A CMOS direct-conversion mixer with a single transistor-level topology is proposed in this paper. Since the single transistor-level topology needs smaller supply voltage than the conventional Gilbert-cell topology, the proposed mixer structure is suitable for a low power and highly integrated RF system-on-a-chip (SoC). The proposed direct-conversion mixer is designed for the multi-band ultra-wideband (UWB) system covering from 3 to 7 GHz. The conversion gain and input P1dB of the mixer are about 3 dB and -10 dBm, respectively, with multi-band RF signals. The mixer consumes 4.3 mA under a 1.8 V supply voltage.
Proceedings of the Korea Institute of Convergence Signal Processing
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2005.11a
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pp.310-313
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2005
5GHz를 사용하고 최소6Mbps에서 최대 54Mbps까지 지원하는 IEEE 802.11a 무선 랜 에서는 데이터의 전송중에 발생하는 랜덤오류 및 연집오류의 정정을 위해서 길쌈부호기와 인터리버를 규정하고 있다. 길쌈부호기에서 다양하고 높은 데이터 전송율을 확보하기 위해서 변조방식과 전송율에 따라 높은 부호율을 얻기 위해 여러 개의 펑쳐링 기법을 사용해서 2/3와 3/4과 같은 높은 부호율이 얻어지도록 하고 있다. 펑쳐링을 거친 데이터는 Coding rate만큼의 비율로 데이터가 많아지고 이 데이터를 처리하기 위해서 가변클럭을 사용해야 한다. 가변클럭의 사용은 동기화 및 back-end 작업 시 여러 가지 문제를 발생시킨다. 본 논문에서 펑쳐링의 출력 비트를 바꾸고 인터리버에서 사용되는 메모리를 8x1의 메모리로 세분화 함으로써 Code rate에 상관없이 하나의 클럭으로 데이터의 병목현상을 처리 할 수 있다.
In this paper, we designed and fabricated the Electromagnetic(EM) wave absorber for an Electronic Toll Collection(ETC or Hi-pass) system by using Amorphous metal powder and CPE. The material properties and the absorption properties of the samples containing 50 wt.%, 60 wt.%, 70 wt.%, and 80 wt.% of Amorphous. Moreover, the EM wave absorption abilities were simulated for the different thicknesses of the EM absorbers by adopting the measured permittivity and permeability, and then the EM wave absorber was fabricated based on the simulated design values. As a result, the EM wave absorber with the composition of Amorphous metal powder : CPE = 50 : 50 wt.% with the thickness of 2.6 mm has excellent absorption ability more than 40 dB at 5.8 GHz.
The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.12
no.3
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pp.69-79
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2001
비동기 및 차세대 이동통신 시스템의 진화 과정 상에서 RF관련 규격들의 변화에 대해 알아보았고, 비동기 시스템의 RF부를 제작하는데 사용하게 될 RF 부품 기술 동향을 단말기와 기지국의 경우로 나 누어 분석하였다. 또한 차세대인 4세대 시스템 RF 부의 진화 전망에 대해 간단히 알아보았다. 시스템 이 진화할수록, 요구되는 데이터 처리 능력으로 인 해 채널 대역폭은 점점 넓어지고, 기존 시스템과의 상호 간섭 방지를 위해 일반적인 RF 관련 규격 중 방사 규격과 요구되는 선형성이 엄격해진다. 앞으로 의 RF 부품의 기술적 진화는 직접 변환 방식의 부 품 개발로 단말기의 소형화, 저가격화를 이를 것이 고, 동작 주파수 영역을 0.8~5 GHz대로 하기 위한 광대역화, 선형화가 요구될 것이다. 또한 4 세대 시스템에서는 기존의 주파수 이용 개념과 무선 전송 기술에 변화를 주게 될 SDR 기반의 다중모드/복합 다중 접속 기술을 적용하게 될 것으로 예상된다.
Dyadyuk, Val;Stokes, Leigh;Nikolic, Nasiha;Weily, Andrew R.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.10
no.3
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pp.138-145
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2010
In this paper, we report the test results of a small-scale prototype that implements an analogue-beam-formed phased antenna array in the E-band. A four-channel dual-conversion receive RF module for 71~76 GHz frequency band has been developed and integrated with a linear end-fire antenna array. Measured performance is very close to the simulated results. An ad-hoc wireless communication system has also been demonstrated. Low BER was measured for an 8PSK data stream at 1.5 Gbps with the receive array beam formed in the direction of arrival of the transmitted signal. To our knowledge this is the first steerable antenna array reported to date in the E-band.
The rectangular waveguide technique can be used to measure the complex permittivity of dielectric material of various thickness and cross section. This paper presents the analysis system of engine oil permittivity at which deterioration of engine oil is measured at the X-band(8-12.5 GHz). The middle of the rectangular waveguide has engine oil case and is connected with VNA(Vector Network Analyzer) for the measurement of the transmission$(S_{21})$ and reflection$(S_11)$ and then the permittivity is extracted. The deterioration of engine oil is proved by the comparison with both the extracted data and reference data. As the additional research, This paper suggest that an accurate permittivity is considered by not only the wave guide length but the air gap between oil case and the waveguide.
Kim, Min-Ho;Rhee, Kyong-Yop;Paik, Young-Nam;Jung, Dong-Ho;Kim, Hyeon-Ju
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.25
no.9
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pp.103-108
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2008
In-plane shear tests were performed to investigate the shear property change of FRP by plasma modification. Graphite/epoxy prepreg was used as a test material and plasma source was a microwave (2.4GHz) type. Plasma was induced by oxygen gas and its flow rate was kept $4{\sim}5$sccm with low vacuum state of $10^{-3}$ Torr. Prepreg was stacked unidirectionally ($[0^0]_8$) after plasma modification. Wettability was determined by measuring a contact angle. The results showed that the contact angle was decreased from $86^0$ to $45^0$ after plasma modification. Shear strength was also improved by ${\sim}10%$. SEM examination was made on the fracture surface and functional group produced by the plasma modification was investigated by XPS.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1993.11a
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pp.71-74
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1993
In this paper, the permeability(${\mu}$$\sub$r′/, ${\mu}$$\sub$r"/), permittivity($\varepsilon$$\sub$r′/, $\varepsilon$$\sub$r"/) and absorption properties of Ferroxplana/Rubber composites were investigated. The composite specimens were prepared by molding and curing the mixtures of matrix rubber and Ni$_2$Y ferroxplana powders which were synthesized by coprecipitated method. The permeability(${\mu}$$\sub$r′/) of specimen was decreased in the range of 8∼12.5(GHz) and the permeability(${\mu}$$\sub$r"/) and Permittivity($\varepsilon$$\sub$r′/, $\varepsilon$$\sub$r"/) were increased. The optimum thickness of electromagnetic wave absorber (F/R=4, 1,200($^{\circ}C$) ), utilizing the Smith chart, was about 3.0(mm). The Figure of Merit was 93(%).
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.5
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pp.11-17
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1998
In this paper, the synthesis procedufe of impedance matching network is presented for broad-band microwave amplifier design, whereby amplifier operating in the octave bandwidth is designed and fabricated in detail. The transfer function of the matching netowrks is synthesized by chebyshev approximation and element values for the networks of specified topology are calculatd for various MILs and ripples. After the transistor is modeled by negative-image device model, the synthesis procedure for matching networks is applied to broad-band amplifier design which has electrical performance of about 12dB gain in 4 to 8GHz range. Experimental results obtained from the fabricated amplifier are shown to approach the electrical performance designed in the given frequency range. Construction of the impedance matching networks by transfer function synthesis is very useful method for the design of broad-band microwave amplifiers.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.15
no.4
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pp.437-444
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2015
A high output power voltage controlled oscillator (VCO) in the U-band was implemented using a 65 nm CMOS process. The proposed VCO used a transmission line to increase output voltage swing and overcome the limitations of CMOS technologies. Two varactor banks were used for fine tuning with a 5% frequency tuning range. The proposed VCO showed small variation in output voltage and operated at 51.55-54.18 GHz. The measured phase noises were -51.53 dBc/Hz, -91.84 dBc/Hz, and -101.07 dBc/Hz at offset frequencies of 10 kHz, 1 MHz, and 10 MHz, respectively, with stable output power. The chip area, including the output buffer, is $0.16{\times}0.16mm^2$ and the maximum output power was -0.11 dBm. The power consumption was 33.4 mW with a supply voltage of 1.2-V. The measured $FOM_P$ was -190.8 dBc/Hz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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