• 제목/요약/키워드: 화학 반응성 식각

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Structure-Property Relationship of PVA-SbQ Water Soluble Photosensitive Polymer and its Application to Screening Process of Color Monitor (PVA-SbQ 수용성 감광성 고분자의 구조와 감도관계 및 칼라 수상관 스크린 공정에의 응용)

  • Park, Lee Soon;Han, Yoon Soo;Kim, Bong Chul
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.7 no.2
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    • pp.379-386
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    • 1996
  • Photosensitive compound, 1-methyl-4-[2-(4-diethylacetylphenyl)ethenyl] pridinium methosulfate(SbQ-A salt), was synthesized from dimethyl sulfate, terephthalaldehyde mono-(diethylacetal) and 4-picoline. SbQ-A salts were reacted with poly(vinyl alcohol)s, (PVA) in aqueous solution with phosphoric acid as catalyst to give photosensitive PVA-SbQ with different SbQ content and molecular weight. Relative photosensitivity of PVA-SbQ was determined by gray scale(GS) method. The rotative sensitivity of PVA-SbQ increased with increasing amount of bound SbQ in the case of high molecular weight(MW=77,000-79,000g/mol) as substrate and decreased with decreasing molecular weight of PVA with about constant(1.3mol%) amount of bound SbQ. The most sensitive polymer was obtained when SbQ group content in PVA-SbQ reached about 2.63mol% in the case of high molecular weight(77,000-79,000g/mol) PVA. This sample showed 90 times greater sensitivity than dichromated PVA as reference photosensitive system. PVA-SbQ photosensitive polymer synthesized was applied to the photolithographic screening process of phosphor on the panel of cathode ray tube(CRT). Phosphor slurry was made with PVA-SbQ, phosphor, a small amount of surfactant and other additives using water as medium. The slurry was coated onto panel, dried by heater, exposed to UV light and then developed by distilled water. When a small amount of cationic surfactant such as cetyltrimethylammonium chloride was used in the slurry formulation, the sharpness of phosphor pattern was equal to or better than that of dichromated PVA photosensitive polymer system used currently.

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Effect of Fluorination and Ultrasonic Washing Treatment on Surface Characteristic of Poly(ethylene terephthalate) (불소화 및 초음파 수세가 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) 필름의 표면 특성에 미치는 영향)

  • Kim, Do Young;In, Se Jin;Lee, Young-Seak
    • Polymer(Korea)
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    • v.37 no.3
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    • pp.316-322
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    • 2013
  • In this study, poly(ethylene terephthalate) (PET) was treated with fluorination and ultrasonic washing treatment for hydrophilic modification of PET film. We measured the change of surface modified PET film surface characteristics using contact angle, surface free energy, FE-SEM, AFM and XPS. After direct fluorination and ultrasonic washing treatment, the water contact angle was measured to be $10.81^{\circ}$, 85% reduction compared to the untreated PET film. Total surface free energy has been measured to be $42.25mNm^{-1}$, 650% increase compared to the untreated PET film. Also RMS roughness has been measured to be 1.965 nm, 348% increase compared to the untreated PET film. Hydrophilic functional group C-OH bond concentration has increased approximately 3 times. These results are attributed to the hydrophilic functional group and cavitation due to chemical etching. From this result, it was suggested that the fluorination-ultrasonic washing treatment method could be useful to make PET film surface hydrophilic.

A Study on Batch-Type Remote Plasma Dry Cleaning Process for Native Oxide Removal (배치식 플라즈마 세정 설비를 이용한 자연산화막 제거 공정)

  • Park, Jae-Young;Yi, Wook-Yeol;Hyung, Yong-Woo;Nam, Seok-Woo;Lee, Hyeon-Deok;Song, Chang-Lyong;Kang, Ho-Kyu;Roh, Yong-Han
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.11a
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    • pp.247-251
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    • 2004
  • 반도체 소자의 제조에 있어 실리콘 표면에 성장한 자연산화막을 제거하기 위해 일반적으로 습식 세정 기술이 이용되어 왔다. 하지만 소자의 최소 선폭(design rule)이 nano급으로 고집적화 됨에 따라 contact hole 바닥의 자연산화막을 깨끗이 제거하는데 있어서 그 한계를 나타나고 있다. 이에 대한 효과적인 대안 공정으로 가스 건식 세정 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 한 번에 50매 이상의 웨이퍼를 처리함으로써 생산성 측면에서 월등한 배치식 설비에서 원거리 플라즈마(remote plasma) 장치에서 2.450Hz의 마이크로웨이브(${\mu}$-wave)에 의해 형성시킨 수소라디칼과 $NF_3$ 가스를 이용하여 실리콘에 결함을 주지 않고 자연산화막을 선택적으로 제거하는 공정에 대해 고찰하였다. AFM을 이용한 표면분석, TEM을 이용한 물성분석, 그리고 ToF-SIMS 및 XPS를 이용한 화학 분석을 습식 및 건식 세정을 비교 평가한 결과, 건식 세정 공정이 실리콘 표면에 결함을 주지 않고 자연산화막을 제거 할 수 있음을 확인하였다. 산화막$(SiO_2)$, 질화막$(Si_3N_4)$, 그리고 다결정 실리콘(Poly-Si) 등의 각 막질별 식각 특성을 고찰하였으며, $NH_3$의 캐리어 가스인 $N_2$의 주입량을 조절함으로써 수소라디칼 형성 효율의 개선이 가능하였으며, 이로부터 게이트와 소스/드레인 사이를 절연하기 위해 이용되는 질화막의 식각 선택비를 2배 정도 개선할 수 있었다. nano급 소자에 실장하여 평가한 결과에서 불산(HF)에 의한 습식 세정 방식에 비하여 약 $20{\sim}50%$ 정도의 contact 저항 감소 효과가 있음이 확인되었다.두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기법에 의해서 개선되었다. 답이 없는 문제, 문제 만들기, 일반화가 가능한 문제 등으로 보고, 수학적 창의성 중 특히 확산적 사고에 초점을 맞추어 개방형 문제가 확

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Properties of Pt/${Al_0.33}{Ga_0.67}N$ Schottky Type UV Photo-detector (Pt 전극을 이용한 ${Al_0.33}{Ga_0.67}N$ 쇼트키형 자외선 수광소자의 동작특성)

  • 신상훈;정영로;이재훈;이용현;이명복;이정희;이인환;한윤봉;함성호
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.40 no.7
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    • pp.486-493
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    • 2003
  • Schottky type A $l_{0.33}$G $a_{0.67}$N ultraviolet photodetectors were fabricated on the MOCVD grown AlGaN/ $n^{+}$-GaN and AlGaN/AlGaN interlayer/ $n^{+}$-GaN structures. The grown layers have the carrier concentrations of -$10^{18}$, and the mobilities were 236 and 269 $\textrm{cm}^2$/V.s, respectively. After mesa etching by ICP etching system, the Si3N4 layer was deposited for passivation between the contacts and Ti/AL/Ni/Au and Pt were deposited for ohmic and Schottky contact, respectively. The fabricated Pt/A $l_{0.33}$G $a_{0.67}$N Schottky diode revealed a leakage current of 1 nA for samples with interlayer and 0.1$\mu\textrm{A}$ for samples without interlayer at a reverse bias of -5 V. In optical measurement, the Pt/A $l_{0.33}$G $a_{0.67}$N diode with interlayer showed a cut-off wavelength of 300 nm, a prominent responsivity of 0.15 A/W at 280 nm and a UV-visible extinction ratio of 1.5x$10^4./TEX>.