실리카 유리에 3가 이온 희토류 원소인 $Eu^{3+}$, $Sm^{3+}$, $Tb^{3+}$를 첨가한 경우의 분광특성 변화를 연구하였다. 유리시료의 분광특성은 회토류를 첨가한 경우의 파장영역에 따른 흡수 및 발광파장의 변화를 관찰하였으며, 희토류 함량을 1-10wt%까지 첨가하여 함량변화에 따른 형광세기 변화를 조사하였다. 형광특성 측정 결과 희토류 원소의 함량이 10wt%까지 형광세기는 함량에 비례하여 계속 증가하였으며, 시료의 형광특성을 상온에서 관측한 결과 400-500nm사이에서 가장 많은 빛을 흡수하여 가시광선 영역인 600nm부근에서 방출되는 형광세기가 가장 크게 나타났다. 이때 방출되는 희토류 원소들은 $Eu^{3+}$의 경우 $^{5}D_{o}$ -> ^{7}F$. $Sm^{3+}$ 은 $4F_{5/2}$ -> $^{6}H$, $Tb^{3+}$은 $^{5}D_{4}$ -> ^{7}F$의 전이임일 알 수 있었다.
스컬용융법으로 큐빅지르코니아(YSZ) 단결정들($ZrO_2$: $Y_2O_3$= 80 : 20, 70 : 30, 60 : 40, 50 : 50 wt%, $Co_3O_4$: 0.8wt%, $CeO_2$: 0.4wt%)을 성장시켜 $N_2$ 분위기 $1000^{\circ}C$에서 5시간 동안 열처리 하였다. 오랜지색, 황갈색 또는 갈색의 단결정들은 각각 갈적색, 황색 또는 녹색으로 변화되었다. 열처리 전 후의 YSZ 단결정들은 직경 6.5, 두께 2 mm의 웨이퍼로 연마 하였다. 각 시편의 광학적 또는 구조적 특성은 UV-VIS 분광광도계와 XRD(X-ray diffraction)로 분석하였으며, $Ce^{3+}(^2F_{5/2,7/2}(4f){\rightarrow}^2T_g(5d^1))$, $Co^{2+}(^4A_2(^4F){\rightarrow}^4T_1(^4F)$ 또는 $^4T_1(^4P))$ 및 $Co^{3+}$에 의한 흡수, 이온화에너지 및 격자상수 변화를 확인하였다.
본 연구에서는 높은 용융점과 유리 전이 온도를 갖는 PBO의 구조 변화를 통해 가공성을 향상시키고자 한다. 일련의 방향족 poly(o-hydroxyamide)s(PHAs)가 3,3'-dihydroxybenzidine과 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane을 포함하는 두 타입의 bis(o-amino-phenol)s과 diimide 단위를 갖는 이염기산들과의 직접 중축합에 의해서 합성되었다. PHAs의 특성은 FT-IR, $^1H$-NMR, DSC, TGA 등을 이용하여 조사하였다. PHAs 고유 점도는 $35^{\circ}C$ 의 DMAc 용액에서 측정하였으며 0.34~0.75 dL/g의 값을 보였다. o-phenylene 단위가 도입된 PHA 1과 6F-PHA 1은 NMP 등 비양자성 용매에 잘 용해되었지만, p-phenylene 단위가 도입된 PHA 3은 LiCl의 첨가에도 완전히 용해되지 않았다. 6F-PHAs은 6F-PHA 3을 제외하고 실온에서 비양자성 용매에 잘 용해되었고, PHAs 보다 더 좋은 용해도를 보였다. PBOs은 황산에 부분적으로 용해될 뿐 다른 용매에는 전혀 용해되지 않았다. DSC에 의해 측정된 PBOs의 유리전이온도(Tg)는 비교적 높은 306~$311^{\circ}C$의 범위를 보였다. PHA 3과 6F-PHA 3의 최대분해온도와 Char 수득률은 $658^{\circ}C$와 $653^{\circ}C$, 62.6%와 62.1%로 가장 높은 값들을 보였다.
Kang, J.S.;Kim, J.H.;Han, S.W.;Kim, K.H.;Choi, E.J.;Sekiyama, A.;Kasai, S.;Suga, S.;Kimura, T.
Journal of Magnetics
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제8권4호
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pp.142-145
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2003
Valence states and electronic structures of Cr-doped $Nd_{1/2}A_{1/2}Mn_{1-y}Cr_{y}O_3$(NAMO; A=Ca, Sr) manganites have been investigated using x-ray absorption spectroscopy (XAS) and high-resolution photoemission spectroscopy (PES). All the Cr-doped NAMO systems exhibit the clear metallic Fermi edges in the Mn $e_{g}$ PES spectra near $E_{F}$. The spectral intensity at $E_{F}$ is higher for Cr-doped N $d_{l}$ 2/S $r_{l}$ 2/Mn $O_3$(NSMO) than for Cr-doped N $d_{l}$ 2/C $a_{l}$ 2/Mn $O_3$ (NCMO), reflecting the stronger metallic nature for NSMO than for NCMO. The measured Cr 2p XAS spectra are found to be very similar to that of C $r_2$$O_3$, indicating that Cr ions in Cr-doped NAMO are in the trivalent C states ( $t^3$$_{2g}$). The Cr 2p XAS data are consistent with the Cr 3d PES spectra located at ∼1.3 eV below $E_{F}$ and having no emission near $E_{F}$.
X-선 회절법을 이용하여 $C_{16}H_{19}O_2N_3CuCl_2\;{\cdot}\;H_2O$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Triclinic이고 공간군은 Pl이며, 단위포 상수는 $a=7.6202(9)\;{\AA},\;b=8.5943(7){\AA},\;c= 8.6272(6){\AA},\;\alpha=67.518(6)^{\circ},\; \beta= 68.043(8)^{\circ},\;\gamma=74.370(8)^{\circ},\;V=478.89(8)\;{\AA}^3,\;T=295K,\; Z=1,\;D_c=1.504Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer로 얻었으며 graphite로. 단색화한 $MoK{\alpha}$,$(\alpha=0.7107\;\AA)$을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_0>4\sigma(F_0)$인 1659개의 독립회절데이터에 대하여 최소 자승법으로 234개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 $R=2.47\%$를 얻었다.
X-선 회절법을 이용하여 C_{28}H_{41}N_4O_4Br\;{\cdo}t\;2H_2O$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Triclinic이고 공간군은 Pl이며, 단위포 상수 a=9.000(1) $\AA$, b=9.312(3) $\AA$, c=9.344(2) $\AA$, $\alpha=89.37(20)^{\circ},\;\beta=68.81(3)^{\circ},\;\gamma=84.70(4)^{\circ},\;V=726.7(8){\AA},\;T=298K,\;Z=1,\;D_c=1.402Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD4 Diffractometer로 얻었으며 사용한 X-선은 graphite로 단색화한 $MoK{\alpha}$선$(\lambda=0.71073\;{\AA}$을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_o>4{\sigma}(F_0)$인 2521개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소 자승법으로 370개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 $R=5.95\%$를 얻었다.
An analytic self-map ${\phi}$ of the open unit disk $\mathbb{D}$ in the complex plane and an analytic map ${\psi}$ on $\mathbb{D}$ induce the so-called weighted composition operator $C_{{\phi},{\psi}}$: $H(\mathbb{D})\;{\rightarrow}\;H(\mathbb{D})$, $f{\mapsto} \;{\psi}\;(f\;o\;{\phi})$, where H($\mathbb{D}$) denotes the set of all analytic functions on $\mathbb{D}$. We study when such an operator acting between different weighted Bergman spaces is bounded, compact and Schatten class.
(Bi$_2$O$_2$)$^{2+}$층 사이에 두 개의 Ta-O 팔면체로 연결된 Bi 계의 층상 페로브스카이트 구조인 SrBi$_2$Ta$_2$O$_{9}$ (SBT) 박막을 XPS를 이용하여 깊이별 화학 상태 변화를 분석하였다. 아르곤 이온으로 SBT 박막을 식각하면, SBT 박막의 각 구성물들은 가속 Ar$^{+}$ 이온의 에너지에 따라 변화한다. SBT 각 구성물 중 Sr 3d의 화학 상태는 Ar$^{+}$ 이온의 에너지변화에 따라 근소하게 변화한다. 반면에, Ta 4f와 Bi 4f의 화학 상태 변화는 인가되는 Ar$^{+}$ 이온 에너지에 확실하게 의존한다. 특히, Bi 4f는 Sr과 Ta에 비해 낮은 Ar$^{+}$ 이온 에너지에서도 Bi-O의 화학 상태가 금속 Bi 화학 상태로 현저하게 변화한다. 이러한 SBT 박막의 화학 상태 변화는 산호 원자의 선택적인 식각 때문에 발생하며 선택적인 식각은 SBT 박막 내에서 각 구성물과 산소간의 질량 차이와 각 구성물의 열적 안정성에 의존함을 알 수 있다.
Tb3+-doped CaNb2O6 (CaNb2O6:Tb3+) thin films were deposited on quartz substrates at a growth temperature of 300 ℃ using radio-frequency magnetron sputtering. The deposited thin films were annealed at several annealing temperatures for 20 min and characterized for their structural, morphological, and luminescent properties. The experimental results showed that the annealing temperature had a significant effect on the properties of the CaNb2O6:Tb3+ thin films. The crystalline structure of the as-grown CaNb2O6:Tb3+ thin films transformed from amorphous to crystalline after annealing at temperatures greater than or equal to 700 ℃. The emission spectra of the thin films under excitation at 251 nm exhibited a dominant emission band at 546 nm arising from the 5D4→7F5 magnetic dipole transition of Tb3+ and three weak emission bands at 489, 586, and 620 nm, respectively. The intensity of the 5D4→7F5 (546 nm) magnetic dipole transition was greater than that of the 5D4→7F6 (489 nm) electrical dipole transition, indicating that the Tb3+ ions in the host crystal were located at sites with inversion symmetry. The average transmittance at wavelengths of 370~1,100 nm decreased from 86.8 % at 700 ℃ to 80.5 % at an annealing temperature of 1,000 ℃, and a red shift was observed in the bandgap energy with increasing annealing temperature. These results suggest that the annealing temperature plays a crucial role in developing green light-emitting CaNb2O6:Tb3+ thin films for application in electroluminescent displays.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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