• Journal of Korean Electronics
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• v.1 no.9
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• pp.1-1
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• 1981

• The Science & Technology
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• v.6 no.11 s.54
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• pp.24-25
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• 1973

지난 10월 10일부터 17일 까지 경복궁 특별전시장에서 열렸던 「제4회 전자 전람회」는 내적 외적으로 커다란 결실을 거두었음이 틀림없다. 전시품목만 하더라도 230종에 5만여점이었으며 이기간 동안 근 10만명에 가까운 관람객이 모여들었다. 국내는 물론 국외 Buyer들의 눈길을 끈 각종 전자제품의 전시를 통해 관람객들은 한국 전자공업의 밝은 앞날을 내다볼 수 있었으며 다양화, 국제화 되어가는 전자공업의 투자영역을 실감할 수 있었다. 특히 이번 전자전에서는 600여명의 외국투자가와 Buyer들이 내한하여 현장에서만도 3천1백만 달러의 거래상담이 이루어져 우리나라 전자업계의 희망찬 내일을 기약케 했다. 100억불 수출을 목표로 하는 전자공업의 진흥발전을 위해 우리는 이 시점에서 무엇을 어떻게 다져나가야 할 것인가? 이번 전자전을 직접 주관했던 한국정밀기계센터 이사장 이춘화씨는 우리나라 전자공업계가 지향할 길을 다음과 같이 제시했다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.149-149
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• 2011

아르곤 기체의 방사세기 또는 그 세기 비는 플라즈마 공정 진단에서 일반적으로 사용된다. 본 실험에서는 100 mTorr 압력 조건하의 유도결합 플라즈마(13.56 MHz)에서 E-H 모드 전이 영역, rf 바이어스(12.5 MHz) 전력 인가 및 N2 혼합 시 단순화한 충돌-방사 모델에 기초한 광방사 세기비 방법을 적용하여 플라즈마 변수를 진단하였다. 개발 프로그램 기반의 분광기를 사용하여 아르곤 기체의 특정 파장(750.4, 751.5 그리고 811.5 nm)들을 관측하였고, 동일한 조건하에서 정전 탐침법으을 이용하여 전자 에너지 분포함수의 변화도 측정 하였다. 맥스웰 전자 에너지 분포를 가정하는 일반적인 경우와 비교하여 볼 때 실제적인 전자 에너지 분포함수의 측정은 전자의 가열 메커니즘에 대한 상세한 정보를 제공함과 동시에 플라즈마 재흡수에 대한 보정을 가능하게 해준다. 광방사 세기비법에 의해 측정된 결과에 의하면, 750.4 nm/751.5 nm는 높은 에너지(>13.08 eV)의 전자들의 유효 전자온도에 대한 정보를 나타내는 반면 811.5 nm/750.4 nm는 아르곤 준안정 준위 밀도(1s5)에 대한 정보를 제공하게 된다. 수행된 실험 조건하에서, 측정된 준안정 준위 밀도는 E-H 모드 전이 영역에서 최대값을 나타내었고 바이어스 전압 및 N2 기체 혼합 비율이 증가함에 따라 감소하는 결과를 얻었다. 유효 전자온도의 경우 광방사 세기비법과 정전 탐침법 모두 같은 결과를 보여 주었는데, E-H 모드 전이 영역에서는 전자온도는 거의 일정하였고 바이어스 전압 및 N2 기체 혼합 비율이 증가함에 따라 전자온도는 증가하였다. 이러한 실험 결과는 방전 모드 전이, 바이어스 인가 그리고 혼합 기체 사용하는 공정 플라즈마를 이해하는데 있어 이들 변수의 진단이 중요한 요소임을 보여준다.

• Proceedings of the CALSEC Conference
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• 2000.08a
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• pp.371-384
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• 2000

■ 국방환경의 변화 - 지식정보전 중심으로 미래전 수행 개념의 변화 ■ 국방인력의 전문화 및 정예화 추진 - 병력집약형⇒기술집약형 인력 구조 전환 ■ 지식과 정보를 기반으로 하는 작지만 강한 군 육성 ■ 국방지식관리시스템 구축 및 운영 방안 제시(중략)

• Journal of Korean Electronics
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• v.29 no.5
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• pp.42-45
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• 2009

• Journal of Korean Electronics
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• v.17 no.9
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• pp.51-56
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• 1997

• Journal of Korean Electronics
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• v.28 no.6
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• pp.34-34
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• 2008

• Journal of Korean Electronics
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• v.10 no.5
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• pp.117-122
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• 1990

• Journal of Korean Electronics
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• v.13 no.5
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• pp.10-13
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• 1993

• Journal of Korean Electronics
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• v.13 no.5
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• pp.2-9
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• 1993