• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권3호
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• pp.43-50
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• 2005

본 논문에서는 다운 디지털 회로(DLC)를 이용하여 4치 논리 게이트를 설계하였고, 이들 게이트를 이용하여 동기식 4치 up/down 카운터를 제안하였다. 제안된 카운터는 T-type 4치 플립플롭과 $2\times1$ 임계-t 멀티플렉서로 이루어져 있고, T-type 4치 플립플롭은 D-type 4치 플립플롭과 4치 논리 게이트들(모듈러-4 가산 게이트, 4치 인버터, 항등 셀, $4\times1$ 멀티플렉서)로 구성되어 있다. 이 카운터의 모의실험 결과는 10[ns]의 지연시간과 8.48[mW]의 전력소모를 보여준다. 또한 다치논리 회로로 설계된 카운터는 상호결선과 칩 면적의 감소뿐만 아니라 디지트 확장의 용이함의 이점을 가진다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권3호
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• pp.1-7
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• 2021

본 논문에서는 Bare-die Chip 형태의 Drive amplifier를 Ajinomoto Build-up Film (ABF)와 FR-4로 구성된 PCB에 내장함으로써 28 GHz 대역 모듈에서 적용될 수 있는 내장형 능동소자 모듈을 구현하였다. 내장형 모듈에 사용된 유전체 ABF는 유전율 3.2, 유전손실 0.016의 특성을 가지고 있으며, Cavity가 형성되어 Drive amplifier가 내장되는 FR4는 유전율 3.5, 유전손실 0.02의 특성을 가진다. 제안된 내장형 Drive amplifier는 총 2가지 구조로 공정하였으며 측정을 통해 각각의 S-Parameter특성을 확인하였다. 공정을 진행한 2가지 구조는 Bare-die Chip의 패드가 위를 향하는 Face-up 내장 구조와 Bare-die Chip의 패드가 아래를 향하는 Face-down내장 구조이다. 구현한 내장형 모듈은 Taconic 사의 TLY-5A(유전율 2.17, 유전손실 0.0002)를 이용한 테스트 보드에 실장 하여 측정을 진행하였다. Face-down 구조로 내장한 모듈은 Face-up 구조에 비해 Bare-die chip의 RF signal패드에서부터 형성된 패턴까지의 배선 길이가 짧아 이득 성능이 좋을 것이라 예상하였지만, Bare-die chip에 위치한 Ground가 Through via를 통해 접지되는 만큼 Drive amplifier에 Ground가 확보되지 않아 발진이 발생한다는 것을 확인하였다. 반면 Bare-die chip의 G round가 부착되는 PCB의 패턴에 직접적으로 접지되는 Face-up 구조는 25 GHz에서부터 30 GHz까지 약 10 dB 이상의 안정적인 이득 특성을 냈으며 목표주파수 대역인 28 GHz에서의 이득은 12.32 dB이다. Face-up 구조로 내장한 모듈의 출력 특성은 신호 발생기와 신호분석기를 사용하여 측정하였다. 신호 발생기의 입력전력(P_in)을 -10 dBm에서 20 dBm까지 인가하여 측정하였을 때, 구현한 내장형 모듈의 이득압축점(P_1dB)는 20.38 dB으로 특성을 확인할 수 있었다. 측정을 통해 본 논문에서 사용한 Drive amplifier와 같은 Bare-die chip을 PCB에 내장할 때 Ground 접지 방식에 따라 발진이 개선된다는 것을 검증하였으며, 이를 통해 Chip Face-up 구조로 Drive amplifier를 내장한 모듈은 밀리미터파 대역의 통신 모듈에 충분히 적용될 수 있을 것이라고 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.88-91
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• 2003

Tungsten is widely used as a plug for the multi-level interconnection structures. However, due to the poor adhesive properties of tungsten (W) on $SiO_2$ layer, the Ti/TiN barrier layer is usually deposited onto $SiO_2$ for increasing adhesion ability with W film. Generally, for the W-CMP (chemical mechanical polishing) process, the passivation layer on the tungsten surface during CMP plays an important role. In this paper, the effect of oxidants controlling the polishing selectivity of W/Ti/TiN layer were investigated. The alumina ($Al_2O_3$) abrasive containing slurry with $H_2O_2$ as the oxidizer, was studied. As our preliminary experimental results, very low removal rates were observed for the case of no-oxidant slurry. This low removal rate is only due to the mechanical abrasive force. However, for Ti and TiN with $H_2O_2$ oxidizer, different removal rate was observed. The removal mechanism of Ti during CMP is mainly due to mechanical abrasive, whereas for TiN, it is due to the formation of metastable soluble peroxide complex.

• 센서학회지
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• 제15권1호
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• pp.58-64
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• 2006

In this study, we describe a low-temperature wafer-level thermocompression bonding using electroplated gold seal line and bonding pads by electroplating method for RF-MEMS devices. Silicon wafers, electroplated with gold (Au), were completely bonded at $320^{\circ}C$ for 30 min at a pressure of 2.5 MPa. The through-hole interconnection between the packaged devices and external terminal did not need metal filling process and was made by gold films deposited on the sidewall of the throughhole. This process was low-cost and short in duration. Helium leak rate, which is measured to evaluate the reliability of bonded wafers, was $2.7{\pm}0.614{\times}10^{-10}Pam^{3}/s$. The insertion loss of the CPW packaged was $-0.069{\sim}-0.085\;dB$. The difference of the insertion loss between the unpackaged and packaged CPW was less than -0.03. These values show very good RF characteristics of the packaging. Therefore, gold thermocompression bonding can be applied to high quality hermetic wafer level packaging of RF-MEMS devices.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권4호
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• pp.42-45
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• 2018

As The semiconductor decrease from 10 nanometer to 7 nanometer, It is suggested that "More than Moore" is needed to follow Moore's Law, which has been a guide for the semiconductor industry. Fan-Out Wafer Level Package(FOWLP) is considered as the key to "More than Moore" to lead the next generation in semiconductors, and the reasons are as follows. the fan-out WLP does not require a substrate, unlike conventional wire bonding and flip-chip bonding packages. As a result, the thickness of the package reduces, and the interconnection becomes shorter. It is easy to increase the number of I / Os and apply it to the multi-layered 3D package. However, FOWLP has many issues that need to be resolved in order for mass production to become feasible. One of the most critical problem is the warpage problem in a process. Due to the nature of the FOWLP structure, the RDL is wired to multiple layers. The warpage problem arises when a new RDL layer is created. It occurs because the solder ball reflow process is exposed to high temperatures for long periods of time, which may cause cracks inside the package. For this reason, we have studied warpage in the FOWLP structure using commercial simulation software through the implementation of the reflow process. Simulation was performed to reproduce the experiment of products of molding compound company. Young's modulus and poisson's ratio were found to be influenced by the order of influence of the factors affecting the distortion. We confirmed that the lower young's modulus and poisson's ratio, the lower warpage.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.345-354
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• 2024

본 논문에서는 WLAN 시스템에 활용 할수 있도록 DGS를 적용하여 삼중대역 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 두 개의 스트립 선로와 접지면에 세 개의 영역을 삽입하여 요구하는 주파수 대역과 반사손실 특성을 얻었다. 제안된 안테나는 22.0 mm(W) × 54.9 mm(L1)의 크기와 두께(h) 1.6 mm, 그리고 비유전율이 4.4인 FR-4 기판 위에 22 mm(W₆+W₄+W₅) × 43 mm(L₁+L₂+L₃+L₅)의 크기로 설계되었다. 제작 및 측정결과로부터, -10dB 기준으로 900 MHz 900 MHz 대역에서 108 MHz (0.908~1.016 GHz), 2.4 GHz 대역에서 360 MHz (2.276~2.636 GHz), 그리고 5.0/6.0 GHz 대역에서 2,484 MHz (4.904~7.388 GHz)의 대역폭을 얻었다. 또한 요구되는 주파수 삼중대역에서 이득과 방사패턴 특성을 측정하여 나타내었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.601-608
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• 2018

공공기관 개인정보보호에 관한 법률이 제정되고 개정 되는 단계를 거치는 동안 정보보안에 관한 지침과 법률은 특정 기관에 중점적으로 반영되고 수축 및 실현되고 있었다. 상호 법률과 지침은 거시적인 정보라는 자산과 개인 식별정보라는 자산에 대한 상호 다른 매체정보에 대한 보안을 목적으로 이원화 되어 적용되고 실현되어 왔다. 그러나 2017년 4차 산업혁명에 대한 정의와 방향 그리고 21세기 최고의 안전선을 확보하는 보안에 대한 다양한 제품과 솔루션 그리고 이런 모든 분야를 아우르는 제3의 기술을 제시하기 위해 IOT(: Internet of Things), ICT(Internet of Things), ICT Cloud, AI(: Artificial Intelligence) 등 마치 장난감 플라스틱 인형을 주물로 마구 만들어내 듯이 보안 시장에 쏟아져 들어오고 있는 상황이다. 이때 과거와는 다른 보안상의 범주에 두 가지 중요 영역에 준하는 정보보안과 개인정보보안 이라는 이원화된 물리적, 관리적, 논리적, 심리적 차이를 보이는 보안에 대한 상호연계성 보장과 통합적 관리 및 기술적용을 위한 보안성 증대에 대한 필요성이 대두되어짐에 따라 두 경우의 상호관계를 분석하고 이를 제안된 연구결과에 적용함으로써 최적의 보안성을 확보하는 연구를 하고자 한다.