• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2008.05a
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• pp.1003-1006
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• 2008

인터넷상에서 TCP 프로토콜은 사실상 표준으로써 널리 이용되고 있다. 그러나 네트워크 환경이 발전해 감에 따라서 무선 네트워크, CDMA, 3G 네크워크등 다양한 환경이 공존하게 되었고, 이러한 환경에서 TCP의 성능저하가 이슈가 되어 많은 연구가 진행되었으며, 많은 알고리즘들이 발표되었다. 본 논문에서는 무선환경에서 다양한 TCP 성능저하 원인 중에서 spurious RTO에 관한 문제를 해결하고자 한다. 이 전의 연구인 E-RTO는 delay spike문제를 효과적으로 다루고 있다 하지만 delay spike이후 혼잡 윈도우를 회복하는 과정을 효과적으로 다루고 있지 못하다. 우리는 BCR를 제안하여 이러한 문제를 해결하고자 한다. BCR의 성능평가는 NS2를 이용하여 이루어 졌으며 throughput, goodput에서 좋은 성능을 보여주고 있다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.5
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• pp.412-417
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• 2001

본 연구는 습식법으로 수산화 알루미늄과 티타니아를 출발물질로 하여 $Al_2$O$_3$-TiO$_2$복합분체를 제조하였으며, 2 mol의 Al(OH)$_3$분말에 대하여 TiO$_2$분말량을 1, 3, 5, 7, 9, 11 wt%로 첨가하여 $Al_2$O$_3$-TiO$_2$복합분체의 특성을 조사하였다. 제조된 $Al_2$O$_3$-TiO$_2$계 복합분체는 $700^{\circ}C$~140$0^{\circ}C$까지 하소하여 XRD 분석을 한 결과 100$0^{\circ}C$까지는 TiO$_2$(rutile)상과 η-Al$_2$O$_3$상이 공존하다가 110$0^{\circ}C$부터 130$0^{\circ}C$까지는 η-Al$_2$O$_3$에서 $\alpha$-Al$_2$O$_3$로의 상전이가 일어나서 $\alpha$-Al$_2$O$_3$상과 TiO$_2$(rutile)상이 나타났으며 하소온도 140$0^{\circ}C$, TiO$_2$첨가량이 5 wt%일 때부터 $Al_2$TiO$_{5}$가 생성되기 시작하였다. TiO$_2$첨가량에 따른 비표면적값은 첨가량이 7 wt%까지는 감소하였으나 그 이상 첨가시 증가하였다. 입도분석 결과 평균입경은 15.74~23.21$mu extrm{m}$로서 TiO$_2$첨가량이 3 wt%일 때 가장 작은 값을 가졌으며 TiO$_2$첨가량은 5 wt% 이상부터 점차 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Society for Emotion and Sensibility Conference
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• 2009.11a
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• pp.258-260
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• 2009

광촉매능을 갖는 $TiO_2$는 국내외적으로 많은 연구가 진행되고 있으며, 빛의 조사로 발생하는 다양한 물리 화학적 촉매특성이 환경정화뿐만 아니라 및 에너지 흡수차단 기능도 갖고 있어 최근 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 친수성을 가지는 친환경 창호소재용 및 초친수성을 가지는 자동차의 사이드미러 개발을 위해 유리표면에 이종밴드갭을 갖는 복합구조 $TiO_2/Cr_2O_3/Cr$ 박막을 스퍼터링법으로 증착하여 중간층인 $Cr_2O_3$의 역할을 고찰하였다. Cr, 결정질 $Cr_2O_3$ 기판의 경우 Anatase상과 Rutile상이 공존하는 미세조직이 관찰 되었으며 비정질 $Cr_2O_3$ 기판의 경우는 균일한 결정질 anatase-$TiO_2$상이 나타났다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.14 no.2
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• pp.846-849
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• 2013

Thin film of $TiO_2$ was obtained by the sol-gel dip method on the brosilicate glass substrate. It was found that the film was about $1.5{\mu}m$ thick as obtained by 4 successive coatings and annealed at varied temperatures ranged from $300^{\circ}C$ to $1100^{\circ}C$ for 2 hrs. The substrate used was having the surface area of $100mm^2$. Increasing the annealing temperature caused to change in mineralogical phase of titanium oxide i.e., amorphous, crystalline antase to rutile phases. The particle size of the titanium oxide film were ranged from $0.1{\sim}0.54{\mu}m$ estimated by the SEM analysis. The material showed an absorbance maximum at the wavelength 390nm obtained by UV-visible spectrophotometer. These results therefore, indicated that the $TiO_2$ film obtained relatively at low annealing temperature consisted predominantly with anatase phase; possessed higher photocatalytic behavior i.e., 2.4 times higher than that of only UV lamp irradiation.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.3
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• pp.287-292
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• 2001

본 실험은 목적은 CRT(Cathode Ray Tube)용 청색 형광체인 ZnS:Ag 분말 표면에 액상법으로 SnO$_2$를 균일하게 코팅하는 공정조건을 연구하는 것이다. 용매로서 물을 사용하고, Sn의 공급물질로서 SnCl$_4$.4$H_2O$, 침전 촉매로서 CO(NH$_2$)$_2$를 각각 사용하여, 균일 침전 방법으로 ZnS:Ag 분말표면에 SnO$_2$를 코팅할 수 있었다. 초기에 첨가되는 SnCl$_4$.4$H_2O$의 량이 Sn/Zn의 몰비기준으로 0.017인 경우에 ZnS:Ag 분말표면에 Sn(OH)$_4$가 균일하게 코팅되지만, 그 이상 첨가되면 과량의 Sn(OH)$_4$가 입자들 사이에 응집되었다. 코팅된 Sn(OH)$_4$는 비정질 구조로 규명되었으며, 이를 SnO$_2$결정상으로 전이시키기 위하여 300~$700^{\circ}C$ 범위 내에서 열처리를 행하였다. 비정질 Sn(OH)$_4$는 20$0^{\circ}C$이하에서 탈수되었고 45$0^{\circ}C$부터 SnO$_2$로 결정화되기 시작하였다. 순수한 ZnS의 경우, 50$0^{\circ}C$이하에서는 상변화가 없으나, $600^{\circ}C$에서 일부 산화되었으며 $700^{\circ}C$에서는 완전히 ZnO로 산화되므로, ZnS의 산화방지 및 SnO$_2$의 결정화를 동시에 만족하는 최고 열처리온도는 50$0^{\circ}C$로 규명되었다. 그러나 ZnS에 SnO$_2$가 코팅된 시편의 경우에는 $600^{\circ}C$가 되어도 ZnS 상이 거의 산화되지 않았고, $700^{\circ}C$에서도 ZnS와 ZnO 상이 공존한 것으로 보아 SnO$_2$코팅이 ZnS의 산화를 억제하는 것으로 나타났다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.8
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• pp.871-877
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• 1998

$CuInSe_2$ thin films have been formed by two-step method in which Cu-In alloy layer was first deposited and then it was selenized. Cu-In alloy layers were deposited by co-sputtering method at ambient tem-perature. XRD analysis showed that both of $Cu_{11}In_{9}$ and CuIn$_2$ phases were formed from these films. $Cu_{11}In_{9}$ peak intensity was increased increased with varying the composition from In-rich to Cu-rich. The metallic layers were selenized either in low pressure of 10 mTorr or in atmospheric pressure(AP) Less compounds of Cu-Se and In-Se were observed during the early stage of selenization and also $CuInSe_2$ thin films selenized in vacuum showed lower roughness larger grain size and better crystallinity than those in AP.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.182-187
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• 1996

원자로 압력용기강의 품질 열처리인 ？칭과 템퍼링 중간에 페라이트와 오스테나이트가 공존하는 2상영역에서 열처리를 행함으로써 인성을 향상시키는 제조공정을 개발하였다. 710~74$0^{\circ}C$에서 4~8시간 동안 2상영역 열처리를 추가하면 기존 열처리 과정에 비하여 상온 충격인성이 크게 증가하였다. 상온 충격인성과 두께를 고려하여 결정한 최적 조건안 7$25^{\circ}C$에서 6시간 동안 2상영역 열처리를 하면 최대 흡수 에너지가 30~50% 증가하고, 천이 온도가 약 l$0^{\circ}C$ 감소하였다. 2상영역에서 형성된 침상 오스테나이트는 냉각 중에 하부 베이나이트 또는 마르텐사이트로 변태하여 템퍼드 베이나이트와 복합조직을 이루므로 균열진전을 억제하여 충격인성이 향상되었다. 2상영역 열처리 온도가 높거나 시간이 길면 오스테나이트의 체적 분율이 증가하거나 조대화가 일어나 균열진전억제 효과는 저하되었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.34 no.5
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• pp.445-451
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• 1990

The catalytic ammoxidation of methylpyrazine into cyanopyrazine over a supported vanadium oxides catalyst on ${\gamma}$-alumina was studied in a continuous-flow fixed bed reactor. Various crystalline phases of vanadium oxides were obtained depending on reduction temperatures. And also the activities for the reaction of methylpyrazine into cyanopyrazine were affected by their major oxidation states of the corresponding crystalline phases. The 10${\%}$ vanadium oxides loaded ${\gamma}$-alumina catalyst, which was reduced at 600$^{\circ}C$ under the hydrogen flow for 2 hours, showed the highest activity and the highest selectivity on cyanopyrazine in the ammoxidation of methylpyrazine.Its major crystalline phase was V$_2$O$_3$ with the presence of V$_6$O$_{13}$ and V$_2$O$_4$(VO$_2$) together. And this coexistance seemed to enhance the activity.

• Journal of the Korean Academy of Child and Adolescent Psychiatry
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• v.14 no.1
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• pp.81-94
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• 2003

Objectives：Developmental reading disorder is a condition which manifests significant developmenttal delay in reading ability or persistent errors. About 3-7% of school-age children have this condition. The purpose of the present study was to validate the diagnostic values of Word/Nonword Reading Test and Letter-Symbol Discrimination Task for the purpose of overcoming the caveats of Basic Learning Skills Test. Methods：Sixty-three reading-disordered patients(mean age 10.48 years old) and sex, age-matched 77 normal children(mean age 10.33 years old) were selected by clinical evaluation and DSM-IV criteria. Reading I and II of Basic Learning Skills Test, Word/Nonword Reading Test, and Letter-Symbol Discrimination Task were carried out to them. Word/Nonword Reading Test：One hundred usual highfrequency words and one hundred meaningless nonwords were presented to the subjects within 1.2 and 2.4 seconds, respectively. Through these results, automatized phonological processing ability and conscious letter-sound matching ability were estimated. Letter-Symbol Discrimination Task：mirror image letters which reading-disordered patients are apt to confuse were used. Reliability, concurrent validity, construct validity, and discriminant validity tests were conducted. Results：Word/Nonword Reading Test：the reliability(alpha) was 0.96, and concurrent validity with Basic Learning Skills test was 0.94. The patients with developmental reading disorders differed significantly from normal children in Word/Nonword Reading Test performances. Through discriminant analysis, 83.0% of original cases were correctly classified by this test. Letter-Symbol Discrimination Task：the reliability(alpha) was 0.86, and concurrent validity with Basic Learning Skills test was 0.86. There were significant differences in scores between the patients and normal children. Factor analysis revealed that this test were composed of saccadic mirror image processing, global accuracy, mirror image processing deficit, static image processing, global vigilance deficit, and inattention-impulsivity factors. By discriminant analysis, 87.3% of the patients and normal children were correctly classified. Conclusion：The patients with developmental reading disorders had deficits in automatized visuallexical route, morpheme-phoneme conversion mechanism, and visual information processing. These deficits were reliably and validly evaluated by Word/Nonword Reading Test and Letter-Symbol Discrimination Task.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.59.2-59.2
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• 2010

결정형 태양 전지의 보급화를 위하여 고순도 실리콘을 저렴하게 제조할 수 있는 기술 개발이 필요하다. 본 연구에서는 고순도 실리콘을 경제적으로 제조하기 위하여 대역 정제에 의한 일방향성 응고법을 이용한 정련 연구를 진행하였으며, 응고 속도와 고 액상의 온도 구배가 정련도에 미치는 영향을 분석 하였다. 본 실험에 사용된 일방향 응고장치는 실리콘 용탕이 장입된 도가니 하부의 열 교환기를 통한 냉각에 의해 용탕 하부에서 상부 방향으로의 일방향성 응고가 진행되며, 응고 진행시 용탕의 흔들림에 의한 정련능의 감소를 방지하기 위해 가열 영역이 이동하는 Stober 공정을 채택하였다. 가열 영역은 실리콘 용융을 위한 상부 가열 영역과 응고 진행시 응고부의 온도 제어를 위한 하부 가열 영역으로 구성되어 있으며, 두 가열 영역의 온도 제어를 통해 응고중인 실리콘의 고 액상의 온도 구배를 조절하였다. 일방향 응고에 의한 정련법에서 고 액상의 온도 구배가 증가할수록 2차 수지상의 발달이 감소하고, 주상정의 수지상 형태를 유지하게 되어 고 액 공존영역에서 액상 영역으로의 확산이 원활하게 이루어져 분배계수를 이용한 정련도가 좋아지게 되며, ICP 분석을 통해 온도 구배의 증가에 따라 정련능이 증가하는 양상을 확인 할 수 있었다. 고 액상의 온도 구배의 조절을 통한 공정 시간 대비 정련도의 향상을 통해 결정형 태양전지의 생산성의 증가를 통한 저가화를 이룰 수 있을 것이다.