• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2016년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.177-178
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• 2016

본 논문에서는 원격 플라스마 발생 장치용 리액터를 포함한 플라스마 부하의 등가 모델을 제안한다. 모델링을 위해 챔버 안에 존재하는 플라스마 부하의 특성을 고려하여, 플라스마 발생장치용 리액터를 포함한 전압, 전류의 정보를 통해 등가모델의 파라미터를 추출한다. 추출한 파라미터를 기반으로 플라스마 부하에 대한 전기적 등가회로를 구성하고, 플라스마 부하의 변화에 중요한 영향을 주는 플라스마 기체의 압력 정보를 등가 모델에 반영하여 이를 바탕으로 시뮬레이션을 진행해 모델링의 타당성을 검증한다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제19권3호
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• pp.141-143
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• 1980

마이코플라스마유사미생물이 식물에서 병원체로 확인되기 이전에는 이른바 유관속침해바이러스병과 매미충류에 의해 매개전염되는 바이러스병들은 대부분 혹은 전부 종자전염이 안된다는 것이 통론으로 되어왔다. 그러나 이들 범주의 식물병들은 대부분 마이코플라스마유사미생물에 의한 것으로 밝혀지고 있다. 현재까지 마이코플라스마유사미생물의 종자전염이 확인된 예는 없으며 또한 종자전염의 가부를 논한 보고도 없다. 본 고는 몇 가지 증거를 제시하면서 마이코플스마유사미생물의 종자전염불가능성을 주장한다. 첫째, 대부분의 식물마이코플라스마병은 엽화현상, 불임, 급격한 고사 등을 일으켜서 종자형성이 아니된다. 둘째, 배아 및 화분립은 유관속과 격리되어 형성된다. 첫째, 마이코플라스마는 배유나 종피 등에서 내부${\cdot}$외부감염체로서 그 생명력을 유지할 수 없다. 넷째, 마이코플라스마는 휴면태를 갖지않는다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.257.2-257.2
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• 2014

디스플레이 공정용 ICP (Inductively Coupled Plasma) 장비의 공정영역별 전자기적 특성을 파악하기위해 9개의 안테나가 적용된 3차원 구조에서 Ar 플라스마를 사용하여 시뮬레이션 하였다. 안테나에 인가된 전류, 공정압력, power등 공정 조건별로 안테나로부터 유도된 전기장과 자기장을 구하고, 이들로부터 poynting's theorem을 적용하여 플라스마의 resistance와 reactance를 계산하였다. 이로부터 공정조건별 플라스마의 전기적 특성을 파악 할 수 있었다.

• 한국안광학회지
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• 제4권1호
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• pp.15-20
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• 1999

상용전원을 사용한 평행판전극 방전장치에서 수소플라스마로부터 방사되는 가시광선의 스펙트럼을 분광기로 조사하였다. 기체압력과 방전전력에 따라 수소플라스마로부터 방사되는 가시광선의 세기를 조사하고, 같은 조건에서 탐침으로 플라스마밀도를 측정하여 가시광선의 세기와 비교하였다. 측정결과, 가시광선의 세기는 플라스마의 밀도에 영향을 받으며, 플라스마 밀도는 기체압력과 방전전력에 영향받았다.

• 한국산림과학회지
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• 제95권6호
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• pp.631-635
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• 2006

파이토플라스마 증폭 primer, R16F2n/R2를 이용하여 뽕나무 오갈병 파이토플라스마와 대추나무 빗자루병 파이토플라스마에 대하여 SSCP분석법을 이용하여 염기변이 분석을 하였다. 그 결과 뽕나무 및 대추나무 파이토플라스마는 약 1.2 kb PCR 산물을 이용하더라도 뚜렷한 밴드차이를 나타내었다. 유사한 SSCP밴드 패턴을 보이는 두 시료 간의 밴드형태를 뚜렷하게 구별하는 방법을 찾기 위하여 뽕나무 오갈병 파이토플라스마와 대추나무 빗자루병 파이토플라스마의 PCR산물을 혼합한 후 SSCP분석 결과, 전기영동상에서 대추나무 파이토플라스마와 뽕나무 파이토플라스마의 SSCP 밴드패턴 모두를 관찰할 수 있었다. 본 연구 결과, 기존에 약 600bp 크기로 한정된 것으로 알려진 SSCP 분석을 PCR 산물 1.2 kb을 이용하여 유사한 SSCP 밴드패턴을 보이는 두 시료간의 밴드형태를 두 시료의 PCR 산물을 혼합하여 SSCP분석함으로써 뚜렷하게 구별할 수 있었다.

• 폴리머
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• 제29권6호
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• pp.581-587
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• 2005

상업용 폴리우레탄(PU) 필름의 표면 개질 목적으로 대기압에서 플라스마를 발생시키기 위한 dielectric barrier discharge(DBD) 구조의 평판형 플라스마 반응기 내에서 이온화된 아르곤 플라스마를 사용하였다. 플라스마 처리 공정변수인 처리 시간, 처리 RF-power, 아르곤 가스 유속을 변화시켜가며 접촉각을 측정하여 젖음성과 표면 자유 에너지 변화를 알아보았고, 필름 표면 위에 과산화물을 최대로 도입시키기 위해 플라스마 처리 공정변수를 최적화하였다. 대기압 플라스마 처리 시간 70초, RF-power 120 W, 아르곤 가스유속 6 liter per minute(LPM)에서 가장 높은 젖음성과 표면 자유 에너지 값을 보였고, 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazy(DPPH) 법을 사용하여 PU 필름의 표면에 생성된 과산화물의 농도를 정량한 결과, 처리 시간 30초, RF-power 80 W, 아르곤 가스유속 6 LPM의 플라스마 처리 조건에서 최대 2.1 nmol/$\cm^{2}$의 과산화물이 생성되었다.

• 한국산림과학회지
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• 제96권6호
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• pp.737-741
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• 2007

전형적인 파이토플라스마성 빗자루증상을 보이는 아까시나무가 전북지방에서 발견되었으며, 일반적으로 작은 잎들이 총생하였고, 마디와 마디 사이가 좁고, 가지가 위축되어 있는 증상을 보였다. 파이토플라스마 검출 primer인 P1/P7(약 1.8 kb)과 R16F2n/R2(약 1.2 kb)를 이용하여 증폭한 결과 빗지루증상을 보인 아까시나무에서 파이토플라스마 검출되었으며, 건전한 아카시에서는 PCR산물이 증폭되지 않았다. 염기서열 분석에 의한 유의성 검정결과 아까시나무 빗자루병 파이토플라스마는 aster yellow, 뽕나무오갈병, maize bushy stunt, 물푸레나무 빗자루병, 붉나무 빗자루병 파이토플라스마와 99.2% 이상의 유의성을 보였으며, 아까시나무 빗자루병 (GeneBank Accession No. AF 244363) 및 대추나무 빗자루병 파이토플라스마와는 각 각 88.6% 및 87.7%의 유의성을 보여 본 연구에서 분석한 아까시나무 빗자루병 파이토플라스마는 Candidatus phytoplasma asteris(16Sr I) group에 속하였으며, 16Sr III(peach X-disease phytoplasma group) group에 속하는 아카시나무 빗자루병 파이토플라스마와는 다른 계통으로 분류되었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권4호
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• pp.411-415
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• 2001

대기압 저온 플라스마를 사용하여 산화아연 박막의 건식 식각 가능성을 연구했다. 플라스마로부터 $H_\alpha^*$과 $CH_^*$ 라디컬 발생을 확인하였고, 라디컬 발생 능력은 광학 발광 스펙트럼 및 플라스마 임피던스 분석에 의해 캐소드 전극에 의존하는 것을 알았다. 식각능력은 플라스마 I-V커브에 의한 임피던스와 발광강도에 의해 계산되었다.

• 한국진공학회지
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• 제13권3호
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• pp.132-138
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• 2004

대기압의 공기 중에서 코로나 방전 플라스마에 대한 특성을 연구하기 위해 wire-cylinder 형태의 반응로에서 FCT(flux-corrected transport) 알고리즘과 FEM(finite element method) 방법을 적용한 자체 모순이 없는 1차원 수치적 모델을 사용하였다. 코로나 방전 반응로에 펄스 전압과 직류 전압을 인가하였을 때, 플라스마 밀도의 분포를 계산하여 전압의 변화에 따른 플라스마 특성의 변화를 연구하였으며, 또한 반응로의 크기 변화에 따른 플라스마의 특성 변화를 연구하였다. 이 결과로 얻어지는 활동 반경(active radius)의 변화를 Peek의 실험값과 비교해 보았다. 이와 같은 코로나 방전 플라스마에 대한 수치적 계산 결과는 방전 과정에서 일어나는 물리적 특성을 잘 설명하여 환경오염 물질 제거를 위한 반응로의 최적 설계를 위해 유용하게 쓰일 수 있을 것이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권4호
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• pp.409-412
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• 2002

대기압 하에서 정상적으로 저온 플라스마가 발생 가능한 장치를 개발했다. 개발한 장치는 접지전극을 유전체로 피복한 용량결합형 전극구조로 되어 있다. rf(13.56 M Hz)을 여기 원으로서 사용한 아르곤(Ar) 또는 헬륨(He)은 플라스마 가스로서 사용했다. 발생한 플라스마는 발광분광법, 플로브 진단법에 의해 특성을 검토했다. 그 결과 전자온도>여기온도>가스온도 관계에 있는 비평형 상태의 플라스마였다. 본 장치를 사용하여 발생한 플라스마에 반응가스(CF4)을 첨가해서 대기 개방 계에서 Si(100)식각($1.5{\mu}m$/min)에 적용하여 높은 처리속도를 실현했다.