The remarkable physical properties of two-dimensional (2D) semiconducting materials such as molybdenum disulfide ($MoS_2$) and tungsten disulfide ($WS_2$) etc. have attracted considerable attentions for future high-performance electronic and optoelectronic devices. The ongoing studies of $MoS_2$ based nonvolatile memories have been demonstrated by worldwide researchers. The opening hysteresis in transfer characteristics have been revealed by different charge confining layer, for instance, few-layer graphene, $MoS_2$, metallic nanocrystal, hafnium oxide, and guanine. However, limited works built their nonvolatile memories using entirely of assembled 2D crystals. This is important in aspect view of large-scale manufacture and vertical integration for future memory device engineering. We report $WS_2$ based nonvolatile memories utilizing functional van der Waals heterostructure in which multi-layered graphene is encapsulated between $SiO_2$ and hexagonal boron nitride (hBN). We experimentally observed that, large memory window (20 V) allows to reveal high on-/off-state ratio (>$10^3$). Moreover, the devices manifest perfect retention of 13% charge loss after 10 years due to large graphene/hBN barrier height. Interestingly, the performance of our memories is drastically better than ever published work related to $MoS_2$ and black phosphorus flash memory technology.
Mg/Al layered double hydroxide with two-dimensional (2D) nanostructures was synthesized by a hydrothermal technique. The morphology and aspect ratio of $Mg_4Al_2(OH)_{14}3H_2O$ were controlled by the concentration and kinds of the hydrolysis agent, and temperature. The aspect ratio of $Mg_4Al_2(OH)_{14}3H_2O$ layered double hydroxides with the 2D hexagonal crystal structure was tailored from about 12.6 to about 45.7. The intercalated $CO{_3}^{2-}$ anions of the synthesized 2D $Mg_4Al_2(OH)_{14}3H_2O$ layered double hydroxides were exchanged to $NO_3{^-}$ anions. The bulk 2D $Mg_4Al_2(OH)_{14}3H_2O$ layered double hydroxides with the increased space between two layers due to the anion exchange were exfoliated in a formamide solution. The aspect ratio of the exfoliated 2D $Mg_4Al_2(OH)_{14}3H_2O$ layered double hydroxides increased to 570.3.
This study was conducted to develop a 2 row type band furrow tiller for a walking cultivator. The tillage and weeding operations in the furrow of dry fields has been done manually or chemical herbicide has been applied. The application of herbicide induces soil pollution and manual operation requires heavy labor. This 2-row type implement was developed to substitute this manual operation and to minimize soil pollution. The developed implement was composed of power transmitting device, tilling device, frame and tail wheel. The max. plowing width and depth were 300mm and 180mm, respectively. The revolutions of the hexagonal shaft and the tillage shaft were $227{\sim}376rpm$ and $355{\sim}590rpm$, respectively. The adequate working speed was $0.50{\sim}0.83m/s$ and the field capacity was $0.17{\sim}0.28hr/10a$.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1542-1545
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2005
Transparent conducting aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films have been deposited on corning 1737 glass by DC magnetron sputter. The structural, electrical and optical properties of the films were investigated as a function of various substrate temperatures. AZO thin films were fabricated by dc magnetron sputtering with AZO ceramic target $(Al_2O_3: 2wt %)$. The obtained films were poly crystalline with a hexagonal wurtzite structure and preferentially oriented in the (002) crystallographic direction. The lowest resistivity is $6.0{\times}10^{-4}$ Ocm with the carrier concentration of $2.694{\times}10^{20}\;cm^{-3}$ and Hall mobility of $20.426cm^2/Vs$. The average transmittance in the visible range was above 90%.
In this study we investigated the oxygen effect on the nucleation and its residual stress during unbalanced magnetron sputtering. Up to 0.5% in oxygen flow rate, cubic phase (c-BN) was dominated with extremely small fraction of Hexagonal phase (h-BN) of increasing trend with oxygen concentration, whereas hexagonal phase is dominated beyond 0.75% flow rate. Interestingly, the residual stress in cubic-phase-dominated films was substantially reduced with small amount of oxygen (${\sim}0.5%$) down to a low value comparable to the h-BN case. This may be because oxygen atoms break B-N $sp^3$ bonds and make B-O bonds more favorably, increasing $sp^2$ bonds preference, as revealed by FTIR and NEXAFS. It was confirmed by experimental facts that the threshold bias voltage for nucleation and growth of cubic phase were increased from -55 V to -70 V and from -50 V to -60 V respectively. The reduction of residual stress in O-added c-BN films is seemingly resulting from the microstructure of the films. The oxygen tends to increase slightly the amount of h-BN phase in the grain boundary of c-BN and the soft h-BN phase of 3D network including surrounding nano grains of cubic phase may relax the residual stress of cubic phase.
The mechanical characteristics of three types of core with two-dimensional isotropic patterns-triangular, hexagonal and starcell-were studied in applications to sandwich structures. The Young's modulus and shear modulus were calculated for the three core types in the direction normal to the faces. The compressive buckling strength and shear buckling strength were calculated by modeling each cell wall of the core as a plate under compressive or shear load. To verify this model, tests were conducted on scaled specimens to measures the compressive buckling strength of each core. The bending flexibilities of the three cores were also studied. Compliances for the three cores were measured using biaxial flexural tests. The three isotropic core patterns exhibited distinct characteristics. In the direction normal to the faces, all three cores had the same stiffness. However, the starcell core exhibited high flexibility compared to the other cores, indicating potential for application to curved sandwich structures.
Alumina-surfactant mesostructures have been synthesized with the $Al_{13}$-Keggin cation prepared by Al(N $O_3$)$_3$.9$H_2O$ solution with NaOH solution in the presence of a non-ionic surfactant at room temperature. The synthesized samples had the hexagonal structure similar to MCM-41 type materials. These samples have been characterized by X-ray diffraction and thermal analysis(TG). The samples prepared from OH/Al ratio 1.5 and 2.0 were well-crystalline mesostructures, but the sample from OH/Al ratio 2.5 was not. Also, The d$_{100}$ value decreased slightly from 38 to 36 according to the OH/Al mole ratio. These results could be explained that Keggin ion depended on the OH/Al molar ratio and pHpH
Preparation of $AlPMo_{12}O_{40}$ (AlPMo) salts, supported on mesostructured SBA-15 silica, by the reaction deposition strategy causes the formation of isolated AlPMo nanocrystals inside the nanotubular channels. The remarkable characteristic of the SBA-15 structure is that all the cylindrical pores are connected by some small channels. This makes the whole pore system in SBA-15 three-dimensional. We have used 2D hexagonal SBA-15 silicas as hard templates for the nanofabrication of AlPMo salt nanocrystal. The oxidation of alcohols occurs effectively and selectively with $H_2O_2$ as the oxidant. AlPMo salt nanocrystal was used as the catalyst.
Three dimensional(3D) topological insulators(TIs) of Bi binary alloys are characterized by a bulk energy gap with strong spin-orbit coupling and metallic surface states protected by time-reversal symmetry. It was reported that film forms of such materials were advantageous over bulk forms due to less defect density and better crystallinity. So far, the films have been prepared on several substrates including semiconductors and graphene. But, there were no studies on metal substrates. For electronic transport experiments and device applications, it is necessary to know epitaxial relation between TIs and metal electrodes. In this study, Atomically flat films of Bi2Se3 were grown on a Au(111) metal substrate by in-situ molecular beam epitaxy. Using home-built scanning tunneling microscope, we observed hexagonal atomic structures which corresponded to the outmost selenium atomic layer of Bi2Se3. Triangular-shaped defects known as Selenium vacancy were also found.
Single crystals of sapphire were grown from solution by slow cooling method using B2O3 and PbO as flux agents. The morphology of grown crystals was tube, rhombohedral, or hexagonal-plate. It was found that the morphology and the size of grown crystal were highly dependent on the amount of fluxes in the solution, the ratio of B2O3 vs. PbO, and cooling rate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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