• Title/Summary/Keyword: 플라즈마 분배장치

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Numerical modeling for pressure uniformity improvement of a large area sputtering system by change of gas distribution configuration (대면적 스퍼터링 장치에서 Gas 분배 구조 변화에 따른 압력 균일도 개선 모델링)

  • Kim, Yeong-Uk;Yang, Won-Gyun;Gu, Jeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.175-176
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    • 2007
  • 대면적 플라즈마 스퍼터링 시스템에서 가스 분배 구조의 변화가 시스템의 압력 균일도에 미치는 영향을 3차원 수치 모델을 통하여 연구하였으며 2 line parallel internal antenna의 경우에 대해서 플라즈마 균일도를 drift diffusion approximation을 이용하여 계산 하였다.

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전력 분배를 이용한 이중 유도코일 구조의 고균일도 플라즈마 발생장치

  • Lee, Jong-Sik;Lee, Han-Sem;Jo, Jeong-Hui;Chae, Hui-Seon;Kim, Jun-Yeong;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.493-493
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    • 2013
  • 에싱(Ashing)공정을 위한 원격 유도 결합 플라즈마(remote ICP)에서 플라즈마 균일도를 향상하는 연구를 진행하였다. 본 연구에서는 고균일도 플라즈마 발생을 위해 단면적이 다른 2개의 반응 용기를 각각 상부와 하부에 설치하여 각각의 반응 용기 외곽에 방전 코일이 위치하도록 구성하였다. 0.7~1 Torr 공정 압력 범위의 질소와 산소 혼합 기체에서 2,500 W 전력을 인가하였고, 임피던스 정합회로로부터 각각 병렬로 연결된 방전 코일에 전력이 분배되어 인가된다. 에싱 공정을 위한 플라즈마 균일도를 분석하기 위해 Wafer의 위치에서 부유 탐침법을 적용하여 중심부에서 외곽부로 지름축 위치를 변화시키며 플라즈마 밀도와 전자온도를 측정하고, 공정 조건에 따른 에싱율(Asing Rate)을 측정하였다. 동일한공정 조건에서 하나의 방전 코일을 이용한 경우의 플라즈마 균일도 대비 이중 코일 구조를 이용한 경우 플라즈마 균일도가 크게 향상됨을 보였다. 이는 상부의 유도코일이 wafer 위치에서 주로 지름방향 중심부의 플라즈마 밀도에 기여하고, 하부의 유도코일은 주로 외곽의 플라즈마 밀도에 기여해서 나타나는 현상이다. 공정용 장비에서 플라즈마 균일도의 개선으로 공정 수율을 증가 시키는 효과를 기대할 수 있다.

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강자성체를 이용한 이중구조의 고균일도 플라즈마 발생장치

  • Kim, Hyeon-Jun;Jo, Jeong-Hui;Chae, Hui-Seon;Jo, Seong-Won;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.492-492
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    • 2013
  • 반도체 공정을 위한 원격 유도 결합 플라즈마(remote ICP)에서 플라즈마 균일도를 향상하는 연구를 진행하였다. 본 연구에서는고 균일도 플라즈마 발생을 위해 단면적이 다른 2개의 반응 용기를 상부와 하부에 설치하였으며, 각각의 반응 용기 외곽에 방전 코일이 위치하도록 구성하였다. 상부의 반응 용기는 외곽에 유도 코일을 권선하였고, 하부의 반응 용기는 고밀도의 플라즈마 생성을 위해 강자성체를 이용하여 권선하였으며, 강자성체는 쿼츠관을 둘러 싼 구조로 되어 있다. 0.5-1 Torr 공정 압력 범위의 아르곤 기체에서 전체 2500 W의 전력을 인가하였고, 임피던스 정합회로로부터 각각 병렬로 연결된 방전 코일에 전력이 분배되어 인가되는 구조로 설계하였다. 반도체 공정을 위한 플라즈마 균일도를 분석하기 위해 wafer의 위치에서 부유 탐침법을 적용하여 wafer 중심부로부터 반경 방향으로 위치를 변화시키며 플라즈마 밀도와 전자온도를 측정하였다. 동일한 공정 조건에서 하부에 강자성체를 사용하여 권선한 이중 구조의 경우 하나의 방전 코일을 이용한 구조 대비 플라즈마 밀도가 증가하였고, 플라즈마 균일도가 크게 향상됨을 보였다. 강자성체를 이용한 하부 코일에 의해 wafer 외곽 부분의 밀도가 높은 분포를 갖는 플라즈마가 형성되고, 상부의 유도코일에 의해 wafer 중심부에 밀도가 높은 플라즈마가 형성되어 wafer의 플라즈마 균일도가 개선된다. 또한, 강자성체를 이용한 하부 코일에 의해 고밀도의 플라즈마가 형성되므로 반도체 공정을 위한 장비에서 플라즈마 균일도의 개선과 밀도의 향상으로 대면적 Dry Strip 공정 (450mm)에 적용 가능하다.

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CFD flow analysis of 150mm shower heads depending on plasma pitch (플라즈마 피치에 따른 150mm 샤워헤드에 대한 CFD 유동해석)

  • Kim, Dong-Hwa;Kim, Ho-Bum;Cho, Chong-Du;Jeong, Dea-Kyo
    • Proceedings of the KSME Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.585-589
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    • 2008
  • This study is performed to analyze the fluid flow about 150mm shower heads of semiconductor device. Under the air pressure, the ideal gas of moving fluid is injected as 5m/s velocity into inlet of shower heads and the flow distribution in shower heads is measured according to pitch of plasma distribution device. As results, the maximum and minimum value of fluid velocity are investigated with their position. The velocity values at outlet are also studied. From two experiment using the plasma distribution device, the results of CFD are compared with the experimental results. That results shows stable flow of fluid in that case of corrected design from CFD.

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