원자층 증착법으로 형성된 $Al_{2}O_{3}$ 층을 이용한 MOS 구조에서 폴리 실리콘 층의 전기적 특성에 관한 연구
(Electrical Properties of poly Si layers embedded in metal-oxide-semiconductor structure by using atomic-layer-deposited alumina layers as blocking oxide)
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- 대한전기학회:학술대회논문집
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- 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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- pp.1353-1354
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- 2007