본 연구에서는 촉각과 관련된 물체의 다양한 성질 중 직접적인 물체의 표면 가공을 통하지 않고 기하학적으로 유사한 표면 거칠기 특성을 재현할 수 있는 철선을 이용한 표면 생성 시스템을 구현하였다. 시스템을 구성하는 구성요소는 크게 철선 및 철선다발, PZT 엑츄에이터, 2축 테이블 구동 시스템, 그리고 영상처리시스템으로 이루어지는데 표면 생성에 관계된 이들 부 시스템들의 작동 소프트웨어를 하나의 통합된 언어로 작성함으로서 철선 제작 및 철선 정렬 등의 과정을 제외한 모든 표면 생성 과정을 자동화하였다. 끝으로, 제작된 표면 생성 시스템을 이용하여 임의의 표면을 생성하고 생성된 표면을 측정함으로서 표면 생성시스템의 우수한 성능을 확인하였다.
본 연구에서는 선진국에서 개발되어 상용화되고 있는 표면여과용 다공질 표면층 접합 집진필터를 대상으로 제조기술 조사, 성능 평가 및 비교 분석을 하였으며, 이를 통해 고효율 표면여과용 집진필터 개발을 위한 기반 기술을 축적하고 추후 연구개발 방향을 수립하고자 하였다. (중략)
근년, 정밀가공기술의 진보에 따라 AI 합금이나 동등의 연질금속을 이용한 고출력 Laser용 Mirror, 전자계산용 자기Disc기반, Laser Printer용 PloygonMirror등의 Opto-electronics 부품이 경면(Mirror Surface)절삭가공에 의해서, 또 LSI용 Silicon Wafer의 가공은 연마가공에 의해서 nmRmax의 표면조도로 마무리 가공되고 있다. 본 연구에서는 고출력 Laser용 Mirror, 자기Disc기반, Silicon Wafer와 같은 경면(표면 조도 submicron이하)에 존재하는 미소표면결함을 정량적이며, 고속측정이 가능한 방법인 새로운 측정법을 제안하고, 이 시스템을 생산라인에서 가공과 동시에 검사하는 In-process측정이 가능한 특정 시스템의 개발을 최종목표로 하고 있다.
알루미늄 압출은 오랜 기간 산업화가 이루어져 왔으나, 최근 자동차 및 항공기의 경량화 관련하여 고력 알루미늄 압출의 필요성이 높아지고 있다. 이에 따라 고력 알루미늄의 압출을 위한 압출 공정기술과 금형 표면처리기술이 매우 필요하게 되었다. 본 연구에서는 기존의 염욕 질화 샘플과 본 연구에서 개발한 스퍼터링 증착 기술이 적용된 샘플간의 마모시험을 통한 마찰 계수를 비교하였다.
폴리도파민이 다양한 표면을 개질할 수 있다는 것이 보고된 이래로, 폴리도파민을 이용한 다양한 응용 연구들이 계속되어 왔다. 본 연구에서는 이러한 폴리도파민을 이용하여 다양한 물질들로 오염된 물을 간단하고 효과적으로 정제하는 방법을 보고한다. 마이크로 크기의 실리카 비드에 폴리도파민을 코팅하여 흡착제로 사용하였으며, 이 흡착제가 다양한 중금속(Cu, Cr, Hg, Pb), 유기물질(4-Aminopyridine), 방사성 동위원소(Lutetium-177)를 효과적으로 흡착함을 확인하였다.
21세기의 신물질로 알려져 있는 플라즈마는 기체에 에너지를 가해 형성되는 높은 에너지(수십만도)의 이옹화된 기체의 집합체로 최근 이러한 플라즈마를 이용하여 고부가가치의 신기 능 제품개발에 널리 활용되고 있다. 플라즈마를 이용한 신기능 표면처리 기술개발이 가속 화됨에 따라 자동차, 기계, 전자, 에너지, 환경 산엽둥 전 산업 분야에 그 응용범위가 광범위 하게 확대 되고 있으며 이에 따른 핵심 연구개발도 최근 매우 중요시 되고 있다. 본 발표에서는 이라한 최끈 플라즈마 기술의 발전동향, 응용현황 및 향후 기술 확산을 위한 핵심 연구 방향에 대해 고찰하고저 한다.
이온교환은 액체상에 존재하는 이온과 고체상에 존재하는 이온이 당량적으로 치환되는 것으로 정의하며, 치환되는 정도는 일반적으로 전하의 크기와 이온이 수화반경에 따라 달라진다. 지금까지의 이온교환 반응에 대한 모델링 연구는 실험식, 질량작용식, 열역학식, 전기이중층이론, 표면착화모델 등을 이용하여 2 성분에 대하여 다양한 시도를 하였다. 본 연구에서는 2, 3, 4성분에 대해 질량작용법칙과 전기이중층이론을 조합한 표면착화모델과 질량작용법칙을 이용한 모델을 수행하였다. 그 결과 표면착화모델이 질량작용법칙을 이용한 것보다 실험치와 일치함을 알 수 있었다.
RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 증착 power density에 따른 AlN 박막의 배향성과 표면 거칠기 그리고 열전도도 특성의 변화를 조사하였다. 특히 power density가 1.79 W/$cm^3$일 때 가장 우수한 배향성을 얻을 수 있었다. 이러한 배향성과 연관시켜 박막의 미세구조, 표면거칠기, 유전율 등을 분석하였으며, 이러한 특성이 열전도도에 미치는 영향에 대하여 연구하였다.
Hafnium nitride (HfN) 박막은 고온에서의 안정성과 낮은 비저항 그리고 산소확산에 대한 억제력을 가지고 있기 때문에 확산방지막으로 많은 연구가 진행 되고 있다. 현재까지 진행된 대부분의 연구는 HfN 박막의 전기적인 특성과 구조적인 특성에 대한 것이었고 다양한 연구 결과가 보고되었다. 하지만 기존의 연구들은 박막의 nano-electrotribology 특성에 대한 연구가 부족하여 박막 적층 공정시 요구되는 물성에 대한 연구가 절실하다. 따라서 본 연구에서는 HfN 박막의 증착조건 및 열처리조건에 따른 nano-electrotribology 특성 변화를 확인하고자 하였다. HfN박막은 rf magnetron sputter를 이용하여 Si 기판위에 Hf target으로 질소 유량을 변화시키며 증착하였고 가열로에서 $600^{\circ}C$와 $800^{\circ}C$로 20분간 열처리를 실시하였다. 열처리한 박막과 as-deposited 상태의 박막을 nano-indenter를 통하여 나노기계 전기적인 특성을 분석하였다. nano-indenter는 박막에 인가된 stress와 탄성계수(elastic modulus), 표면경도(surface hardness)와 같은 특성을 직접적인 tip 접촉을 통하여 in-situ로 분석할 수 있는 장비이다. 실험결과 HfN박막을 $600^{\circ}C$로 열처리 한 경우 표면경도가 16.20에서 18.59 GPa로 증가하였다. 표면경도의 증가는 열처리 시 박막내에 compressive stress가 생성되었기 때문이라고 생각된다. 그러나 $800^{\circ}C$로 열처리 한 경우 표면경도가 16.93 GPa로 감소하였는데 이는 표면균열 발생으로 인한 stress relaxation 때문인 것으로 생각된다. 증착 시 주입되는 질소의 유량과 열처리 온도는 HfN박막의 기계적 안정성에 영향을 미치는 중요한 요소임을 본 실험을 통해 확인하였다.
소수성 고분자 표면을 화학적 처리를 통해 활성화시키고 화학반응을 통해 발색단을 도입하는 연구를 진행하였다. 2-Triphenylstannylthioethyl acrylate를 자외선 조사시켜 고분자 필름을 만들었다. 필름 표면에 노출된 주석치환체를 불소이온으로 처리하여 SH를 형성함으로써 필름표면에 많은 SH를 생성시켰고 적외석 흡수스펙트럼으로 이를 확인하였다. 아크릴 유도체로 만든 발색단 물질을 노출된 SH와 반응시켜 필름 표면에 여러 발색단을 도입할 수 있었고 이를 자외선-가시광선 흡수스펙트럼으로 관찰할 수 있었다. 2-Triphenylstannylthioethyl acrylate와 tris(hydroxymethyl) ethane에서 유도된 triacrylate를 혼합하여 얻은 광경화 필름에서 단분자 함량 변화에 따른 SH의 표면 노출량을 변화시킬 수 있음을 흡수스펙트럼을 통해 관찰하였다. 유사하게, 2-tributylstannylthioethyl acrylate를 이용한 광경화 필름을 만들어 표면반응 연구를 진행하였다. 이 경우, 불소이온 처리를 통한 표면 활성화는 약 5분 이내로 빠르게 진행되었다. 이소시안 작용기를 갖는 발색단을 합성하여 필름과 반응시켜 표면에 발색단 도입하는 비교연구를 진행하였다. 아크릴 유도체가 표면 SH와 반응이 24시간 이상을 요구하는 반면 이소시안 유도체는 10분 이내에 결합반응이 완료되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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