• Title/Summary/Keyword: 홀 효과

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A Study on the Thermal Behaviors of Disk Brake and Pad by Friction Heat (디스크 브레이크와 패드의 마찰열에 의한 열적거동에 관한 연구)

  • Han, Seung-chul
    • Journal of the Korea Convergence Society
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    • v.10 no.12
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    • pp.287-292
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    • 2019
  • This paper analyzes the thermal behaviors of genuine discs used in automobiles and discs coming out of tuning products through FEM analysis. Modeling with genuine disk modeling and tuning disks Model-1, Model-2, Model-3 and analyzing the disk rotation speed was set to 1000rpm. When the brake is operated, the thermal behavior of the disk surface, such as the operating temperature caused by the disk and pad contact, the friction surface temperature after the disk stop, and the thermal deformation, were analyzed. When the brake was activated (0-4.5 seconds), the tuning disk showed 34℃ higher than the original disk, and after the disk stopped (40.5 seconds), the tuning disk was analyzed 18℃ lowe, deformation due to the disk heat was deformed by 0.3mm for the tuning disk. Although there is an effect to reduce the fading phenomenon due to the thermal behavior of the pure disk and the tuning disk, it can be observed that there is no significant change in the thermal behavior due to the hole processing and the disk surface processing of the tuning disk.

DRAM Package Substrate Using Via Cutting Structure (비아 절단 구조를 사용한 DRAM 패키지 기판)

  • Kim, Moon-Jung
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.48 no.7
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    • pp.76-81
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    • 2011
  • A new via cutting structure in 2-layer DRAM package substrate has been fabricated to lower its power distribution network(PDN) impedance. In new structure, part of the via is cut off vertically and its remaining part is designed to connect directly with the bonding pad on the package substrate. These via structure and substrate design not only provide high routing density but also improve the PDN impedance by shortening effectively the path from bonding pad to VSSQ plane. An additional process is not necessary to fabricate the via cutting structure because its structure is completed at the same time during a process of window area formation. Also, burr occurrence is minimized by filling the via-hole inside with a solder resist. 3-dimensional electromagnetic field simulation and S-parameter measurement are carried out in order to validate the effects of via cutting structure and VDDQ/VSSQ placement on the PDN impedance. New DRAM package substrate has a superior PDN impedance with a wide frequency range. This result shows that via cutting structure and power/ground placement are effective in reducing the PDN impedance.

The Study on The Heat Transfer Enhancement Using Wire Mesh in Impinging Jet System (충돌분류계에서 WIRE MESH를 이용한 열전달 증진에 관한 연구)

  • Kum, S.M.;Kim, D.C.;Yoo, J.O.;Lee, C.E.;Yim, C.S.
    • Solar Energy
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    • v.17 no.1
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    • pp.47-58
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    • 1997
  • The objective of this research was to investigate the enhancement of heat transfer by wire mesh in impinging air jet system at the potential core region. The first experiment was carried out without mesh between nozzle exit and flat plate and the second experiment was done with mesh between them. When mesh was installed in front of the plate, heat transfer has been Increased due to the acceleration between rectangular halls and divided small jet In case clearances are changed, heat transfer comes to maximum under the condition of C=1mm, irrespective of nozzle exit velocity and H/B. Also the average heat transfer enhancement rate of a flat plate with mesh has been increased about 44% at maximum under the condition of U=18m/s, H/B=2 and C=1mm, compared to the result of a flat plate without mesh.

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A Study on Thermal Conductivity Properties of Ground Heat Exchangers for GSHP systems (지열냉난방시스템 수직형 지중열교환기 그라우트의 열적 특성에 관한 연구)

  • Baek, Sung-Kwon;Jeon, Joong-Kyu;An, Hyung-Jun
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2007.11a
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    • pp.546-549
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    • 2007
  • 지열 냉난방 시스템의 설계는 냉난방 공간의 크기에 따라 필요한 부하를 계산하여 설계하게된 다. 설계 부하를 충분히 소화할 수 있는 지열교환기의 길이와 보어홀의 깊이 및 개수는 지반의 열적 특성에 크게 좌우된다. 열전도율이 큰 지반일수록 지열교환기 내의 열 흡수 및 소산이 효과적으로 이루어져 지열교환기의 길이도 상대적으로 짧아질 수 있다. 즉, 효율적이고 정확한 설계를 하기 위해서는 지반, 암반 및 지중열교환기의 물리적 특성에 따른 열적 특성을 설계자는 미리 숙지하여야 한다. 현재 국내에서 수직 밀폐형 지중열교환기의 그라우트로 벤토나이트를 가장 많이 사용하고 있으나, 해외의 경우 지중 조건에 따라 시멘트 또는 벤토나이트를 적절히 선택하여 시공하고 있다. 이는 벤토나이트의 특성상 적용 조건이 제약을 받기 때문이며, 특히 지하수가 존재하지 않을 경우 사용이 사실상 불가능하다. 국내에서 이에 대한 충분한 연구는 아직 이루어지지 않았으며, 시멘트 그라우트를 사용하기 위한 물리적, 열적 특성에 대한 연구가 필요한 시점이라 판단하여 본 연구를 수행하였다. 시멘트 그라우트의 경우 수화반응이 일어나는 초기의 건조수축을 최소화하는 배합비로 물성을 구성하였으며, 벤토나이트는 일반 현장 시공 비율을 사용하였다. 열전도율은 첫째 실내 시험으로 시멘트 그라우트에 대한 열판시험법과 벤토나이트 그라우트에 대한 탐침시험법으로 수행하여 구하였으며, 두 번째 방법인 현장 시공으로 직접 현장열응답시험을 수행하여 그라우트 간의 열적 특성을 비교하였다. 또한 기존 시멘트그라우트의 열적 특성을 개량한 코오롱건설에서 개발한 시멘트 그라우트에 대한 열적 거동도 기존 타 그라우트의 열적 거동과 비교하였으며, 개발 제품의 성능이 상당히 우수함을 알 수 있었다.

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사이클 화학 기상 증착 시스템에 의해 제조된 다층 무기 박막의 유기 발광 다이오드 박막 봉지

  • Lee, Jun-Hyeok;Min, Seok-Gi;Han, Yeong-Gi;An, Jae-Seok;Choe, Beom-Ho
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.397.2-397.2
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    • 2014
  • 유기 발광 다이오드 (OLED)의 상용화를 위해 해결해야할 기술적 문제 중하나는 장수명이다. OLED에 적용된 유기물 층은 수분과 산소에 취약하여 소자 수명을 단축하는 요소로 작용하는데, 이를 해결하기 위해 유기물을 보호하며, 유기물 내로 침투되는 수분과 산소를 제어하기 위한 보호 층의 증착이 필수적이다. 필수적이다. 본 연구에서는, 사이클 화학 기상 증착법(C-CVD)을 이용하여 SiN/SiCN/SiN 구조의 무기 박막을 증착하여 유기물 보호층으로서의 적용 가능성을 제시하고자 한다. 이 때 각층의 두께는 각 각 10 nm이다. 증착된 다층 무기 박막은 비정질 상으로 수분 침투 보호막으로서 적당하다. 다층 무기 박막의 수분에 대한 저항성은 칼슘을 이용한 투과도 변화를 이용하여 측정하였다. 칼슘을 이용한 투과도 측정을 위해 고분자 PEN 필름위에 칼슘을 60nm 두께로 증착 시키고, 이어서 무기물인 SiN/SiCN/SiN의 다층 박막을 확산 방지층으로 증착 하였다. 제작된 소자는 온도 $85^{\circ}C$, 상대습도 85%의 가혹 조건에서 시간에 따른 표면 변화 및 투과도의 변화를 측정하였다. SiN/SiCN/SiN 구조를 갖는 무기 박막 층의 투습도는 3000시간까지는 $3.2{\times}10-5g/m/day$를 유지하였다. 이는 OLED 소자의 상용화를 위한 요구 조건에 근접한 값이다. 그러나 투습도는 측정 시간이 6000시간이 지난 후에 급격 증가하는데 이것은 30nm 두께의 SiN/SiCN/SiN의 확산 방지층에 임계 수명이 존재 한다는 것을 의미 한다고 할 수 있다. C-CVD 기술에 의해 제조된 다층 무기 박막 보호 층의 경계면에서 각 층간의 intermixing 현상이 관측되었으며, 이는 무기물 층의 결함과 핀 홀을 통해 내부로 확산 되는 수분의 침투 경로를 효과적으로 제어할 수 있는 방법이다. 본 연구 결과는 유연 기판 상에 제작된 OLED 소자에 적용 가능한 기술로서 소자 수명의 연장 뿐만 아니라 경량화에도 기여할 수 있는 기술이다.

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SiO2 보호막 증착에 따른 p-GaN의 후열처리 효과 연구

  • Park, Jin-young;Ji, Taeksoo;Lee, Jin-hong;An, Su-chang
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2013.05a
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    • pp.772-775
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    • 2013
  • We have grown a p-GaN film on sapphire by MOCVD and explored the post-annealing effort on the film after depositing a $2500{\AA}$ thick $SiO_2$ protective layer on it. By etching the $SiO_2$ protective film after the heat treatment, the hole concentration was measured, and compared with the data values before the heat treatment. In addition to the concentration, the hole mobility was also monitored while varying the atmospheric gas ratio of $N_2$ and $O_2$, the rapid thermal annealing temperatures ($750^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$) and times (1 to 15 min.) In order to investigate the optical and structural properties of the film, room temperature and low temperature PL measurements were conducted.

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Mixed-state Hall effect of $MgB_2$ thin films ($MgB_2$박막의 혼합상태에서의 홀 효과)

  • Kim, Bo-Yeon;Jung, Soon-Gil;Moon, Kyeong-Hee;Kang, W.N.;Choi, Eun-Mi;Kim, Heon-Jung;Lee, Sung-Ik;Kim, Hyeong-Jin
    • Progress in Superconductivity
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    • v.7 no.2
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    • pp.103-108
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    • 2006
  • We have measured the Hall resistivity (${\rho}_{xy}$) and the longitudinal resistivity (${\rho}_{xy}$) on superconducting $MgB_2$ thin films in extended fields up to 18 T. We found a universal scaling behavior between the Hall resistivity and the longitudinal resistivity, which is independent of the temperature and the magnetic field. At a wide magnetic field region from 1 to 18T, a universal power law of ${\beta}=2.0{\pm}0.1$ in a scaling relation, ${\rho}_{xy}={A{\rho}_{xx}}^{\beta}$, was observed in c-axis-oriented $MgB_2$ thin films. These results can be well interpreted by using recent models.

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AlN를 도핑시킨 ZnO박막의 전기적 및 광학적 특성

  • Son, Lee-Seul;Kim, Gyeom-Ryong;Lee, Gang-Il;Jang, Jong-Sik;Chae, Hong-Cheol;Gang, Hui-Jae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.88-88
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    • 2011
  • ZnO는 직접 천이형 반도체로써, 상온에서 3.4eV에 해당하는 띠틈을 가지고 있다. 뿐만 아니라 60meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가지고 있어 단파장 광전 소자 영역의 LED(Light Emitting Diode)나 LD(Laser Diode)에 널리 사용되고 있다. 하지만 일반적으로 격자틈새 Zn(Zni2+)이온이나 O 빈자리(V02+)이온과 같은 자연적인 도너 이온이 존재하여 n-형 전도성을 나타낸다. 그러므로 ZnO계 LED와 LD의 개발에 있어서 가장 중요한 연구 과제는 재현성 있고 안정된 고농도의 p-형 ZnO박막을 성장시키는 것이다. 하지만, 자기보상효과나 얕은 억셉터 준위, 억셉터의 낮은 용해도로 인하여 어려움을 가지고 있다. 본 연구에서는 고품질의 p-형 ZnO박막을 제작하기 위해 AlN를 도핑시킨 ZnO박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 Ar과 O2분위기에서 성장시켰다. ZnO와 AlN타겟을 동시에 사용하였으며, ZnO타겟에 걸어준 RF 파워는 80W, AlN타겟에 걸어준 RF 파워는 5~20W로 변화시켰다. 박막의 전기적, 광학적 특성은 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), REELS (Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy), XRD (X-ray Diffraction), SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), AES (Auger Electron Spectroscopy), Hall measurement를 이용하여 연구하였다. XPS측정결과, AlN를 도핑시킨 ZnO박막의 Zn2p3/2와 O1s피크는 undoped ZnO박막의 피크보다 낮은 결합에너지에서 측정되었다. 모든 박막이 결정화 되었으며, (002)방향으로 우선적으로 성장된 것을 확인할 수 있었다. 홀 측정 결과, 기판을 $200^{\circ}C$로 가열하면서 성장시킨 박막이 p-형을 나타내었으며, 비저항(Resistivity)이 $5.51{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}m$, 캐리어 농도(Carrier Concentration)가 $1.96{\times}1018cm^{-3}$, 이동도(Mobility)가 $481cm^2$/Vs이었다. 또한 QUEELS -Simulation에 의한 광학적 특성분석 결과, 가시광선영역에서 투과율이 90%이상으로 투명전자소자로의 응용이 가능하다는 것을 보여주었다.

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Effect of Rapid Thermal Annealing on the Properties of Nitrogen-doped $In_2O_3$ Thin Films

  • Tak, Seong-Geon;Kim, Jun-Yeong;O, Seok-Hyeon;Jeong, Min-Jae;Kim, Chun-Su;Jo, Sin-Ho
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.243-244
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    • 2011
  • 최근에 산화물 반도체를 평판 디스플레이와 태양 전지의 투명 전극으로 응용하기 위해 많은 연구가 진행중에 있다. 특히, $In_2O_3$ 박막은 투명 전도 산화막으로써 3.7 eV의 직접 전이 밴드갭 에너지를 갖고 가시광 영역에서 높은 투과도를 갖는 반도체이어서 다양한 영역에서 응용 가능하다. 본 연구는 낮은 비저항과 높은 투과율을 갖는 최적의 투명 전도막을 성장시키기 위하여 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 질소 도핑된 $In_2O_3$ 박막을 유리 기판 상부에 증착하였고, 후열처리로 온도 400, 450, 500, 550$^{\circ}C$에서 급속 열처리를 수행하여, 증착된 박막의 구조, 표면, 광학, 전기적 특성을 조사하였다. 증착된 박막은 XRD를 사용하여 구조적 특성을 조사한 결과, $2{\theta}=30.2^{\circ}$와 43.95$^{\circ}$에서 상대적으로 강한 피크가 관측되었다(Fig. 1). 전자는 (222)면에서 회절된 피크이며, 후자는 (100)면에서 발생한 회절 피크이다. 열처리 온도가 0$^{\circ}C$에서 500$^{\circ}C$로 증가함에 따라 (222) 면의 회절 신호의 세기는 상대적으로 증가하였고, 550$^{\circ}C$에서 급격하게 감소하였다. 박막의 광학적 특성은 자외선-가시광선 분광기를 사용하여 광학 흡수율과 투과율을 측정하였다(Fig. 2). 열처리를 하지 않은 박막의 경우에, 파장 200~1,100 nm 범위에서 측정된 평균투과율은 76%이었다. 광학 흡수 계수와 광자 에너지의 관계를 나타내는 포물선 관계식을 기초로 하여 광학 밴드갭 에너지를 계산하였다. 박막의 전기적 특성의 경우에, Hall 효과를 측정하여 전하 운반자 농도, 홀 이동도, 전기 비저항을 조사한 결과, 전기적 특성은 열처리 온도에 상당한 의존성을 나타냄을 알 수 있었고, 열처리 온도 500$^{\circ}C$에서 박막의 비저항값은 $4.0{\times}10^{-3}{\Omega}cm$이었다.

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A Experimental Study on the Performance of Climate Control Seats Using the Discharge Port of the Shape of Nozzle (노즐 형태의 토출구를 이용한 냉난방 시트 성능에 관한 실험적 연구)

  • Jung, Jung-Hoon;Kim, Sung-Chul;Won, Jong-Phil;Noh, Sang-Ho;Cho, Yong-Seok
    • Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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    • v.17 no.3
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    • pp.110-116
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    • 2009
  • Research for climate control seats is being vigorously pursued because requests for passenger's thermal comfort are increasing. Recently, thermoelectric devices have been applied to automotive seats for both cooling and heating operations. The climate control seats using thermoelectric devices can rapidly control the air temperature passing through the devices and directly affect the thermal comfort of passengers. The performance characteristics of the climate control seats were analyzed by experiments for two different types of a leather covered seat and a mesh applied seat. Experimental results show that the cooling and heating performance for the mesh applied seat by using the discharge port of the shape of nozzle was improved significantly in comparison with that for the leather covered seat. The variation of temperature between the inlet air and the outlet air of the climate control seat for the enhanced mesh applied type was by $-3.5^{\circ}C$ at cooling mode, and was by $15.0^{\circ}C$ at heating mode, after about 30 minutes, respectively. Also, it is possible to provide rapid thermal comfort to passengers sitting on the seat in the vehicle cabin by using the proposed climate control seat.