• 한국미생물·생명공학회지
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• 제17권5호
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• pp.494-498
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• 1989

AIDS 환자의 치명적인 2차 감염을 유발하는 Cryptosporidium parvum 의 Infective stage 인 sporozoites의 단일군 항체를 분리하였다. Oocysts를 효소처리하여 sporozoites를 excystation시킨 후 Isopycnic percoll gradients를 이용하여 sporozoites를 순수분리한 후 단일군 항체 생산을 위한 항원으로 사용하였다. 두 달된 BALB/c 쥐를 immunize한 후 splenocytes와 P3-X63-Ag8 myeloma cells를 융합시킨 후 hybridoma 기술을 이용해 Kor1(IgGl), Ea2(Ig2a) 두 clones을 분리하였으며 정제된 sporozoites를 SDS-PAGE로 분리한 후 Western blot을 이용하여 단일군 항체 Kor1과 Ea2는 20,000 daltons 크기의 항원을 인식하였다. Immunofluorescent assay에서 단일군 항체가 sporozoites 표면에 반응하는 것으로 보아 20-kDa 단백질 항원은 sporozoites 표면에 위치하는 항원으로 밝혀졌으며 C. parvum에 감염되었을 때 항체생성에 관여하는 중요 항원 중 하나일 것으로 추정되었다.

• Journal of Magnetics
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• 제4권3호
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• pp.102-106
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• 1999

Ce exhibits the intermediate valence (IV) state both as an element and in its compounds. In the present review characteristic behavior of the materials showing the IV state are described. Then the methods of producing this state : the application of the external pressure, temperature and magnetic field as well as the alloying are being discussed. An identification of the IV state is frequently not a simple goal and the best results can be obtained using a combination of various independent methods. Particular attention is paid to the X-ray spectroscopy, lattice parameters and the magnetic properties. As the examples of the IV state in the Ce compounds the properties of following materials are reported : CeRhSb, $CeCu_5In_7, CeAg_6In_6, Sc_{1-x}Ce_xFe_4Al_8 $and for comparison Sc1-xYbxFe4Al8.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1299-1300
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• 2007

In this study, low temperature sintering property of (1-x)$TiTe_{3}O_{8}-xMgTiO_{3}$ ceramics were investigated for LTCC application which enable to cofiring with Ag electrode. $TiTe_{3}O_{8}$ mixed with $MgTiO_3$ to improve the temperature property. In the X-ray diffraction patterns, the columbite structure of $TiTe_{3}O_{8}$ phase and ilmenite structure of $MgTiO_3$ phase were coexisted in all specimens. The bulk densities and dielectric constants were decreased with increasing of $MgTiO_3$. However, the quality factors were increased with $MgTiO_3$ addition. Also, TCRF was shifted to negative(-) direction. Microwave dielectric properties of (1-x)$TiTe_{3}O_{8}-xMgTiO_{3}$ ceramics had similar tendency with calculated value by the mixing rule. The dielectric constant, quality factor and TCRF of $05TiTe_{3}O_{8}-0.5MgTiO_{3}$ ceramics sintered at $830^{\circ}C$ for 3h. were 26.19, 43,290GHz and $-3.9ppm/^{\circ}C$, respectively.

• 한국결정학회지
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• 제12권4호
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• pp.197-206
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• 2001

수평 전기로에서 AgInS₂ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 AgInS₂ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. AgInS₂ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 680℃, 기판의 온도 410℃였고 성장 속도는 0.5㎛/hr였다. AgInS₂ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence)스펙트럼이 597.8 nm(2.0741 eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 박폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.35×10/sup 16/㎤, 294㎠/V·s 였다. AgInS₂ /SI(SEmi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamiltopn matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.1541eV이며 spin-orbit Δso 값은 0.0129eV임을 확인하였다. 10K일때 광전류 봉우리들은 n=1 일때 A₁-, B-₁와 C₁-exction 봉우림을 알았다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권3호
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• pp.23-30
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• 2004

무연솔더 $Sn0.7wt{\%}Cu,\;Sn3.8wt{\%}Ag0.7wt{\%}Cu$ 솔더와 Pt층의 시효처리에 따른 계면반응에 대한 연구를 수행하였다. $250^{\circ}C$에서 30 초간 리플로한 $Sn3.8wt{\%}Ag0.7wt{\%}Cu/Pt$시편과, $260^{\circ}C$에서 30초간 리플로한 $Sn0.7wt{\%}Cu/Pt$ 시편을 이용하여 125, 150, $170^{\circ}C$에서 25-121 시간동안시효처리 하였다. 시효처리 온도와 시간에 따른 계면 금속간화합물의 두께 및 형상변화를 주사전자현미경 (scanning electron microscopy, SEM), energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS) 및 x-ray diffractometry (XRD)를 이용하여 분석하였다. 분석 결과 계면에서 $PtSn_4,\;PtSn_2$가 발견되었고, 이런 금속간화합물 성장은 확산에 의해 지배됨을 발견하였다. 시효처리 온도와 시간에 따른 금속간화합물의 두께 변화를 이용하여 각 솔더에서의 계면 금속간화합물의 생성 활성화 에너지를 구해본 결과 $Sn3.8wt{\%}Ag0.7wt{\%}Cu/Pt$는 145.3 kJ/mol, $Sn0.7wt{\%}Cu/Pt$는 165.1 kJ/mol의 값을 가지고 있었다.

• 원예과학기술지
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• 제16권4호
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• pp.533-536
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• 1998

장미전용 전처리제의 개발을 목적으로 절화장미 'Red Sandra'를 공시하여, 계면활성제(Tween 20, Triton X-100, PLE), 살균제(aluminum sulfate, $AgNO_3$, dichloroisocyanuric acid, STS, benzalkonium chloride, 8-hydroxyquinoline sulfate), sucrose, 그리고 ABA와 kinetin의 전처리가 절화수명 및 품질에 미치는 영향을 조사하였다. 계면활성제의 효과는 Tween 20의 50 및 100ppm이 청변화 지연에, PLE 500ppm이 위조제에 좋은 것으로 나타났으나 증류수 대조구와의 비교시 통계적 유의성은 없는 것으로 나타났다. 처리된 살균제 중에서는 $AgNO_3$가 청변화 및 위조억제에 가장 효과가 좋았고, 농도에 관계없이 그 효과가 나타난 반면, STS처리는 1mM 처리에서만 화판위조를 지연시키는 효과를 나타내었다. 한편, sucrose는 5% 용액만이 청변화, 위조억제 및 꽃목굽음에 좋은 효과를 나타내었으나, aluminum sulfate 500ppm과의 비교시 통계적 유의성은 없었다. ABA와 kinetin의 단용 또는 혼용처리는 절화수명을 오히려 단축시키는 결과를 보였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제14권5호
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• pp.603-610
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• 1993

The crystal structure of dehydrated $Ag_{5.6}K_{6.4}-A$, zeolite A ion-exchanged with $K^+\;and\;Ag^+$ as indicated and dehydrated at 360$^{\circ}$C, has been determined by single-crystal X-ray diffraction techniques. Also determined were the structures of the products of the reactions of this zeolite with 0.1 Torr of Cs vapor at 250$^{\circ}$C for 48 h and 72 h, and with 0.1 Torr of Rb vapor at 250$^{\circ}$C for 24 h. The structures were solved and refined in the cubic space group Pm3m at 21(l)$^{\circ}$C (a= 12.255(l) ${\AA}$ , 12.367(l) ${\AA}$, 12.350(l) ${\AA}$, and 12.263(l) ${\AA}$, respectively). Dehydrated $Ag_{5.6}K_{6.4}$-A was refined to the final error indices $R_1= 0.044\;and\;R_2=0.037$ with 202 reflections for which I>3${\sigma}$(I). The crystal structures of the reaction products were refined to $R_1=0.087\;and\;R_2= 0.089$ with 157 reflections, $R_1=0.080\;and\;R_2= 0.087$ with 161 reflections, and $R_1= 0.071\;and\;R_2=0.061$ with 88 reflections, respectively. In the structure of $Ag_{5.6}K_{6.4}-A,\;K^+$ ions block all 8-oxygen rings, and one reduced Ag atom is found per sodalite cavity. Also, ca. 4.6 $Ag^+ ions\;and\;3.4 K^+ ions$ are found at 6-ring sites in the large cavity. The crystal structures of the reaction products show that all $K^+$ and $Ag^+$ ions have been reduced, and that all K^+$ atoms have left the zeolite. Cs or Rb species are found at three different crystallographic sites: 3.0 $Cs^+\;or\;3.0Rb^+$ ions per unit cell occupy 8-ring centers, ca. 8.0 $Cs^+ ions\;or\;5.7 Rb^+$ ions, are found on threefold axes opposite 6-rings deep in the large cavity, and ca. 2.5 $Cs^+\;or\;2.3 Rb^+ ions are found on threefold axes in the sodalite unit. Also, 1 $Rb^+$ ion lies opposite a 4-ring. Silver atoms, corresponding to 75% or 40% occupancy of hexasilver clusters stabilized by coordination to $Cs^+\;or\;Rb^+$ ions, are found at the centers of the large cavities. In the crystal structures of dehydrated Ag_{5.6}K_{6.4}-A$ reacted with Cs vapor, excess Cs atoms are absorbed and these form (locally) cationic clusters such as $(Cs_4)3^+\;and\;(Cs_6)4^+$.

• 센서학회지
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• 제15권6호
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• pp.397-405
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• 2006

Single crystal $AgGaSe_{2}$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $420^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $AgGaSe_{2}$ source at $630^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $AgGaSe_{2}$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $4.05{\times}10^{16}/cm^{3}$, $139cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgGaSe_{2}$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$=1.9501 eV-($8.79{\times}10^{-4}{\;}eV/K)T^{2}$/(T+250 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $AgGaSe_{2}$ have been estimated to be 0.3132 eV and 0.3725 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}So$ definitely exists in the ${\Gamma}_{5}$ states of the valence band of the $AgGaSe_{2}$. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1}-$, $B_{1}-$, and $C_{1}-$exciton peaks for n=1.

• 한국인쇄학회지
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• 제8권1호
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• pp.21-53
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• 1990

In analysing the Image quality, one of the most important things to be considered is the granularity at a given emulsion speed. To enhance the image quality, the granularity should be lowered by the suitable methods, such as controlling the design of emulsion, grain size and structure, the distribution state of grains in the emulsion, etc. In this paper, the relations between the AgX grain structure and granularity are studied as a way of lowering granularity. According to the results, it is found that the grain structure is a very important factor for determining the granularity characteristics.istics.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제10권1호
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• pp.14-28
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• 1985

고순도 물질의 $K_{\alpha}$형광 X-선을 이용하여 100 keV 이하에서의 단색 Photon 선원을 개발하였다. 단색 Photon은 방사선 측정기기의 교정에 매우 유용한 것으로 얇은 금속박막의 Radiator에 제동복사선을 조사하여 얻을 수 있다. 본 실험에서는 $_{47}Ag,\;_{50}Sn,\;_{68}Er,\;_{70}Yb,\;_{82}Pb$, 등의 Radiator를 사용하여 20 keV 에서 80 keV의 범위에서 단색 Photon을 얻어내어 고순도 HpGe LEPS로 0.64-0.94에 이르는 단색도를 얻어내었고 600cc 얇은창이온전리함을 사용하여 8.3mR/h 에서 232. 5mR/h에 이르는 선량률을 얻어 내였다.