본 논문에서는 WIN Semiconductors사의 0.5 ${\mu}m$ PHEMT 공정을 이용하여 GSM/EGSM/DCS/PCS 4중 대역을 위한 저손실, 고전력의 RF SP6T 스위치 칩을 설계, 제작 및 측정하였다. 스위치 특성을 개선시킬 수 있는 최적의 구조를 위해서 series와 series-shunt 구조를 혼용하였고, 칩 크기를 줄이기 위해서 수신단에 공통 트랜지스터 구조를 사용하였다. 또한, 시스템에 사용되는 ON, OFF 상태의 입력 전력을 고려하여 트랜지스터의 게이트 크기와 스택(stack) 수를 결정하였다. 마지막으로 피드 포워드(feed forward) 캐패시터, shunt 캐패시터 그리고 shunt 트랜지스터의 기생 인덕턴스 공진 기법을 적용하여 격리도 및 전력 특성을 개선하였다. 제작된 스위치 칩의 크기는 $1.2{\times}1.5\;mm^2$이며, S 파라미터 측정 결과 삽입 손실은 0.5~1.2 dB, 격리도는 28~36 dB를 보였다. 전력 특성으로는 4 W의 입력 전력에 대해서도 삽입 손실 및 격리도의 특성 변화가 없었으며, 75 dBc 이상의 2차 및 3차 고조파 억제 특성이 확보되었다.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.31-35
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2005
A prerequisite for a wide market acceptance of 3D displays is the ability to switch between 3D and full resolution 2D. In this paper we present a robust and cost effective concept for an auto-stereoscopic switchable 2D/3D display. The display is based on an LCD panel, equipped with switchable LC-filled lenticular lenses. A demonstrator of this concept is made. We will discuss measurements and numerical simulations of the key optical characteristics of this display. The switching characteristics of LC-filled lenticular lenses are discussed and the overlap of the view distributions is introduced as a figure of merit for crosstalk. The 0.62 overlap in our present demonstrator design, gives an excellent 3D image quality, combined with a good depth impression.
This paper presents the equivalent circuit modelling and eigenfrequency analysis of a wideband robust capacitive radio frequency (RF) microelectromechanical system (MEMS) switch that was designed using Poly-Si and Au layer membrane for highly reliable switching operation. The circuit characterization includes the extraction of resistance, inductance, on and off state capacitance, and Q-factor. The first six eigenfrequencies are analyzed using a finite element modeler, and the equivalent modes are demonstrated. The switch is optimized for millimeter wave frequencies, which indicate excellent RF performance with isolation of more than 55 dB and a low insertion loss of 0.1 dB in the V-band. The designed switch actuates at 13.2 V. The R, L, C and Q-factor are simulated using Y-matrix data over a frequency sweep of 20-100 GHz. The proposed switch has various applications in satellite communication networks and can also be used for devices that will incorporate the upcoming IEEE Wi-Fi 802.11ad protocol.
본 논문은 LTE 대역과 현재 서비스 중인 이동통신 대역에 모두 적용 가능한 주파수 재구성 안테나에 대하여 제안하였다. 일반적인 PIFA 구조로 High-band를 만족시키고 방사체의 단락핀 끝에 RF 스위치를 부착함으로써 스위치 상태에 따라 주파수가 선택된다. 재구성 안테나는 RF 스위치가 SW1 상태일 때는 $VSWR{\leq}3:1$ 기준으로 782-907 MHz의 대역폭을 가지며 GSM 대역에서 동작한다. SW2 상태에서는 738-861 MHz의 대역폭을 가지며 LTE 대역에서 동작한다. 제안된 안테나의 이득은 SW1 상태일 때 0.04-4.68 dBi를 나타내었으며, SW2의 경우 이득은 0.92-1.53 dBi의 우수한 특성을 나타내며 H-plane에서 전방향성 방사패턴을 가진다. 이와 같은 우수한 특성으로 인하여 본 논문에서 제안된 RF 스위치를 이용한 이동통신 단말기용 재구성 안테나는 LTE-Advanced 모바일 단말기에 적용 가능 할 것으로 판단된다.
This paper presents a compact reconfigurable printed monopole antenna, operating in three different frequency bands (2.45 GHz, 3 GHz and 5.2 GHz), depending upon the state of the lumped element switch. The proposed multiband reconfigurable antenna is designed and fabricated on a 1.6 mm thicker FR-4 substrate having a relative permittivity of 4.4. When the switch is turned ON, the antenna operates in a dual band frequency mode, i.e. WiFi at 2.45 GHz (2.06-3.14 GHz) and WLAN at 5.4 GHz (5.11-5.66 GHz). When the switch is turned OFF, it operates only at 3 GHz (2.44-3.66 GHz). The antenna radiates omni-directionally in these bands with an adequate, bandwidth (>10 %), efficiency (>90 %), gain (>1.2 dB), directivity (>1.7 dBi) and VSWR (<2). The fabricated antenna is tested in the laboratory to validate the simulated results. The antenna, due to its reasonably compact size ($39{\times}37mm^2$), can be used in portable devices such as laptops and iPads.
A low voltage operated piezoelectric RF MEMS in-line switch has been realized by using silicon bulk micromachining technologies for advanced mobile/wireless applications. The developed RF MEMS in-line switches were comprised of four piezoelectric cantilever actuators with an Au contact metal electrode and a suspended Au signal transmission line above the silicon substrate. The measured operation dc bias voltages were ranged from 2.5 to 4 volts by varying the thickness and the length of the piezoelectric cantilever actuators, which are well agreed with the simulation results. The measured isolation and insertion loss of the switch with series configuration were -43dB and -0.21dB (including parasitic effects of the silicon substrate) at a frequency of 2GHz and an actuation voltage of 3 volts.
본 논문에서는 작은 면적을 갖는 저전력 스위치-매트릭스 구조의 델타-시그마 D/A 변환기용 준 디지털 FIR 재생필터를 제안하였다. 제안된 재생필터는 계수를 7 비트로 양자화하고 각 비트 값에 대응하는 전류를 생성하는 7 개의 전류원을 사용하는 구조로 205 개의 탭을 가지며 1419 개의 스위칭 트랜지스터로 구현되었다. 제안된 필터는 0.25 um CMOS공정을 이용하여 설계되었으며 전체 칩 면적은 1.5 mm$^{2}$으로 2.5 V에서 3.8 mW의 소비 전력을 갖는다. 모의실험 결과 104 dB의 다이나믹 레인지와 -84 dB의 대역 밖의 노이즈 허용값을 나타내어 고해상도 오디오용 DAC에 적합하다.
인체효과로 인해 발생된 안테나 성능의 저하를 보상하기 위하여 외부 보상회로를 설계하였다. 두 가지의 보상회로의 구조를 비교하여 스위치 스트레스를 최소화할 수 있는 구조를 선택하였다. 이후 선택된 보상 회로를 이용하여 저전압에서 사용할 수 있는 MEMS 스위치를 제공받아 FET스위치와 비교하고, 이 스위치를 휴대용 단말기에 적용하여 실험하였다. 이때 안테나로부터의 반사파를 감지하는 회로를 추가하여 인체효과 발생 시 자동적으로 보상회로가 동작되도록 프로그램 하여 데모시스템을 구축하였다. 이 시스템을 이용하여 인체효과 발생으로 인한 안테나의 성능을 보상회로를 동작시킴으로써 방사전력이 2.5dB 향상되는 것을 확인하였다.
A low loss power dividing switch in a indoor microwave power distribution system is proposed and designed with a various power dividing ratio. Switching characteristics are analyzed by use of the S-parameter of the switch. Newly proposed switch showed a very low return loss less than -30dB at the operating frequency of 2.45GHz. Three kinds of the switch in which we take out individually 1/2, 1/3 and 1/4 of the input power were fabricated, and measured the delivered, transmitted, and return loss power ratio. Simulated results showed that the lower power ratio is, the better accurate operating performance shows. This switch can switch the input power from 4.5% to 58% with the variance of 5% output power. The experimental results are in good agreement with the simulation within the return loss of 1%.
To quantify the presence of mercuric ions in aqueous solution, double-stranded DNA (dsDNA) of poly(dT) was employed using a light switch compound, $Ru(phen)_2(dppz)^{2+}$ (1) which is reported to intercalate into dsDNA of a right-handed B-form. Addition of mercuric ions induced the dehybridization of poly(dT)${\cdot}$poly(dA) duplexes to form a hairpin structure of poly(dT) at room temperature and the metal-to-ligand charge transfer emission derived from the intercalation of 1 was reduced due to the dehybridization of dsDNA. As the concentration of $Hg^{2+}$ was increased, the emission of 1 progressively decreased. This label-free emission method had a detection limit of 0.2 nM. Other metal ions, such as $K^+$, $Ag^+$, $Ca^{2+}$, $Mg^{2+}$, $Zn^{2+}$, $Mn^{2+}$, $Co^{2+}$, $Ni^{2+}$, $Cu^{2+}$, $Cd^{2+}$, $Cr^{3+}$, $Fe^{3+}$, had no significant effect on reducing emission. This emission method can differentiate matched and mismatched poly(dT) sequences based on the emission intensity of dsDNA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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