The protection effect of a $ZrO_2$ coating layer on a $LiCoO_2$ thin film was characterized. A wide and smooth $LiCoO_2$ thin film offers sufficient opportunity for careful observation of the reaction at the interface between cathode (coated and uncoated) and electrolyte. The formation of a $ZrO_2$ coating on a $LiCoO_2$ thin film was confirmed by secondary ion mass spectrometry. Scanning electron and atomic force microscopy were used to characterize the surface morphologies of coated and uncoated films before and after cycling. A $ZrO_2$-coated $LiCoO_2$ film showed a higher discharge capacity and rate capability than an uncoated film. This may be associated with a surface protection effect of the coating. The surface of a pristine film was damaged during cycling, whereas the coated film maintained a relatively clear surface under the same measurement conditions. This result clearly demonstrates the protection effect of a $ZrO_2$ coating on a $LiCoO_2$ thin film.
This paper is reported for the stability of ZnO-$Pr_{6}O_{11}-CoO-Er_{2}O_{3}$ based ceramic varistors with $Er_{2}O_{3}$ added in the addition range 0.0 to 2.0 mol%. The varistors sintered at $130^{\circ}C$ exhibited abrupt positive current creep phenomena, which accompany thermal run away within short times, even under weak d.c. stress. As a result, these varistors were completely degraded. On the contrary, the stability of varistors sintered at $1350^{\circ}C$ was far better than that of $1300^{\circ}C$. In particular, the varistor containing 0.5 mol% $Er_{2}O_{3}$ showed a excellent stability, which the variation rate of the varistor voltage, the nonlinear coefficient, and leakage current is below 1%, 2%, and 3.5%, respectively, even under more severe d.c. stress, such as ($0.8V_{1mA}/90^{\circ}C/12h$) + ($0.85V_{1mA}/115^{\circ}C/12h$) + ($0.9V_{1mA}/120^{\circ}C/12h$) + ($0.9V_{1mA}/150^{\circ}C/12h$). Consequently, it is estimated that the basic composition of ZnO-$Pr_{6}O_{11}-CoO-Er_{2}O_{3}$ based varistor contain 0.5 mol% $Er_{2}O_{3}$ will be used to the fabrication of the varistors for high performance and stability in a forthcoming.
Vanadium oxides supported on zirconia and modified with MoO₃were prepared by adding Zr(OH)₄powder into a mixed aqueous solution of ammonium metavanadate and ammonium molybdate followed by drying and calcining at high temperatures. The characterization of prepared catalysts was performed using FTIR, Raman spectroscopy and solid-state $^{51}V$ NMR. In the case of a calcination temperature of 773 K, for samples containing low loading of $V_2O_5$, below 15 wt %, vanadium oxide was in a highly dispersed state, while for samples containing high loading of $V_2O_5$, equal to or above 15 wt %, vanadium oxide was well crystallized because the $V_2O_5$ loading exceeded the formation of a monolayer on the surface of $ZrO_2$. The $ZrV_2O_7$ compound was formed through the reaction of $V_2O_5\;and\;ZrO_2$ at 873 K and the compound decomposed into $V_2O_5\;and\;ZrO_2$ at 1073 K, which were confirmed by FTIR spectroscopy and solid-state $^{51}V$ NMR. IR spectroscopic studies of ammonia adsorbed on $V_2O_5-MoO_3/ZrO_2$ showed the presence of both Lewis and Bronsted acids.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.51
no.9
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pp.417-422
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2002
ZnO thin films were deposited on various substrates, such as Si-(111), SiO$_2$(5000 $\AA$ by thermal CVD)/Si-(100), and SiO$_2$(2000 $\AA$ by RF sputtering)/Si-(100). The (002)-orientation, surface morphology and roughness, and electrical resistivity of deposited films were measured and compared in terms of substrate. Surface acoustic wave(SAW) filters with a multilayered configuration of IDT/ZnO/SiO$_2$/Si were also fabricated and the IDT was obtained using a lift-off method. From the frequency-response characteristics of fabricated devices, the insertion loss and side-lobe rejection were estimated. The experimental results showed that the (002)-oriented growth nature of ZnO films, which played a crucial role of determining the characteristic of SAW device, was strong1y dependent upon the SiO$_2$buffer.
$TiO_2-SiO_2-In_2O_3$ nanocomposite thin film was deposited on the glass substrates using a dip coating technique. The morphology, surface composition, surface hydroxyl groups, photocatalytic activity and hydrophilic properties of the thin film were investigated by AFM, XPS, methyl orange decoloring rate and water contact angle measurements. The hydroxyl content for $TiO_2$, $TiO_2-SiO_2$ and $TiO_2-SiO_2-In_2O_3$ nanocomposite films was calculated to be 11.6, 17.1 and 20.7%, respectively. $TiO_2-SiO_2-In_2O_3$ film turned superhydrophilic after 180-min irradiation with respect to pure $TiO_2$ and $TiO_2-SiO_2$ thin films. The photocatalytic decomposition of methyl orange for $TiO_2$, $TiO_2-SiO_2$ and $TiO_2-SiO_2-In_2O_3$ thin films was measured as 38.19, 58.71 and 68.02%, respectively. The results indicated that $SiO_2$ and $In_2O_3$ had a significant effect on the hydrophilic, photocatalytic and self-cleaning properties of $TiO_2$ thin film.
Jeong, Gyu Jin;Kim, Jin Ho;Lee, Younki;Hwang, Jonghee;Toda, Kenji;Bae, Byoungseo;Kim, Sun Woog
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.2
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pp.47-54
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2020
To develop the bright-vivid red- and yellow-inorganic fluorescent pigments with high luminescence properties, A3V5O14 (A = K and Rb) and Cs2V4O11 inorganic pigments were synthesized by a water assisted solid state reaction (WASSR) method and a conventional solid state reaction method. Although impurity peaks corresponding to the AVO3 and AV3O8 (A = K, Rb, and Cs) were observed in all samples prepared, the trigonal structure A3V5O14 (A = K and Rb) and orthorhombic structure Cs2V4O11 were successfully obtained as a main phase. These inorganic pigments showed the broad absorption band (under 550 nm) originated from CT transitions of VO4 polyhedron, and the strong broad red- and green-emission bands due to 3T2 → 1A1 and 3T1 → 1A1 transitions of the [VO4]3- group. The A3V5O14 (A = K and Rb) and Cs2V4O11 pigments showed a bright-vivid red- and yellow-body color, where the a* values of the A3V5O14 (A = K and Rb) were +35.5 and +45.9, respectively, and b* value of Cs2V4O11 pigments was +50.3. The L* values of the A3V5O14 (A = K and Rb) and Cs2V4O11 inorganic pigments were over +45. These results indicate that the A3V5O14 (A = K and Rb) and Cs2V4O11 inorganic pigments could be an attractive candidate as a bright-vivid red- and yellow inorganic pigments.
$La_{2}O_{3}-TiO_{2}-SiO_{2}$ glass, a type that could not obtained so far by the conventional melting method, was prepared successfully using a sol gel process. Glass derived with the sol-gel process has compositions of $5La_{2}O_{3}-5TiO_{2}-90SiO_{2},\;5La_{2}O_{3}-10TiO_{2}-85SiO_{2}$, and $5La_{2}O_{3}-20TiO_{2}75SiO_{2}$. The UV-visible absorption edge of all glass compositions was below 400 nm. The measured density is in the range of 2.55-2.89, and was nearly identical to the calculated density and the refractive index of the glasses derived from the sol-gel ranges from 1.545 to 1.645. The molar additive coefficient of $TiO_{2}$ measured in this ternary system is lower than the calculated value, while the value of $La_{2}O_{3}$ is higher.
The purpose of this paper is a investigation of sensing mechanism for the carbon monoxide gas in CuO infiltrated ZnO ceramics. Potential barriers between CuO and ZnO can explain the selective sensing of carbon monoxide gas in the physically contacted CuO/ZnO ceramics. A specimen having no potential barrier between CuO and ZnO was prepared to see whether the gas sensing mechanism is related to the potential barrier. CuO and ZnO was prepared to see whether the gas sensing mechanism is related to the potential barrier. CuO was painted on the non electrode sides of ZnO ceramics. The CuO painted ZnO ceramics showed that the sensitivityfor the carbon moxnoxide gas was 1.3 times as high as that for the hydrogen gas. It is almost same gas sensitivity as that of the CuO infiltrated ZnO ceramics.
Kim, Hyo-Jung;Kang, Sin-Bi;Na, Seok-In;Kim, Han-Ki
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.343-343
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2014
We reported on the electrical, optical, structural and morphological properties fabricated by co-sputtering for use as an anode for organic solar cells (OSCs). By adjusting RF and DC power of $MoO_3$ and IZO targets during co-sputtering, we fabricated the $MoO_3$-IZO electrode with graded content of the $MoO_3$ on the IZO films. At optimized $MoO_3$ thickness of 20 nm, the $MoO_3$ graded IZO electrode showed a higher mobility ($33cm^2/V-Sec$) than directly deposited $MoO_3$ on IZO film ($26cm^2/V-Sec$). At visible range (400nm~800nm), optical transmittance of the $MoO_3$ graded IZO electrode is higher than that of directly deposited $MoO_3$ on IZO film. High mobility of $MoO_3$ graded on IZO is attributed to less interface scattering between $MoO_3$ and IZO. To investigate the feasibility of $MoO_3$ graded IZO films, we fabricated conventional P3HT:PCBM based OSCs with $MoO_3$ graded IZO as a function of MoO3 thickness. The OSC fabricated on the $MoO_3$ graded IZO anode showed a fill factor of 66.53%, a short circuit current of $8.121mA/cm^2$, an open circuit voltage of 0.592 V, and a power conversion efficiency of 3.2% comparable to OSC fabricated on ITO anode and higher than directly deposited $MoO_3$ on IZO film. We suggested possible mechanism to explain the high performance of OSCs with a $MoO_3$ graded IZO.
$LaMnO_3$ and A site substituted $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$(a=$5.33\AA$, c=$13.27\AA$), B site substituted $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_3$(a=$5.52\AA$, c=$13.31\AA$) mixed oxides were prepared by Citrate sol-gel method. The powder X-ray diffraction patterns of these oxides were indexed with single phase hexagonal perovskite structures. According to the TRR result, oxygen stoichiometry of these oxides were oxidative nonstoichiometry as like $LaMnO_{3.16}$, $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_{3.10}$ and $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_{3.14}$ Reduction reactions of un-substituted $LaMnO_3$ was two steps, but specific site(A site of B site) partially substituted $LaMnO_3$ oxides were procees to three reactions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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