바늘형 전극과 컵형 전극을 사용한 대기압 플라즈마 제트 장치의 플라즈마 분출 특성을 조사한다. 바늘형 전극은 원통형 주사기 바늘을 사용하였다. 컵형 전극은 냉음극 형광 램프의 전극을 사용하였다. 방전 가스는 Ar을 사용하고 가스의 유량은 3 lpm이다. 구동 전원은 DC-AC 인버터를 사용하고 구동 주파수는 40 kHz이다. 방전 전압-전류 특성과 전류별 플라즈마 방출 길이를 측정한 결과, 원통형 바늘보다 컵형 전극이 방전 개시 전압이 낮았으며 동일 전류에서 플라즈마 방출 길이가 더 길다.
Cross capacitor 원리를 이용하여 $1.95{\pm}0.5\;mm$ 이하의 미소변위를 비접촉으로 정확하게 측정할 수 있는 새로운 전기용량 센서를 설계 제작하였다. 전극의 구조는 센서와 측정 대상체가 각각 하나의 전극으로 작용하여야 하는 기존의 2-전극형 및 3-전극형 센서들이 지니고 있는 단점을 보완하기 위하여 2개의 전극(high, low전극)을 센서의 면에 형성한 4-전극형 센서로 제작하였다. 센서의 전극은 직경 17 mm 두께 0.7 mm인 사파이어 평행원판위에 구리를 사용하여 전극간 간격유지를 0.2 mm로 일정하게 함과 동시에 완전대칭을 이루도록 제작하였다. 따라서 이 센서는 측정대상체가 금속, 비금속에 관계없이 센서와 측정대상체와의 미소변위 및 간격을 측정 할 수가 있다. 측정범위 $1.95{\pm}0.5\;mm$에서의 correlation coefficient는 0.9987, $1.95{\pm}0.25\;mm$에서는 0.9995로 측정되었다.
본 연구에서는 brush painting공법을 이용하여 인쇄형 유기태양전지에 적용이 가능한 ITO nanoparticle/Ag nanowire/ITO nanoparticle (Nano IAI) 다층 하이브리드 투명 전극의 전기적, 광학적, 구조적 특성을 연구하였다. 평균 25 nm 사이즈의 ITO 나노 입자로 구성된 ITO 나노 잉크와 직경 20~25 nm의 Ag nanowire 잉크를 기반으로 Brush painting 기술을 적용해 상온, 상압에서 낮은 면저항과 높은 투과도를 가지는 Nano IAI 하이브리드 투명 전극을 제작하였다. Nano IAI 투명 전극 제작 시 일정한 두께에서 Ag nanowire 코팅을 위한 brush painting 횟수를 변수로 하여 최적화 공정을 진행하였으며, Ag nanowire가 2번 brush painting 된 Nano IAI 다층 하이브리드 투명전극은 $3.4{\times}10^{-3}$ ohm-cm의 비저항과 52.33 ohm/square의 낮은 면저항을 나타내었다. 이를 통해 효과적으로Ag nanowire를 ITO nanoparticle 사이에 삽입할 경우, 고온의 열처리 공정을 통하지 않고 낮은 면저항을 가지는 인쇄형 투명 전극을 구현할 수 있음을 확인할 수 있었다. 특히 Nano IAI 다층 하이브리드 전극은 83.83%의 높은 투과도를 나타내는데 이는 삽입된 Ag Nanowire의 폭과 길이가 나노 사이즈이기 때문에 입사되는 빛이 흡수되기보다 대부분 투과하기 때문으로 사료된다. 또한, XRD 분석과 HRTEM 분석을 통해 Nano IAI 다층 하이브리드 투명전극의 전도 메커니즘을 설명하였다. 이와 같은 우수한 전기적, 광학적 특성은 brush painting 기법으로 제작된 Nano IAI 다층 하이브리드 투명 전극의 인쇄형 유기태양전지 적용 가능성을 나타낸다.
본 연구는 제작된 평행평판형 검출기에서 두 전극간의 거리에 따른 극성효과의 정도를 확인하기 위하여 실행되었다. 개발된 전리함의 극성효과를 측정하기 위하여 평행평판형 전리함의 윗면과 아래 면의 전극에 극성을 바꾸어가며 방사선을 조사하고 그에 의하여 생성된 전하를 측정하여 두 양을 비교하였다. 실험은 두 전극간의 거리가 3, 6, 10 mm 일 때 각각의 명목상 체적이 0.9, 1.9, 3.1 cc인 평행평판형 전리함에 대하여 실행하였다. 조사된 방사선은 6, 10 MV 광자선과 4, 6, 9, 12, 16 MeV의 전자선이며, SSD는 100 cm 이었고, 조사면 크기는 광자선의 경우는 10$\times$10 ㎤ 이고 전자선의 경우는 10$\times$10 $\textrm{cm}^2$을 사용하였으며, 측정점은 최대선량점이고, 선량률은 240 MU/min 으로 하였다. 평행평판형 전리함의 극성의 변환은 평행평판형 전리함의 윗면 즉, 방사선이 입사되는 면의 전극이 (+)극을 갖고 아래 면이 (-)극을 갖는 positive와 방사선이 입사되는 면의 전극이 (-)극을 갖고 아래 면이 (+)극을 갖게 되는 negative 측정으로 시행하였다. 실험결과는 광자선의 경우는 0.5 % 이내의 극성효과를 나타냈고, 전자선의 경우는 1% 에서 3.5% 까지 나타났으며, 높은 에너지를 갖는 16 MeV 전자선의 경우가 다른 에너지의 전자선의 경우 보다 극성효과의 영향이 적음을 알 수 있다.
본 논문에서는 고농도$\cdot$고수율 오존발생기를 개발할 목적으로 망사형 내부전극과 무성방전의 중첩을 이용한 중첩방전형 오존발생기를 설계$\cdot$제작하였다. 중첩방전형 오존발생기는 방전공간에 3개의 전극(중심전극, 내부전극 및 외부전극)과 2개의 gap(중심전극과 내부전극 사이의 gap과 내부전극과 외부전극 사이의 gap)으로 구성되어있다. 중첩방전형 오존발생기의 중심전극을 공통접지하고 내부전극과 외부전극에 $180{[^\circ]}$의 위상차를 가진 역극성의 교류 고전압을 각각 인가하면 각각의 방전 gap에서 발생하는 무성방전이 중첩되면서 오존이 발생된다. 이때, 내부전극의 조밀도가 증가할수록 방전전극의 면적이 확대되고 방전공간의 전력밀도가 억제되어 오존생성특성이 상승하였다. 그 결과 최대 17,720[ppm], 5.4[g/h] 및 250[g/kwh]의 오존을 얻을 수 있었다.
PTCR 세라믹스를 적층형 부품으로 제조할 경우 소형화, 저 저항화 및 과전류 유입 시 빠른 응답특성을 갖는다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 적층형 부품제조시에는 내부전극재가 부품소자의 물성에 중요한 영향을 미친다. 특히 우수한 옴성 접촉(Ohmic Contact)을 갖는 Zn, Fe, Sn, Ni 등의 적층 PTC용 전극재는 높은 산화특성으로 인해 재산화 과정에서의 비옴성 접촉(Non-ohmic contact)을 갖게 되어 PTC 특성을 저하시킬 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 적층형 PTCR 세라믹스의 내부전극재와 반도체 세라믹층의 동시소성거동 및 적층 PTCR 세라믹스의 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에 적용된 내부전극재로는 Ni 전극을 사용하였고, Ni 전극용 paste로는 무공제 paste, 반도체 세라믹공제 paste, $BaTiO_3$ 공제 paste의 3종 전극재가 이용되었다. 적층형 PTCR 세라믹스의 제조공정은 테이프 캐스팅(Tape casting), 내부전극인쇄, 적층 및 동시소성을 포함하는 적층화공정을 적용하였다. 각각의 전극 paste를 적용하여 제조된 chip은 미세구조관찰, I-V특성, R-T특성 등을 평가하여 내부전극내 세라믹공제의 영향을 고찰하였다.
본 논문에샤는 동축형 전극구조 변화시의 중첨방전에 의해 발생되는 오존의 농도 효율 및 발생량 특생에 대해서 논했다. 오존생정올 향상시키기 위해 오존방전환의 새로운 형태를 제안하였으며 연면방전과 무성방전이 동시에 분리된 방전공간내에서 발생하도록 하였다. 전극구조에 대한 오존발생 의존성을 조사하지 워해 구조가 다른 형태(2전극-1캡,3전극-2캡 및 3전극-3캡형)인 방전관올 설계.제작하였고 실험은 오존발생특성을 살펴보지 위하여 60[Hz] 전원을 사용하여 무성방전과 연면반전을 같은 갭내에 중첩시켜 측정한 결과 무성방전을 이용한 전극구조보다 중첩방전올 이용한 전극에서 오존의 농도, 효율 및 발생량이 향상됨율 확인할 수 있었다.
본 연구에서는 $LiNbO_3$ 변조기에 사용되는 진행파형 coplanar-waveguide 형 전극을 제작하였다. 전극 전극두께를 변화시켜 전극을 제작하여 마이크로파 유효굴절율을 조사하였다. $LiNbO_3$ 광변조기 도파로의 유효굴절율과 정합되는 조건인유효굴절율 2.2에 근접합을 알 수 있었다. 또한 진행파형 전극의 반사손실$(S_{11})$, 삽입 손실($S_{21}$) 등을 측정하여 광변조기에 적용할 수 있는 최적조건에 관하여 논의하였다.
원통형 및 평판형 유전체에 임펄스전압을 인가하는 경우 나타나는 50%의 Flash over전압 (F.O.V)특성 및 Lichtenberg 도형에 미치는 배후전극의 영향을 관측하였다. F.O.V는 배후전극이 있는 경우가 없을 때보다 인가전압을 저하시킬 수 있었고 Lichtenberg도형에서 방전로의 진전상태는 배후전극의 존재로 인하여 크게 신장함을 알았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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