The oscillation frequency tuning range of waveguide Gunn oscillator and its stability depend sensitively on the dimensions of the resonator. Therefore the embedding impedances with the various dimensions of the resonator for Q-band (33 ∼ 50 GHz) Gunn oscillator are calculated by using HFSS (High Frequency Structure Simulator). In this paper the comparisons between theoretical results of embedding impedances as a function of frequency and that of experimental results are described. And the oscillation frequency range could be predicted by using the theoretical evaluation methods which were proposed in this paper It shows that post size has an effect on the frequency tuning characteristics of Gunn oscillator.
Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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2000.11a
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pp.150-153
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2000
In this paper, we have designed a 2 stage MMIC power amplifier which has flat gains of in-band and reasonable out-band cutoff characteristics using 0.5$\mu\textrm{m}$ MESFET libra교 of ETRI. For the 1st stave, we obtaind P$_{1dB}$ of 9.2 dBm and gain 10.8 dB using 6 finger D-MESFET and P$_{1dB}$ of 18.4 dBm and gain of 10.8 dB using 14 finger D-MESFET for the 2nd stage, which is power matched using LIBRA's embedded TUNER. Also in-band gain flatness and out-band cutoff characteristics are obtained by attaching LC tank in the output matching circuit. The designed 2 stage MMIC power amplifier has bandwidth of 0.95~2.8 GHz, gain of 20 dB and P$_{1dB}$of 17.2 dBm. Especially gain flatness of $\pm$0.8dB was obtained in 1.8~2.5 GHz frequency ranges. And chip size is 1.4$\times$1.4 mm..4 mm.
Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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2003.11a
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pp.168-172
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2003
This paper analyzes the output noise and the noise figure of common source MOSFET pair each input of which is separately driven in the different frequencies. This analysis is performed for concurrent dual band cascode CMOS LNA with double inputs and single output fabricated in $0.18{\mu}m$ CMOS process. Since both inputs and output are matched to near $50{\Omega}$ using on-chip inductors, the measured noise figures are much higher than those of usual CMOS LNA. But, the main concern of this paper is focused on the added noise features due to the other channel common source stage. The dual-band LNA results in noise figure of 4.54dB at 2.14GHz and 6.03dB at 5.25GHz for selectable operation and 7.44dB and 6.58dB for concurrent operation. The noise analysis explains why the added noise at each band shows so large difference.
In order to reduce the size of the previous stepped slot antenna for UWB applications(3.1 ~ 10.6 GHz) to half, an open ended stepped slot antenna is proposed. The proposed antenna consists of a stepped slot etched on the ground plane as radiation part and a microstrip feed-line with rectangular patch on the top plane for wideband impedance matching. The proposed antenna is designed and fabricated on the FR4 substrate with dielectric constant of 4.3, thickness of 1.6 mm and size of $28.5{\times}32mm^2$. The measured impedance bandwidth (${\mid}S_{11}{\mid}{\leq}-10dB$) of the fabricated antenna is 7.99 GHz(3.01~11 GHz) which is sufficient to cover UWB band (3.1 ~ 10.6 GHz). In particular, it has been observed that antenna has a good omnidirectional radiation patterns and high gain over the entire frequency band of interest even though the size of the proposed antenna is reduced to half when compared with the previous antenna.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.15
no.1
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pp.15-20
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2020
In this paper, delay diffusion for exhibition hall and conference room was measured and analyzed in the indoor environment of the building. Scenarios for the indoor environment of the two buildings were written. also, the system configuration and measurement methods were conducted under the same conditions. The measurement conditions were set to 3 GHz and 6 GHz of center frequencies and analysis band selected 2 GHz. The measurement system consisted of vector network analyzer, power amplifier, omni-directional transmit and receive antenna, and transmission line. According to the indoor environment scenario of the two buildings, the location of the receiving antenna was divided into three zones based on the location of the transmitting antenna and this was measured at 1 m intervals according to 18 locations. The power delay profiles, RMS delay spread, and K-factor results of two buildings were compared and analyzed.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.18
no.8
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pp.887-894
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2007
In this paper, design and fabrication of the LPF with controllable four transmission zeros using electric coupling and added open stub is presented. Pass-band of the LPF is GSM band, and two transmission zeros are generated by the electric coupling at the WiBro and S-DMB band, And the other two transmission zeros are generated by the open stub at the upper frequencies. Harmonic frequency of the stop-band is suppressed by the realization of the filter using quasi-lumped element with small parasitic values. $C_M$, which is the electric coupling element of the equivalent circuit, is realized by the distance control between the open stubs of the filter structure. The fabricated LPF used teflon substrate with relative permittivity of 2.6. And it has a size of $38{\times}20{\times}0.79 mm^3$, which is including a feed line. The measured 3 dB cut-off frequency is 1.55 GHz, and locations of the transmission zeros are 2.20, 2.43, 4.11 and 6.84 GHz, respectively.
In this paper, the equivalent circuit of tapped-line that is applied in the feeding of the band-pass filter with high coupling is suggested and the value of an equivalent circuit is mathematically defined. An equivalent circuit of tapped-line is composed by open stub and additional transmission line, and the electrical lengths of stub and line can be obtained by the impedance of resonator and the inverter. The new equivalent circuit of tapped-line can be simply applied of design of band-pass filter and leads to very good agreement compared with theoretical value. The coupled-line band-pass filter using equivalent circuit of tapped-line shows the insertion loss of 1.97 dB and the return loss of 18.5 dB at the center frequency of 5.8 GHz.
본 논문은 Ku-band(12.4-18 GHz) 위성통신 시스템 및 이동통신 중계기용 송수신부에 사용되는 고안정도 전압제어 유전체 공진기(Voltage Controlled Dieletric Resonator Oscillator)의 설계 및 제작에 대해 논하였다. 유전체 공진기(Dielectric Resonator)의 등가회로 모델을 이용하여 유전체 공진 발진기(Dielectric Resonator Oscillator)를 설계 알고리즘화 하였다. 유전체 공진 발진기와 바렉터 다이오드를 이용하여 13.4 GHz의 전압 제어 유전체 공진 발진기를 제작하였다. 이때의 출력 전력은 +12dBm이고 위상잡음은 offset 주파수 100kHz에서 -105 dBc/Hz로 측정되었다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.9
no.3
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pp.153-159
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2009
A CMOS frequency synthesizer for $5{\sim}6$ GHz UNII-band sub-harmonic direct-conversion receiver has been developed. For quadrature down-conversion with sub-harmonic mixing, octa-phase local oscillator (LO) signals are generated by an integer-N type phase-locked loop (PLL) frequency synthesizer. The complex timing issue of feedback divider of the PLL with large division ratio is solved by using multimodulus prescaler. Phase noise of the local oscillator signal is improved by employing the ring-type LC-tank oscillator and switching its tail current source. Implemented in a $0.18{\mu}m$ CMOS technology, the phase noise of the LO signal is lower than -80 dBc/Hz and -113 dBc/Hz at 100 kHz and 1MHz offset, respect-tively. The measured reference spur is lower than -70 dBc and the power consumption is 40 m W from a 1.8 V supply voltage.
Kim, Kyung-Hwan;Oh, Kun-Chang;Park, Jong-Tae;Yu, Chong-Gun
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.57
no.5
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pp.889-895
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2008
In this paper a Fractional-N frequency synthesizer is designed for UHF RFID readers. It satisfies the ISO/IEC frequency band($860{\sim}960MHz$) and is also applicable to mobile RFID readers. A VCO is designed to operate at 1.8GHz band such that the LO pulling effect is minimized. The 900MHz differential I/Q LO signals are obtained by dividing the differential signal from an integrated 1.8GHz VCO. It is designed using a $0.18{\mu}m$ RF CMOS process. The measured results show that the designed circuit has a phase noise of -103dBc/Hz at 100KHz offset and consumes 9mA from a 1.8V supply. The channel switching time of $10{\mu}s$ over 5MHz transition have been achieved, and the chip size including PADs is $1.8{\times}0.99mm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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