• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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• pp.129-157
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• 1999

Low-dislocation-density large-diameter GaAs single crystals with low-residual-strain have been strongly required. We have developed dislocation-free 3-inch Si-doped GaAs crystals for photonic devices [1], and low-dislocation-density low-residual-strain 4-inch to 6-inch [2, 3] semi-insulating GaAs crystals for electronic devices by Vertical Boat (VB) technique. We confirmed that VB substrates with low-residual-strain have higher resistance against slip-line generation during MBE process. VB-GaAs single crystals show uniform radial profile of resistivity reflecting to the flat solid-liquid interface during the crystal growth. Uniformity of micro-resistivity of VB-GaAs substrate is much better than that of the LEC-GaAs substrate, which is due to the low-dislocation-density of VB-GaAs single crystals.

• Journal of Welding and Joining
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• 제32권2호
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• pp.4-8
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• 2014

In this research, GTA overlay welding system is developed for inside of straight pipes in various diameter. It can be applied to oil, ship building and plant industry, especially pipes connected to pressure vessels, for the purpose of cost reduction by cladding inside of pipes with corrosion and heat resistant alloys such as stainless steel or Inconel. Developed system consists of GTA power source, torch, wire feeding system, automatic arc length adjusting device, CCD camera and cooling unit. Two types of pipe inside overlay welding system are developed. One is for maximum 3m pipe length with 3 inch ~ 12 inch pipe outer diameter. Another type can be applied to maximum 12m pipe length with 7 ~ 24 inch OD. Developed system successfully produced inside cladded pipe and the results are shown through cross sectional images of the pipes.

• 한국추진공학회지
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• 제18권3호
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• pp.70-77
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• 2014

본 논문은 한국형 2.75 인치 로켓 추진기관의 독자 모델 개발에 관하여 기술하였다. 개발된 한국형 2.75 인치 로켓 추진기관은 추진제 그레인의 형상변경을 통하여 화염안정성을 증대시켰으며, 점화장치에 EMI 필터를 장착하여 우발점화 방지기능을 추가하였다. 그리고 노즐 형상 변경 및 날개 수 증가를 통하여 비행안정성의 향상을 가질 수 있었다. 지상연소시험 및 온도충격시험을 통해 추진제의 성능을 검증하였으며, 약 210 발의 비행시험을 통해 기 배치된 추진기관과 비행성능이 동일함을 입증하였다. 성능개량과 더불어 한국형 독자모델 개발로 인한 지적재산권 문제 극복에 기여할 수 있는 근간을 마련했다는데 그 의의가 있다.

• 플랜트 저널
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• 제10권2호
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• pp.48-59
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• 2014

본 연구에서는 고온 고압 배관용 단조밸브 용접부의 품질확보를 위하여 단조밸브 제작현장에서 활용할 용접후열처리의 유지시간 및 유지온도를 연구했다. ASTM A182 F92 재료를 단조밸브의 용접부에 해당되는 밸브 끝단부 및 누설방지용접부와 동일한 형상의 두께 1 inch 쿠폰으로 가공하고, 쿠폰을 가스 텅스텐 아크용접(GTAW: Gas Tungsten Arc Welding) 방법으로 완전용입 용접하여 시편을 제작했다. 용접부 호칭두께가 1 inch인 시편을 $705^{\circ}C$, $735^{\circ}C$, $750^{\circ}C$, $765^{\circ}C$, $795^{\circ}C$ 및 $825^{\circ}C$에서 1시간 유지하여 용접후열처리를 실시(Group 1)하였다. 그리고 용접부 호칭두께가 1 inch인 시편 3개를 $735^{\circ}C$에서 30분, 1시간 및 2시간으로 달리 유지(Group 2)하여 용접후열처리를 실시하였다. 다른 유지시간과 유지온도에 따른 경도의 변화를 관찰하기 위하여 모재부, 열영향부 및 용착금속부에서 경도를 측정하였다. 본 실험의 결과에 따라, 1 inch당 1시간 온도를 유지할 경우는 용접후열처리가 $750^{\circ}C{\sim}765^{\circ}C$에서 수행되어야 바람직한 것으로 확인되었다. 단조밸브 제작규격에서 요구하는 최소 유지온도 보다 $5^{\circ}C$가 높은 $735^{\circ}C$에서 1 inch당 1시간 유지할 경우에 요구된 경도 값을 만족하지 못하여, 요건보다 긴 시간인 1 inch당 2시간 용접후열처리 시 경도 값을 만족하는 것으로 확인되었다. 또한 용착금속부의 조직은 템퍼드-마르텐사이트 조직으로 확인되었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제22권3호
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• pp.647-656
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• 1992

The purpose of this study was to evaluate the elastic memory process in cold worked stainless steel wire and the effect of heat treatment on it. 0.018 inch round and $0.019\times0.025$ inch rectangular wire (ORMCO stainless wire) were used in this study. Each wire type had 4 groups: non-heat treatment group, furnace heat treatment group, electric current heat treatment group, and bending after heat treatment group. Each group was consisted of 10 specimens. With the Jig, each wire was bent into v-shape uniformly, and width of two free ends of each v-shaped wire was measured by caliper (to the point of 0.1 mm correctly) at time interval of offjig, after heat treatment, 1, 2, 3, 4 hours, 1, 2, 3, 4, 5, 6 days, 1, 2, 3, 4 weeks after. The results were as follows: 1. In non-heat treatment group and bending after heat treatment group, elastic memory process was occured $60\%$ within 1 hour, and more than $90\%$ within 1 week. 2. In furnace and electric current heat treatment group, almost all elastic memory process was occured during teat treatment, and then specimen was stabilized dimensionally. 3. Magnitude of deformation by elastic memory was greater in heat treatment group than non heat treatment group and bending after heat treatment group. 4. There was no remarkable difference in deformation pattern between 0.018 inch round wire and $0.019\times0.025$ inch rectangular wire.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.99-99
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• 2010

Recently, amorphous transparent oxide semiconductors (TOS) have been widely studied for many optoelectronic devices such as AM-OLED (active-matrix organic light emitting diodes). The TOS TFTs using a-IGZO channel layers exhibit a high electron mobility, a smooth surface, a uniform deposition at a large area, a high optical transparency, a low-temperature fabrication. In spite of many advantages of the sputtering process such as better step coverage, good uniformity over large area, small shadow effect and good adhesion, there are not enough researches about characteristics of a-IGZO thin films. In this study, therefore, we focused on the electrical properties of a-IGZO thin films as a channel layer of TFTs. TFTs with the a-IGZO channel layers and Y2O3 gate insulators were fabricated. Source and drain layers were deposited using ITO target. TFTs were deposited on unheated non-alkali glass substrates ($5cm{\times}5cm$) with a sintered ceramic IGZO disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t), Y2O3 disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t) and ITO disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t) as a target by magnetron sputtering method. The O2 gas was used as the reactive gas. Deposition was carried out under various sputtering conditions to investigate the effect of sputtering process on the characteristics of a-IGZO thin films. Correlation between sputtering factors and electronic properties of the film will be discussed in detail.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.387-390
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• 2002

SiC direct bonding technology is very attractive for both SiCOI(SiC-on-insulator) electric devices and SiC-MEMS(micro electro mechanical system) fields because of its application possibility in harsh environments. This paper presents pre-bonding techniques with variation of HF pre-treatment conditions for 2 inch SiC wafer direct bonding using PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) oxide. The PECVD oxide was characterized by XPS(X-ray photoelectron spectrometer) and AFM(atomic force microscopy). The characteristics of the bonded sample were measured under different bonding conditions of HF concentration and an applied pressure. The bonding strength was evaluated by the tensile strength method. The bonded interface was analyzed by using IR camera and SEM(scanning electron microscope). Components existed in the interlayer were analyzed by using FT-IR(fourier transform infrared spectroscopy). The bonding strength was varied with HF pre-treatment conditions before the pre-bonding in the range of $5.3 kgf/cm^2$ to $15.5 kgf/cm^2$

• 대한치과교정학회지
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• 제41권6호
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• pp.399-410
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• 2011

본 연구의 목적은 코팅된 호선, 다양한 브라켓, 그리고 브라켓-호선 각도가 교정용 호선이 브라켓을 활주 이동하는 동안 발생되는 마찰력에 어떠한 영향을 미치는지에 대하여 평가해보는 것이었다. 고정식 장치를 이용한 교정치료 시발생할 수 있는 상황을 시뮬레이션하기 위하여 4종류의 브라켓(금속 브라켓인 Micro-arch, 단결정 세라믹 브라켓인 Perpect Clear2, active type의 자가결찰 브라켓인 Clippy-C, passive type의 자가결찰 브라켓인 Damon3)과 5종류의 교정용 호선(0.014", 0.016", 0.016" ${\times}$ 0.022" inch coated Ni-Ti 호선, 0.016", 0.016" ${\times}$ 0.022" inch Ni-Ti 호선)이 사용되었고 브라켓-호선 각도는 각각 $0^{\circ}$, $3^{\circ}$, $6^{\circ}$, $9^{\circ}$로 조절되었다. 모든 실험군에서 자가결찰 브라켓군, Micro-arch군, Perpect Clear2이 순으로 정지, 운동 마찰력이 유의하게 높았다 ($p$ < 0.001). $0^{\circ}$와 $3^{\circ}$의 브라켓-호선 각도에서 같은 크기의 Ni-Ti 호선은 코팅 여부에 따른 정지, 운동 마찰력의 유의한 차이가 없었으나, $3^{\circ}$에서 자가결찰 브라켓군의 0.016" ${\times}$ 0.022" inch Ni-Ti 호선에서만 코팅된 경우에 마찰력이 유의하게 높았으며 ($p$ < 0.001), $6^{\circ}$와 $9^{\circ}$의 브라켓-호선 각도에서 원형과 각형 호선은 모두 같은 크기의 코팅된 호선에서 정지, 운동 마찰력이 유의하게 높았다 ($p$ < 0.001). 코팅된 호선은 크기가 커질수록 정지, 운동 마찰력이 유의하게 높아졌다 ($p$ < 0.001). 각형 호선은 원형 호선 보다 정지, 운동 마찰력이 유의하게 높았으나, $9^{\circ}$의 브라켓-호선 각도에서 0.016" inch coated Ni-Ti 호선만은 0.016" ${\times}$ 0.022" inch Ni-Ti 호선보다 마찰력이 높았다 ($p$ < 0.001). 브라켓-호선 각도가 증가함에 따라 정지, 운동 마찰력도 유의하게 높아졌으나 ($p$ < 0.001), Micro-arch군과 Perpect Clear2군에서 0.016 inch Ni-Ti 호선과 이루는 각도 $0^{\circ}$, $3^{\circ}$에서는 마찰력의 유의한 차이가 없었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.761-763
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• 2002

실리콘 웨이퍼 성장에 유리한 수평자장형 마그네트에는 saddle type, cylinder type 등 여러 가지 종류가 있다. 이러한 종류의 마그네트를 사양을 바꿔가며 균일도, 중심자장, 권선에 사용되는 선재량 등을 비교하였다. 해석 tool은 'opera-3d'을 사용하였으며, 기본적인 사양은 실제 System에서 요구되는 수치를 토대로 결정하였다. 본 연구를 토대로 12inch 단결정 성장을 위한 마그네트 종류와 사양 그리고 Cryostat의 기본적인 크기와 두께를 결정하게 되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권6호
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• pp.535-541
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• 1999

Low-dislocation-density large-diameter GaAs single crystals with low-residual-strain have been strongly required. We have developed dislocation-free 3-inch Si doped GaAs crystals for photonic devices, and low-dislocation-density low-residual-strain 4-inch to 6-inch semi-insulating GaAs crystals for electronic devices by Vertical Bridgman(VB) technique. We confirmed that VB substrates with low-residual-strain have higher resistance against slip-line generation during MBE process. VB-GaAs single crystals show uniform radial profile of resistivity reflecting to the flat solid-liquid interface during the crystal growth. Uniformity of micro-resistivity of VB-GaAs substrate is much better than of the LEC-GaAs substrate, which is due to the low-dislocation-density of VB-GaAs single crystals.