• 한국ITS학회 논문지
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• 제13권2호
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• pp.50-56
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• 2014

본 논문에서는 LTE 700MHz(Band12, 13, 14, 17, 28, 44) 대역에서 동작 가능한 4개의 포트를 가진 펨토셀(Femtocell) MIMO 안테나를 설계 제작하였다. 마이크로스트립 패치 안테나를 기반으로 임피던스 매칭을 위하여 쇼트핀을 이용하였고, 한정된 크기에서 충분한 안테나 격리도를 얻기 위해 십자형 디커플러를 이용하였다. 시뮬레이션에 의한 최적화된 파라미터를 가지고 제작하였으며, 제작된 안테나는 VSWR${\leq}2$에서 105MHz(0.698~0.803) 대역폭을 만족하고 1.97dBi의 이득과 격리도는 13dB이상의 값을 얻었다. MIMO 안테나의 성능을 판단하는 주요 파라미터인 안테나간 상관계수는 0.2 이하의 결과를 얻었다.

• 정보관리학회지
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• 제26권3호
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• pp.335-353
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• 2009

RFID 시스템이 1990년대 말에 처음으로 도서관에 도입된 이래, 13.56MHz 주파수를 활용하는 HF 시스템과 900MHz 주파수를 활용하는 UHF 시스템에 대한 논란도 계속하여 확대되고 있다. 이에 본 연구에서는 HF RFID 시스템과 UHF RFID 시스템의 특징을 분석하고, 도서관 현장에서 적용되는 실제 상황에서의 장단점을 규명하고자 하였다. 이를 위해 국내 도서관의 RFID 시스템 도입현황과 국내의 대표적인 4개의 도서관 RFID 시스템의 도입사례(HF, UHF 각각 2개 도서관)를 분석하였다. 또한 HF RFID 시스템과 UHF RFID 시스템의 기능적 특징, ISO/DIS 28560에서의 주파수 논의, 각 시스템의 공급자 및 사용자 의견도 조사되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.333-338
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• 2008

본 논문에서는 유효한 DC 전압을 얻기 위해 요구되는 최소입력전압이 충분히 낮으면서도 소비전력이 기존의 정류기 보다 낮은 새로운 NMOS 전류미러형 브리지 정류기를 제안하였다. 설계된 정류기는 13.56 MHz의 HF (for ISO 18000-3)부터 915 MHz의 UHF (for ISO 18000-6) 및 2.45 GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 RFID Transponder에 내장된 마이크로 칩을 구동하기에 충분히 높고 잘 정류된 직류전압을 공급할 수 있다. 제안된 NMOS 정류기의 출력특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 동작 주파수 종가에 따른 게이트 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 회로적 방법을 이론적으로 제시하였다. 이러한 방법을 사용하여 설계된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 3V 피크-투-피크 입력전압과 $45\;K{\Omega}$ 부하저항에서 $100\;{\mu}W$의 소비전력 특성과 2.13V의 DC 출력전압이 구해졌다. 제안된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 기존의 정류기에 비해 UHF 및 마이크로파 대역에서도 안정적으로 동작하며, 보다 우수한 특성들을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2018년도 춘계학술대회
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• pp.232-234
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• 2018

본 논문에서는 RFID 태그와 리더로 구성되는 비접촉식 RFID 스마트 태그 시스템을 개발하였다.. 이시스템은 13.56MHz의 저주파수 대역으로 디자인하였다. 개발된 RFID 스마트 태그 보드는 AVR을 이용하여 디자인되었으며 시뮬레이션을 통하여 응답속도가 개선되는 결과를 얻었다. 또한 RFID 태그에 대한 회로 디자인, 시뮬레이션, 실험 결과를 설명하였다.

• 한국진공학회지
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• 제4권2호
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• pp.210-216
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• 1995

최근에 연구되고 있는 저온, 저압 플라즈마를 이용한 식각기술 중 차세대 반도체 metallization 공정에 응용될 수 있는 가장 적합한 기술이라 사료되는 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP)를 이용한 RF 스퍼터 식각 반응로를 제작하고 이에 대한 특성을 조사하였다. 유도용 주파수로서 13.56 MHz를 사용하였으며 유도결합을 일으키기 위해 3.5회의 나선형 평판형 코일을 사용함으로써 비교적 대면적에 균일한 고밀도 플라즈마를 얻을 수 있었다. 또한 기판에 독립적인 13.56MHz RF power를 가해 DC 바이어스를 인가함으로써 기판으로 입사하는 하전입자들의 에너지를 조절하여 기판에의 손상을 최소화하며 SiO2의 스퍼터 식각 속도를 극대화할 수 있었다. 따라서 이러한 특성을 갖는 유도 결합형 플라즈마 식각장치를 차세대 반도체의 RF스퍼터 식각 공정에 응용할 수 있으리라 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.489.1-489.1
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• 2014

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 장치를 통하여 증착된 수소화된 질화막(SiNx:H)은 결정질 태양전지의 반사방지막과 패시베이션 층으로 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 PECVD 장치내에 플라즈마를 형성하는 무선주파수(Radio Frequency)를 다양하게 변화시켜 수소화된 실리콘 질화막의 경향성을 알아보고 각 무선주파수에서 최적화된 패시베이션층을 태양전지에 적용하여 그 특성들을 분석하였다. 다양한 무선주파수 범위는 고주파(High Frequency: 13.56 MHz), 저주파 (Low Frequency: 440 kHZ) 그리고 혼합주파(Dual Frequency: 13.56 MHz + 440 kHz)를 각각 이용하여 수소화된 질화막을 증착 하였으며 $156{\times}156mm$ 대면적 결정질 실리콘 태양전지를 제작하여 비교하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.760-765
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• 1996

Silicon oxide thin films are prepared by plasma-enhanced CVD (PECVD) using 100kHz and 13.56MHz generators. Source gases are two sorts of mixture, tetramethoxysilane (TMOS) and oxygen, and tetramethylsilane (TMS) and oxygen. We investigate the effect of frequency on film properties of deposited films including mechanical properties. 100kHz PECVD process can deposit silicon oxide films at $23^{\circ}C$ at the power of 20W. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), infrared spectroscopy (IR) and ellipsometric measurements reveal that the structural quality of the films prepared both by 100kHz process and by 13.56MHz process are very like silicon dioxide. The 100kHz process is adequate for low temperature deposition of SiOx films.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권3호
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• pp.35-38
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• 2005

Due to high permeability of the ferrite cores, the characteristics of the inductively coupled plasma(ICP) are expected to be greatly improved. We investigated the effect of the ferrite cores on conventional inductively coupled plasma. It was observed that the current and voltage in the ICP antenna are slightly decreased and the power transfer efficiency is increased. However, due to eddy current and hysteresis loss, plasma density in the ICP with the ferrite cores is not increased. It seems that the ICP with the ferrite cores at low frequency ($\∼$100 kHz) will be greatly improved since the losses at the low frequency can be negligible.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.17-20
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• 1994

PTCRl(positive temperature coefficient of resistivity) thermistors in the thin file BaTiO$_3$ system were deposited by radio frequency (13.56 MHz) and dc radio frequency (13.56MHz) and dc magnerton sputter equipment. R-T(resistivity -temperature) properties was investigated as a function of substrate and the temperature variation. The specimens make a comperison between the thin films and the bulk in the resistivity variation. Substrate temperature. deposition time. and forward power are deposited at the 400$^{\circ}C$, 10 hours, and 210 watt. respectively. The aim of this work is to obtain lower than bulk specimen resistivity in thin films BaTiO$_3$ system thermistor by RF/DC magnetron sputter equipment.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.197-202
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• 2005

Due to high permeability of the ferrite core, the characteristics of the ICP are expected to be greatly improved. We investigated the effect of the ferrite cores on conventional inductively coupled plasma. It was observed that the current and voltage in ike ICP antenna are slightly decreased and the power transfer efficiency is increased. However, due to eddy current and hysterisis loss, plasma density in the ICP with the ferrite cores is not increased. It seems that the ICP with the ferrite cores at low frequency (${\~}$100kHz) will be greatly improved since the losses at the low frequency can be negligible.