본 논문에서 구현한 GenJTAG은 기판 수준의 테스팅을 위한 정보와 BIST(Built-In Self Test)에 대한 정보를 입력으로 받아 verilog-HDL 코드로 기술된 경계 주사 회로를 자동 생성해 주는 설계 자동화 툴이다. 대부분이 상용 툴들은 생성된 회로를 게이트 수준의 회로로 제공하기 때문에 사용자가 선택적으로 사용할 수 있는 BIST 관련 명령어를 회로에 추가하기가 어려운데 반해, 본 논문에서 구현한 툴은 사용자가 정의한 정보에 의해 BIST 관련 명령어를 지원할 수 있는 behavioral 코드의 경계 주사 회로를 생성하여 준다. 또한 behavioral 코드를 제공함으로써 사용자에 의한 수정을 용이하도록 하였다.
In this study, the deposition of micrometer-scale metallic interconnects on LCD glass for the repair of open-circuit type defects is investigated. Although there had been a few studies Since 1980 s for the deposition of metallic interconnects by laser-induced chemical vapor deposition, those studies mostly used continuous wave lasers. In this work, a third harmonic Nd:YLF laser (351nm) of high repetition rates, up to 10 KHz, was used as the illumination source and $W(CO)_6$ was selected as the precursor. General characteristics of the metal deposit (tungsten) such as height, width, morphology as well as electrical properties were examined for various process conditions. Height of the deposited tungsten lines ranged from 35 to 500 nm depending on laser power and scan speed while the width was controlled between $3\~50{\mu}$ using a slit placed in the beam path. The resistivity of the deposited tungsten lines was measured to be below 1 $O\cdot{\mu}m$, which is an acceptable value according to the manufacturing standard. The tungsten lines produced at high scan speed had good surface morphology with little particles around the patterns. Experimental results demonstrated that it is likely that the deposit forms through a hybrid process, namely through the combination of photolytic and pyrolytic mechanisms.
본 논문에서는 LCD 시스템에서 호스트와 LCD 컨트롤러사이의 인터페이스를 위한 새로운 데이터 코딩기법과 회로를 제안한다. 제안한 회로는 기존의 국제 표준으로 사용되고 있는 LVDS(Low Power Differential Signaling)를 수정한 회로와 데이터 천이 최소화를 위한 추가적인 직렬 데이터 코딩 기법으로 한 클럭에 2비트의 신호를 동시에 전송할 수 있다. 이에 따라 동작 주파수를 절반으로 줄일 수 있으며 differential signaling으로 전자파 장애와 전력소비 문제를 동시에 해결할 수 있다. 제안한 회로의 성능평가를 위하여 기존의 signaling기법과 전력 소비와 데이터 전송 속도 측면에서 비교 분석하였으며, 컴퓨터 시뮬레이션 결과를 통해 향상된 데이터 천이 감소율을 보임을 확인하였다.
산업.경제.문화.교육 등 사회전반에 걸쳐 커다란 변혁을 가져오고 있는 정보화의 물결은 전통적인 법체계의 대폭적인 수정.보완을 요구하고 있다. 세계 주요 선진국가에서는 이미 1970년대 부터 정보화시대에 대응한 새로운 입법이 활발하게 전개되고 있는 바 본지는 이번호 부터 외국의 법제동향과 우리나라의 입법상 대응 또는 고려할 문제를 연재, 정보화사회로 가는 지름길을 모색해본다.
이동편 간이형 FM송신기를 제작할때 종전방식에 의한 리액턴스변조방식보다 VVC다이오드를 사용한 수정주파수변조방식이 채배단을 필요치않기 때문에 변조기로서 더 적합하다. 이때 수정발진자와 변조회로소자 및 VVC다이오드와의 관계에서 가장 변조직선성이 좋으면서 중심주파수의 안전도를 허용범위내에 들게하려면 어떻게 하면 되는가를 이론적해석과 실험적결과로서 입증하였다.
메모리 설계 기술과 제조 공정의 발전에 따라, 고집적 메모리의 생산이 본격화 되었다. 이러한 메모리의 고집적화는 복잡하고 정밀한 설계와 제조 공정을 필요로 하기 때문에, 메모리 내에 더 많은 고장을 존재할 가능성을 낳았다. 이에 따라 메모리에서 발생하는 여러 고장을 분석하고 메모리를 수리하여 공정상의 문제를 수정하기 위해, BISR(Built-In Self-Repair) 회로의 중요성이 부각되고 있다. 본 논문에서는 주어진 예비 메모리를 효율적으로 사용하여 고장이 발생한 메모리를 효과적으로 수리할 수 있는 메모리 내장형 자체 수리 회로의 구조와 그 방법론에 대해서 소개하고자 한다. 제안하는 자체 수리 회로는 sign bit이라는 추가적인 저장 장치를 이용하여 메모리 수리를 수행한다. 이는 기존에 비해 좀 더 향상된 성능을 가지고 있다.
본 논문에서는 유한체 $GF(2^m)$의 응용을 위한 새로운 비트-시리얼 나눗셈 회로를 제안한다. 제안된 나눗셈 회로는 수정된 바이너리 최대 공약수 알고리즘에 기반하며, 2m-1 클락 사이클 비율로 나눗셈 결과를 출력한다. 본 연구에서 제안된 회로는 기존의 비트-시리얼 나눗셈 회로에 비해 속도에서 $43\%$, 칩 면적에서 $20\%$의 성능 개선을 보인다. 또한 제안된 회로는 기약다항식의 선택에 있어 어떠한 제약 조건도 두지 않을 뿐 아니라 매우 규칙적이고 모듈화 하기 쉽기 때문에 필드 크기 m에 대해 높은 유연성 및 확장성을 제공한다. 따라서 본 논문에서 제안된 나눗셈 회로는 저면적을 요구하는 $GF(2^m)$의 응용에 매우 적합하다.
This paper presents the results for deposition of micrometer-scale metal lines on glass for the development of TFT-LCD circuit repair-system. Although there had been a few studies in the late 1980's for the deposition of metallic interconnects by laser-induced chemical vapor deposition, those studies mostly used continuous wave lasers. In this work, a third harmonic Nd:YLF laser (351nm) of high repetition rates, up to 10 KHz, was used as the illumination source and W(CO)s was selected as the precursor. General characteristics of the metal deposit (tungsten) such as height, width, morphology as well as electrical properties were examined for various process conditions. Height of the deposited tungsten lines ranged from 35 to 500 m depending on laser power and scan speed while the width was controlled between 50um using a slit placed in the beam path. The resistivity of the deposited tungsten lines was measured to be below $1{\Omega}{\cdotu}um$, which is an acceptable value according to the manufacturing standard. The tungsten lines produced at high scan speed had good surface morphology with little particles around the patterns. Experimental results demonstrated that it is likely that the deposit forms through a hybrid process, namely through the combination of photolytic and pyrolytic mechanisms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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