• Korean Journal of Acupuncture
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• 제24권1호
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• pp.65-77
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• 2007

목 적 : 본 연구(硏究)는 수소양삼초경근(手少陽三焦頸筋)의 이론적(理綸的) 근거(根據)를 해부학적(解剖學的)으로 제공(提供)하고 임상(臨床)에 경근(經筋)의 정확(正確)한 적용(適用)을 위함이다. 방 법 : Cadaver에 경근(經筋)을 표시(表示)하고 각각(各各)의경 경혈부위(經穴部位)에 표식(標識)와 pore 작업을 수행하고 각 경혈부(經穴部)를 피부(皮膚), 근막(筋膜), 그리고 근육(筋肉)의 천층(淺層), 중문층(中問層), 그리고 심층부(深層部)를 순서적(順序的)으로 해부(解剖)하여 근육(筋肉), 신경(神經), 혈관(血管) 등을 관찰(觀察)한다. 결 과 및 결 론 : 수소양삼초경근(手少陽三焦經筋)의 해부학적(解剖學的) 고찰(考察) 결과(結果)는 다음과 같다. 1) 근(筋) 육(肉) : 천층에 근막(TE1), 근막확장대(TE2), 근막과 근간결합(TE3), 근막과 신근지대(TE4), 근막과총지신근건(TE5), 근막및 총지신근과 소지신근간(TE6), 근막과 소지신근(TE7), 총지신근(TE8), 척측수근신근과 소지신근간(TE9), 상완삼두근건(TE10, 11), 상완삼두근(TE12), 삼각근(TE13), 삼각근및 극하근과 극상근간(TE14). 승모근(TE15), 흉쇄유돌근(TE-16, 17, 18), 후이개근(TE19, 22), 상이개근(TE20), 전이개근및 이하선근막(TE21), 안륜근(TE23), 중층에 소지신근건과 총지신근건간(TE4), 측두근막과 측두근(TE2O, 22, 23), 심층에 배측골간근(TE3), 시지신근과 골간막(TE5) 장모지신근(TE6), 시지신근(TE7), 장지신근과 장모지외전근간(TE8, 9), 상완삼두근(TE13), 견갑거근(TE15), 두판상근(TE16), 경상설골근과 하악이복근간(TE17) , 이복근(TE18) .2) 신(神) 경(經) : 천층에 척골신경의 배측지(TE1, 2, 3), 후전완피신경(TE4, 5, 6, 8, 9, 10, 11), 내측전완피신경(TE5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), 후상완피신경(TE12, 13), 상외측상완피신경(TE13), 외측쇄골상신경(TE14, 15),대이개신경(TE16, 17, 18, 19), 소후두신경(TE19, 20), 이개측두신경(TE20, 21, 22), 안면신경측두지(TE22, 23), 관골측두신경(TE23), 중층에 견갑상신경(TE15), 견갑배신경(TE15), 경상설골근신경(TE17), 후이개신경(TE18, 19, 20), 안면신경측두지(TE20, 21, 22), 심층에 후골간신경(TE5, 6, 7), 요골신경심지(TE8, 9, 12, 13), 견갑상신경(TE14), 액와신경가지(TE14), 부신경(TE16), 안면신경과 부신경가지(TE17), 설인신경(TE17), 설하신경(TE17), 경신경고리(TE17), 미주신경(TE17), 안면신경 (TE18). 3) 혈(血) 관(管) : 천층에 척측정맥배측지(TE1, 2), 고유수장지동맥배측지(TE1), 배측중수골동맥배측지(TE2), 배측중수골정맥(TE3), 척측피정맥(TE4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), 배측정맥궁(TE4), 부요측피정맥(TE6, 8, 9),요측피정맥(TE10, 11), 후견봉정맥가지(TE13, 14), 후이개동 ${\cdot}$ 정맥(TE16, 17, 18, 19, 20), 전이개동 ${\cdot}$ 정맥(TE20), 천측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE22, 23), 중층에 후상완회선동맥(TE14), 견갑배동맥(TE15), 견갑상동맥(TE15),천측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE21), 관골측두동 ${\cdot}$ 정맥(TE23), 심층에 배측중수골동맥(TE3), 배측수근동맥궁(TE4), 후골간동맥(TE4, 5, 6, 7, 8, 9), 전골간동맥(TE6, 7, 9), 심상완동맥(TE10, 11), 상완동맥측부지(TE10, 11), 중간 측부동맥(TE12), 요측측부동맥(TE12), 심상완동맥가지(TE13), 후상완회선동맥(TE13), 견갑상동맥(TE14), 후두동 ${\cdot}$ 정맥(TE16, 17), 내경정맥(TE17). 결 론 : 1. 수소양삼초경근(手少陽三焦經筋)은 근육(筋肉), 그리고 관련(關聯) 신경(神經), 혈관(血管)으로 구성된다. 2. 본 연구(硏究)는 경근(經筋)에 관한 기존(旣存)의 연구(硏究)와 비교(比較)하여 볼 때에 경근(經筋)의 구성요소(構成要素)에 있어서 약간(若干)의 차이(差異)를 보여준다. 3. 해부학적(解剖學的) 연구결동(硏究結東), 경근(經筋) 근육(筋肉)을 지배(支配)하는 신경(神經)${\cdot}$혈관(血管)의 개념(槪念)과 경근(經筋)을 스쳐 지나가는 신경(神經)${\cdot}$혈관(血管)의 개념(槪念)은 구분(區分)된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.139-140
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• 2005

The photocurrent characteristics of CdTe/HgTe/CdTe structured nanoparticles are studied. CdTe/HgTe/CdTe multilayer structured nanoparticles were synthesized by colloidal method. CdTe/HgTe/CdTe multilayer structured nanoparticles were characterized by x-ray diffraction, high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM), absorbance and photoluminescence(PL). PL spectrum of CdTe/HgTe/CdTe multilayer structured nanoparticles exhibits a strong exciton bond in the near infrared range. The I-V curves and photoresponses revealed that CdTe/HgTe/CdTe multilayer structured nanoparticles are very prospective materials for the photodetectors.

• 한국결정학회지
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• 제12권3호
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• pp.171-176
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• 2001

(100), (111), (211)CdZnTe 기판 및 (100)GaAs 기판위에 HgCdTe 박막을 MOVPE 법으로 성장하였다. 기판의 방위에 따라 성장된 박막의 표면형상, 전기적 특성, 결정성 및 조성의 변화를 분석하였다. (111) CdZnTe 기판 위에서는 3차원적인 facet 형태의 성장이 일어났다. (100) CdZnTe 기판 위에 성장된 HgCdTe 박막의 경우 DCX반치폭은 55arcsec 정도로 125 arcsec의 반치폭을 보인 (100) GaAs에 비하여 우수한 결정성을 나타내었다. 그러나 전기적인 특성은 GaAs 기판의 경우, 이동도가 높은 n-형 전도성을 보였으나 CdZnTe 기판을 사용한 경우에는 10/sup 16/㎤ 이상의 운반자 농도를 갖는 p-형 전도성을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.199-205
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• 2010

The crystallization speed (v) of amorphous (InTe)$_x$(GeTe) (x = 0.1, 0.3 and 0.5) films and their thermal, optical and electrical behaviors have been investigated using nano-pulse scanner (wavelength = 658 nm, laser beam diameter < 2 ${\mu}m$), X-ray diffraction (XRD), 4-point probe and UV-vis-IR spectrophotometer. These results were compared with those of $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) film, comprehensively utilized for phase-change random access memory (PRAM). Both v-value and thermal stability of (InTe)$_{0.1}$(GeTe) and (InTe)$_{0.3}$(GeTe) films could be enhanced in comparison with those of the GST. Contrarily, the v-value in the (InTe)$_{0.5}$(GeTe) film was so drastically deteriorated that we could not quantitatively evaluate it. This deterioration is thought because amorphous (InTe)$_{0.5}$(GeTe) film has relatively high reflectance, resulting in too low absorption to cause the crystallization. Conclusively, it could be thought that a proper compositional (InTe)$_x$(GeTe) films (e.g., x < 0.3) may be good candidates with both high crystallization speed and thermal stability for PRAM application.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권4호
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• pp.41-49
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• 2008

n형 Bi-Te 박막과 p형 Bi-Sb-Te 박막을 전기도금법으로 형성하여 열전특성을 측정하였으며, Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어의 전기도금 성장거동을 분석하였다. 알루미나 템프레이트의 200nm 직경의 나노기공 내에 전기도금으로 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 형성시 각기 81%와 77%의 filling 비를 나타내었다. 알루미나 템프레이트에 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 순차적으로 전기도금하여 열전소자를 구성하였으며, Bi-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극과 Bi-Sb-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극 사이에서 $15{\Omega}$의 저항이 측정되었다.

• 태양에너지
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• 제11권3호
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• pp.74-83
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• 1991

본 논문은 substrate의 온도를 $200{\pm}1^{\circ}C$ 정도로 유지하며 진공저항 가열 증착법을 이용하여 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지와 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막을 제작한 후 그 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 제작한 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지와(n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막에 대하여 $100[mW/cm^2]$의 광조사 하에서 특성을 조사한바 다음과 같은 결과를 얻었다. 단략전류$[mA/cm^2]$ (p)ZnTe/(n)Si:28 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:6.5 개방전압[mV] (p)ZnTe/(n)Si:450 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:250 충실도, FF (p)ZnTe/(n)Si:0.65 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:0.27 변환효율[%] (p)ZnTe/(n)Si:8.19 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:2.3 제작된 박막은 열처리에 의해 성능이 향상되지만 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지는 약 $470^{\circ}C$ 이상의 온도와 15분 이상의 열처리 시간에서 그리고 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막은 약 $580^{\circ}C$ 이상의 온도와 15분 이상의 열처리 시간에서는 박막의 각종 구조결함으로 인한 감소현상을 나타내었다. 열처리 온도의 증가에 따라 박막의 표면저항은 감소하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권7호
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• pp.599-604
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• 2011

A highly strained nanostructure comprising crystallographically aligned HgTe nanoinclusions and a surrounding PbTe matrix has been synthesized using a precipitation process of supersaturated HgTe-PbTe alloys. From the early precipitation stage, HgTe nanoinclusions take disk shape, which is transformed from initial HgTe nuclei, although there is no lattice constant difference of the two end components at standard state. As a primary reason for the morphological transformation of the initial spherical HgTe nuclei to HgTe nanodisks, the induced lattice mismatch is suggested. On the condition that the HgTe nanodisks maintain perfect coherent nature with PbTe matrix, the stress-free lattice constant of constrained HgTe nanodisks has been calculated based on the defined concept of the strain-induced tetragonality, the linear elasticity and the actual measurement in HRTEM images.

• Current Photovoltaic Research
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• 제3권1호
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• pp.10-15
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• 2015

Cu doping by copper or $Cu_2Te$ materials enhances p+ formation in CdTe near the back contact interface, allowing better formation of ohmic contact. However, the Cu in CdTe junction is also considered as a principal component of CdTe cell degradation. In this paper, Na-doped ZnTe layer was employed as a back contact material to improve the stability of CdTe solar cells. As a process variable, post $CdCl_2$ treatment of CdS/CdTe film was conducted before or after depositing ZnTe:Na on CdTe. The change of the photovoltaic properties of CdTe cells were investigated with aging time. Low-temperature photoluminescence analysis was conducted to describe the degradation mechanism. The result showed that the CdTe solar cells with better stability compare to Cu contact were achieved using an optimized ZnTe:Na back contact.

• 한국결정학회지
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• 제1권2호
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• pp.66-75
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• 1990

Pd-Te계의 상평형도를 시차열분석, X선회절분석, 전자현미분석, 반사현미경을 사용해 연구하였다. 본 계의 0-50 at.%Te 부분의 새로운 상관계가 정립되었다. 본 계에는 Pd17Te4, Pd20Te7, Pd8Te3, Pd7Te3, PdgTe4, Pd3Te2, PdTe, PdTe2 등 8개의 화합물이 존재하며 이중 Pd17Te4와 Pd7Te3는 처음 보고되는 신종 화합물이다. Pd17Te4는 등축정계이며 공간군 Fd3r에 속하며 단위포 크기 (a)는 12. 678(5)차이다. PdaTe.4와Pd7Te3의 X선회절분말자료는 사방정계의 단위포 a=12.843(3), b=15.126(3), c=11.304(2)A와 단사 정계의 단위포 a=7.444(1), b=13.918(2), c=8.873 (2)il, β=92.46(2)에 의해 각각 격자지수화가 가능하였다. 본계에 존재하는 합성 화합물의 일부 물리적, 광학적 자료를 새로 보고하였다.

• 자원환경지질
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• 제26권3호
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• pp.327-335
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• 1993

자연에는 팔라듐을 주성분으로 하는 백금족광물이 다수 산출되고 있다. 그 중 일부 광물은 독립된 광물로서 결정학적 광물학적 연구가 잘 되어 있는 반면 아직도 광물로서의 특성이 완전하게 규명되지 못한 경우도 상당수가 있다. 따라서 이 연구에서는 팔라듐-안타몬-테루르 성분계를 택해 이 3성분계에서의 상관계를 $1000^{\circ}C$, $800^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 각각 연구하고 이들 연구결과를 천연광물을 보다 체계적으로 규명 보완하는데 적용시키는 것을 그 연구 목적을 두었다. 합성실험을 위해 순수한 원소물질을 정량적으로 혼합시킨 후 실리카 튜브에 넣고 진공상태에서 밀봉하였다. 전기 고온로에서 가열반응시킨 시료는 얼음물을 이용해 급냉시켰으며 반응물은 반사현미경, 전자현미분석, X선 회절법 등으로 분석하였다. $1000^{\circ}C$에서 안정한 고체로는 Pd, $Pd_{20}Sb_7$, $Pd_8Sb_3$, $Pd_{31}Sb_{12}$, $Pd_5Sb_2$가 있다. $800^{\circ}C$에서는 $Pd_5Sb_3$, PdSb, $Pd_8Te_3$, $Pd_7Te_3$, $Pd_{20}Tc_7-PdSb_7$ 완전고용체가 추가로 존재한다. $600^{\circ}C$에서는 $PdSb_2$, $Pd_{17}Te_4$, $Pd_9Te_4$, PdTe, $PdTe_2$, $Sb_2Te_3$, Sb, 그 밖에 PdSb-PdTe와 PdTe-$PdTe_2$ 고용체가 다시 안정한 고체 화합물로 추가된다. 모든 고체 화합물이 Sb와 Te간의 원소치환에 의해 고용체를 이루고 있으며 그 고용한계의 범위는 생성온도에 따라 변한다. Pd-Sb화합물에서 안티몬(Sb)를 치환하는 테루르(Te) 최대 치환범위(at.%)는 $Pd_8Sb_3$에서 44.3, $Pd_{31}Sb_{12}$에서 52.0, $Pd_5Sb_2$에서 46.2이며 그 최대 치환현상은 $800^{\circ}C$에서 일어난다. $Pd_5Sb_3$와 $PdSb_2$에서의 최대 치환은 $600^{\circ}C$에서 일어나며 그 정도는 각각 15.3, 68.3이다. Pd-Te화합물에서 Te를 치환하는 Sb의 최대치(at.%)는 $Pd_8Te_3$가 $800^{\circ}C$에서 34.5, $Pd_7Te_3$, $Pd_{17}Te_4$, $Pd_9Te_4$, $PdTe_2$는 $600^{\circ}C$에서 각각 41.6, 5.2, 19.1로 나타난다. $Pd_9Te_4$, PdTe, $PdTe_2$, $Pd_8Sb_3$, PdSb, $Sb_2Te_3$는 각각 tellurantimony와 일치하며 광학적 결정구조적 성질이 매우 잘 일치한다. 지금까지 등축정계의 Pa3구조를 가지고 있는 것으로 알려진 $PdSb_2$화합물은 Gandolfi camera와 Guinier camera법에 의해 310으로 격자 지수화할 수 있는 $2.035{\AA}$ peak가 일정하게 기록이 되므로 $P2_13$공간군에 속하는 것으로 재평가 된다. Testibiopal1adite의 성분을 가지는 PdSbTe성분의 화합물을 합성하여 X선 회절분석을 실시하면 testibiopalladite의 X선 회절양상과 일치함을 알 수 있다. 이 사실은 testibiopalladite가 등축정계이며 동시에 $P2_13$공간군에 속하는 $PdSb_2-Pd(Sb_{0.32}Te_{0.68})$고용체의 일부분에 속하는 광물임을 알 수 있게 한다. 따라서 현재의 testibiopalladite의 이상화학식인 PdSbTe는 PdTe(Sb, Te)로 바뀌어져야 할 것으로 믿어진다. $Pd_3SbTe_4$로 표현되는 borovskite는 $1000^{\circ}{\sim}600^{\circ}C$의 온도범위에서는 존재하지 않음을 알 수 있다.