{22}-Al_3(Nb_{0.75}Zr_{0.25})$ 상을 석출하였다. 준안정상의 정합 $Al_3(Nb,Zr)$ 미세 분산상 석출은 입자의 조대화를 억제하고 재료의 고온 강도를 증가될 것으로 사료된다.
Al6061 and Sus304 materials are bonded by using thermal bonding technology. Al6061, Sus304 and thermal bonded Al6061/Al6061 and Al6061/Sus304 materials are characterized by using mechanical and electrical measurement. Especially the experimental characteristic data of thermal bonded Al6061/Al6061 and Al6061/Sus304 are not well known until today. We have investigated on Al6061, Sus304 and thermal bonded material. The thermal bonded material Al6061/Al6061 and Al6061/Sus304 can be used for the LCD frame and the other electrical products. For the future, we expect that the more various experiments should be needed to carry out for the data accumulation in the bonded new materials.
The microstructure and tensile properties of Al-Mn/Al-Si hybrid aluminum alloys prepared by electromagnetic duocasting were investigated. Only the Al-Mn alloy showed the typical cast microstructure of columnar and equiaxed crystals. The primary dendrites and eutectic structure were clearly observed in the Al-Si alloy. There existed a macro-interface of Al-Mn/Al-Si alloys in the hybrid aluminum alloys. The macro-interface was well bonded, and the growth of primary dendrites in Al-Si alloy occurred from the macro-interface. The Al-Mn/Al-Si hybrid aluminum alloys with a well-bonded macro-interface showed excellent tensile strength and 0.2% proof stress, both of which are comparable to those values for binary Al-Mn alloy, indicating that the strength is preferentially dominated by the deformation of the Al-Mn alloy side. However, the degree of elongation was between that of binary Al-Mn and Al-Si alloys. The Al-Mn/Al-Si hybrid aluminum alloys were fractured on the Al-Mn alloy side. This was considered to have resulted from the limited deformation in the Al-Mn alloy side, which led to relatively low elongation compared to the binary Al-Mn alloy.
Fe-28%Al($Fe_3Al$)과 Fe-28%Al-4%Cr($Fe_3Al-4Cr$) 금속간화합물을 대기중 1073, 1273, 1473k의 온도에서 최고 17일까지 장시간 산화시켰다. $Fe_3Al-4Cr$의 산화저항은 근본적으로 $Fe_3Al$과 거의 비슷하거나, 약간 우수하였다. $Fe_3Al$ 위에 형성된 산화물은 거의 순수한 ${\alpha}-AL_2O_3$로만 구성되어 있었으며, $Fe_3Al-4Cr$ 위에 형성된 산화물은 약간의 Fe와 Cr 이온이 고용된 ${\alpha}-AL_2O_3$로 구성되어 있었다. 외부산화막을 형성하기 위해 모재원소의 외부확산에 의해 산화물-모재 계면에는 Kirkendall 기공이 존재하였다. $Fe_3Al(-4Cr)$ 표면에 형성된 산화막은 1273k가지는 비교적 얇고 치밀하였으나, 1473k에서 산화막의 박리와 함께 상대적으로 큰 무게증가가 발생하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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