• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.265-265
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• 2010

일반적으로 중금속이나 질산성 질소와 같은 이온성 물질들은 사람의 건강이나 생태계에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다. 이들 오염물질들은 그 종류에 따라 건강에 피해를 주는 정도에 차이가 있지만 안전한 생태환경을 유지하기 위해서는 이들 물질들을 효과적으로 처리할 수 있는 필터가 필요하다. 전극 필터에 최대한 많은 이온들을 흡착시키기 위해서는 전극의 비표면적을 높이는 것이 매우 중요하다. Metal Fiber Filter의 제작과 제작된 Filter의 전기적 특성과 비표면적 향상, 고정성 및 통전성, 축전용량과 전기흡착 및 탈착 경향을 관찰하기 위해 3전극 시스템을 이용하여 Cyclic Voltammetry(CV)와 Chrono-amperometry(CA)를 측정하고 표면의 기공 구조를 관찰하기 위해 주사전자현미경 (SEM;Scanning Electron Microscope)을 이용하여 전극에 생성된 미세 기공의 크기 및 크기 분포를 측정한다. 또한 제작된 Filter 전극을 이용하여 전기장 하에서 수질 속에 있는 질산성이온의 선택적 제거 효율을 측정하여 보고, 측정된 데이터 값을 통해 Metal Fiber Filter의 전기적 특성과 중금속이나 질산성 이온 물질들을 선택적으로 제거할 수 있는 Filter 전극 설계 근거를 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2000.10a
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• pp.158.2-158
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• 2000

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.8
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• pp.646-649
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• 1997

(111)과 (100)우선방위의 정방정계의 Pb(Zr$_{0.2}$, Ti$_{0.8}$)O$_{3}$박막의 강유전체 특성과 신뢰성특성을 상부 전극의 두께를 변화시키면서 연구하였다. (111)우선방위의 박막이 (100)우선방위의 박막보다 큰 잔류분극과 항전계 값을 갖고 있어 정방형의 이력곡선 특성을 보여주었다. 스위칭전하의 상부전극의 두께 의존성은 상부전극을 열처리 할 때 유도되는 압축응력에 의한 stress효과로 설명할 수 있었다. 상부전극의 두께가 얇은 박막은 초기에는 작은 스위칭 전하를 갖고 있으나 스위칭 횟수가 증대됨에 따라 기계적인 응력의 감소로 인하여 부분 수위칭 영역이 확대되어 내구성이 향상되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.44-45
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• 2006

초고용량 캐패시터(Supercapacitor)는 이차전지와 더불어 차세대 전지로 분류되는 신형에너지 장치로서 충 방전 속도가 다르고 순간 전력공급이 가능하며 충 방전 수명이 반영구적으로 길고 고출력을 내기 때문에 이차전지가 갖지 못하는 영역에서 동력에너지원으로 사용된다. 본 연구에서는 초고용랑 캐패시터의 전극소재인 탄소계 재료를 대신하여 비탄소계 전극소재인 $Li_4Ti_5O_{12}$의 고상법 제조를 위한 Li/Ti의 최적 조성과 혼합 방법으로 Li-Ti 계에 $Fe_2O_3$, NiO, $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ 그리고 ZnO와 같은 금속산화물로 치환시켜 합성된 Li -Ti계 금속산화물의 특성 및 충 방전 효과에 미치는 영향을 관찰하고자 하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• v.17 no.1
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• pp.34-44
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• 1985

The main purpose of this work is to study the effects of (1) configuration, size, and materials of electrodes, (2) flow pattern, (3) electrode position with respect to a dielectric boundary on the void fraction measurement and flow regime characterization by capacitance transducers. From the experimental results, relationships between the measured relative capacitance and void fraction are obtained for both annular and stratified flow systems under static condition, and this result is compared with theoretical predictions. From this study it can be concluded that (1) the strip-type electrodes are more sensitive than ring-type electrodes for both annular and stratified flows, (2) electrode size does not affect the relative capacitance vs. (1-$\alpha$) curve, and (3) electrode position is important for stratified flows but it has no effect on annular flows.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.38-38
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• 2008

질화갈륨계 발광다이오드는 차세대 반도체 조명용 및 기타 광전소자 등에의 응용 가능성 때문에 주목을 받고 있다. 본 발표에서는 발광다이오드용 In/ITO 전극이 p-형 질화갈륨과 열처리 후 오믹접촉을 이루는 메커니즘을 설명한다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.1
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• pp.92-98
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• 2002

To investigate the electrode structural effect on the ferroelectric electron emission, the electric field distribution in a 2-dimensional structure was calculated as a function of upper electrode diameter, and the switching charge density and emission charge were measured simultaneously. The simulation of the electric field distribution showed that an asymmetric electrode structure could cause a stray field on the bare surface of the ferroelectric cathode near the edge of upper electrode. The distance of stray field from the electrode edge increased with increasing ferroelectric thickness, but it did not depend on the upper electrode diameter. The switching charge density increased more on the cathode with smaller upper electrode diameter. This was attributed to the stray field on the bare ferroelectric surface near the electrode edge, because the stray field for the asymmetric ferroelectric cathode enhanced polarization switching near the electrode edge. From the switching charge density, the distance of stray field from the electrode edge was calculated as about 11-14${\mu}{\textrm}{m}$. The threshold voltage of electron emission was 61-68 kV/cm, which was almost 3 times lager than the coercive voltage. The threshold voltage was not determined just by coercive voltage, but by strength and distance of the stray-field, which largely depended on the geometrical structure of ferroelectric cathode.

• Analytical Science and Technology
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• v.17 no.3
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• pp.217-224
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• 2004

A taste sensor system composed of mini electrode array was built in a flow cell. Potentiometric signals from 9 electrodes were collected for drinking waters and alcoholic beverages which were diluted in a low concentration buffer solution (0.005 M Tris-$H_2SO_4$ pH 7.2) for the measurement. The measured results were treated with the principal component analysis (PCA), and grouped on a two or three dimensional PCA coordinate to discriminate the tastes of each beverage. It is demonstrated that the taste sensor system of this work may be used for the quality control of beverages in production or the examination of their taste variation in the market.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.6 no.2
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• pp.177-184
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• 1996

We adopted the $Pt/SiO_{2}/Si$ and the $Ir/SiO_{2}/Si$ substrates of which buffer layer is $PbTiO_{3}$ to improve electrode and interfacial properties of PZT thin film deposited by reactive sputtering method using metal target in this study. We got PZT thin film to have highly oriented(100) structure and good crystallinity using buffer layer in Pt bottom-electrode, though randomly oriented PZT thin film was obtained without buffer layer. Although great improvement of PZT phase formation on Ir bottom-electrode with buffer layer was not observed, we observed the increase of remennant polarization and the decrease of coercive field compared with properties of PZT thin films on the Pt bottom-electrode. So we got the results of the increase of dielectric constant using buffer layer on fabrication of PZT thin film and the better dielectric properties in PZT thin film using Ir bottom-electrode compared with that using Pt bottom-electrode.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.427-428
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• 2014

서론: 최근 전세계적인 고령화 진행에 따른 뇌졸중, 파킨슨병, 알츠하이머병 등과 같은 각종 뇌관련 질환에 대한 관심이 더욱 높아지고 있으며 다양한 뇌질환 치료를 위하여 뇌 신경 신호의 정확한 검출 대한 연구가 학계에서 활발히 진행되고 있다. 효과적인 뇌 신경 신호 검출을 위해서는 세포조직의 손상을 최소화 할 수 있는 초소형 신경탐침 및 극소 면적내에서 극대화된 검출 전극이 구현되어야 한다. 그러나, 극소 면적내에 구성된 소면적 전극을 통한 신호 검출은 전극 계면에서의 높은 임피던스를 야기시켜 정밀한 신경신호 검출에 어려움을 만든다. 따라서, 뇌 신경 신호 검출시 전극 계면에서의 낮은 임피던스를 검출하기 위한 다결정실리콘, 이리듐 산화막, 탄소나노튜브와 같은 다양한 전극 소재를 이용한 신경탐침 연구가 제안되어 왔다. 본 연구에서는 극소화된 전극면적과 신경세포 계면에서의 저 임피던스 신경신호 검출을 위하여 비이온성 계면활성제와 전해도금을 이용하여 높은 거칠기값을 갖는 나노동공 백금층을 검출 전극으로 활용하였다. 실험 결과: 제작된 신경탐침의 몸체는 실리콘으로 이루어지며, 탐침 끝단에는 신호 측정을 위한 나노동공 백금층을 갖는 전극들이 집적되어 있다. Fig. 1 는 제작된 나노동공 백금을 갖는 신경탐침의 이미지 (a), SEM (b), TEM (c), FESEM (d) 측정결과를 보여준다. 0.9 %의 NaCl 용액에서 제작된 신경탐침의 계면임피던스 및 위상각 변화에 대한 측정결과가 Fig. 2에 나타나 있다. 1.2 kHz 주파수에서 $942.6K{\Omega}$ ($0.029{\Omega}cm^2$, $3.14{\mu}m^2$)로 극대화된 실표면적을 갖는 나노동공 백금층에 의하여 매우 낮은 임피던스 특성을 보인 것으로 판단된다. 또한 제작된 신경탐침은 위상각이 $-82.9^{\circ}$로서 캐패시터와 같은 역할을 하고 있다고 예상할 수 있었으며 $4.6mFcm^{-2}$의 축전용량값을 보였다. Fig. 3는 1 M의 황산용액에서 나노동공백금층이 형성된 신경탐침 전극과 형성 전의 전기화학적 표면변화를 비교분석한 결과로서 나노동공 백금층의 형성 전/후의 전류응답 특성이 상이하게 나타났다. 나노동공 백금층의 실표면적 극대화로 인한 전류응답수치 또한 크게 향상 되었으며, 0~-0.25 V 영역에서의 수소 흡착에 따른 환원곡선은 전형적인 백금 특성을 보여주는 결과로 판단 할 수 있다. Table 1는 기존에 연구되었던 신경탐침들과 본 연구에서 제작된 나노동공 백금을 갖는 신경탐침의 임피던스와 캐패시턴스 특성을 비교한 결과이다. 결론: 본 연구에서는 실리콘 신경탐침 끝단에 집적된 전극상에 전해도금법을 이용하여 높은 거칠기값을 갖는 나노동공 백금층을 형성하고 전극 계면상의 낮은 임피던스를 검출을 하였다. 나노동공 백금층을 갖는 신경탐침은 순환전압전류법을 통해 극대화된 실표면적을 극대화를 확인할 수 있었으며, 극대화된 검출 전극면은 저 임피던스 측정에 용이함을 실험을 통해서 증명할 수 있었다. 따라서, 높은 거칠기값의 나노동공 백금층은 초소형화된 신경탐침상에 집적되는 전극면적소형화와 다수의 전극 구현에 효과적일 것으로 판단되며 보다 정확한 신경신호 검출을 통한 뇌질환의 명확한 이해에 유망할 것으로 판단된다.