• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.222.2-222.2
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• 2014

대기압 플라즈마는 기존의 저압 플라즈마에 비해 제작이 간단하고 조작이 간편하기 때문에 응용 가능 분야가 넓다는 장점이 있지만 다양한 외부 요인으로 인한 안정성의 문제로 저압 플라즈마의 모든 응용범위를 대신하기에는 문제점이 있다. 현재 이 문제점을 해결하기 위한 연구가 활발히 진행 중에 있으며, 기판 및 유리 세정, Bio-medical, 물질 합성 등 다양한 분야에 대한 응용 연구도 진행 중에 있다. 본 연구에서는 본 연구실에서 자체 개발한 전원 장치를 이용하여 대기압 플라즈마를 발생 시켰으며, He, Ar Gas를 이용하여 PDMS 기판과 유리 기판에 표면 처리 한 후 친수성 비교 분석 실험을 실시하였다. Optical Emission Spectroscopy(OES)장치와 ICCD camera를 이용하여 플라즈마 진단과 특성 분석을 실시하였으며 Computer Numerical Control (CNC) x-y-z 3축 stage를 이용하여 플라즈마 발생을 제어함으로서 재현성을 높은 플라즈마 표면 처리 연구를 진행 하였다.

• 대한화학회지
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• 제8권1호
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• pp.30-32
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• 1964

H. Eyring등의 액체의 구조에 관한 이론에 따라서 액체 사염화탄소의 partition function을 정하였다. 이 Partition function 에 쓰인 parameter $E_s,\;{\sigma},\;{\theta},\;V_s$ 등은 액체 안의 고체와 같은 분자의 고요한 값으로 새로운 방법$^{(4)}$으로 그 값들을 정하였다. 이렇게 정해진 Partition function을 써서 액체 사염화탄소의 몰부피, 증기압, 한계점, 증발엔트로피 및 표면장력 등을 계산하였다. 계산치와 실측치를 비교한 결과 몰부피와 증기압, 엔트로피의 값은 거의 일치하였다. 표면장력 또한 실험치와 좋은 일치를 보여주는 값을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2002년도 제22회 학술발표회 초록집
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• pp.179-179
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• 2002

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2002년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.293-296
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• 2002

소수성인 폴리올레핀계를 친수성화하여 고분자의 표면특성을 개량하거나 고분자 재료 표면에 새로운 기능을 부여하고자 하는 연구가 1970년대부터 계속되고 있다. 이러한 고분자의 표면 특성개질에 대한 연구는 보통 고분자의 도장성, 인쇄성, 접착성, 젖음성 들을 개선하기 위한 것이다. 그 중 재료의 표면층 만을 효율적으로 개질 시키는 저온 플라즈마 처리법은 낮은 기압에서 행하는 글로우 방전법과 대기압 부근에서 행하는 코로나 방전법으로 나눌 수 있으며, 특히 대기압하에서 코로나 방전을 이용한 표면개질법은 산업현장에서 연속적이면서 고속으로 처리할 수 있고 취급이 용이하다는 장점 때문에 표면개질에 있어서 현재 널리 사용되고 있는 방법중 하나이다[1]. (중략)

• 대한기계학회논문집A
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• 제32권4호
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• pp.354-361
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• 2008

Cold rolled steel sheet for automotive was treated by Ar/$O_2$ atmospheric pressure plasma to improve the adhesive bonding strength. Through the contact angle test and calculation of surface free energy for cold rolled steel sheet, the changes of surface properties were investigated before and after plasma treatment. The contact angle was decreased and surface free energy was increased after plasma treatment. And the change of surface roughness and morphology were observed by AFM(Atomic Force Microscope). The surface roughness of steel sheet was slightly changed. Based on Taguchi method, single lap shear test was performed to investigate the effect of experimental parameter such as plasma power, treatment time and flow rate of $O_2$ gas. Results shows that the bonding strength of steel sheet treated in Ar/$O_2$ atmospheric pressure plasma was improved about 20% compared with untreated sheet.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.403.1-403.1
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• 2016

일반적으로 실리콘 태양전지의 표면 텍스쳐링 공정방식은 습식 텍스쳐링 방식과 건식 텍스쳐링 방식 2가지로 나뉘어진다. 하지만 현재 습식 텍스쳐링 방식의 경우 Solution을 사용하기 때문에 폐용액으로 인한 환경오염 및 Wafer 오염과 같은 단점을 가지고 있다. 또한 건식 텍스쳐링 방식의 경우는 진공 상태에서 진행되므로 높은 유지 비용이 가장 큰 단점으로 대두 되고 있다. 그러므로 기존의 방식과 다르게 진공을 사용하지 않는 대기압 플라즈마 소스를 텍스쳐링 공정에 적용하였다. 본 연구에서는 대기압 플라즈마 소스로 식각한 Wafer의 반사율을 가스 종류와 유량별 측정하여 분석하였다. 측정된 반사율을 통해 대기압 플라즈마 소스가 텍스쳐링 공정에 적용할 수 있는지 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1350-1351
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• 2008

대기압 플라즈마를 발생시키는 것은 종래의 저기압 플라즈마를 발생시키는 것 보다 대단히 어렵다. 하지만, 대기압 플라즈마는 진공장치가 필요 없고, 제작방식이 비교적 간편하며 살균, 의료, 표면처리 등 다양한 응용이 가능해서 그 잠재력이 매우 크다. 본 연구에서는 유전체가 없는 두 전극사이에서 대기압 저온 마이크로 플라즈마를 발생시켰으며, submicrosecond pulse 파형으로 glow discharge를 유지할 수 있었다. 플라즈마 소스의 전극 간격은 200[${\mu}m$]이고 방전개시전압은 약 450${\sim}$600[V]이다. 플라즈마를 발생시키기 위한 feeding gas는 He 100%이다. 본 연구에서 개발된 대기압 플라즈마는 소비전력이 2[W]미만으로 온도는 조건에 따라 40$^{\circ}C$미만으로 발생 가능하다. 또한 스펙트럼 분석 시 777nm인 산소원자의 peak이 다른 원자 혹은 분자들의 peak보다 월등히 높다.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.353-359
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• 2010

Metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) 법으로 성장된 $In_{0.49}Ga_{0.51}P$/GaAs 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압(surface photovoltage; SPV) 분광법으로 조사하였다. SPV 측정은 입사광의 세기, 변조 주파수, 온도의 함수로 수행하였다. 상온에서 시료의 띠간격 에너지(band gap energy)는 GaAs와 $In_{0.49}Ga_{0.51}P$는 각각 1.400 및 1.893 eV이었다. 광세기를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 증가하는 반면에, 변조 주파수를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 감소하였다. 그리고 SPV 스펙트럼의 온도 의존성으로부터 GaAs와 $In_{0.49}Ga_{0.51}P$의 띠간격 에너지의 변화를 Varshni 및 Bose-Einstein 표현에 의해 분석하였다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제1권3호
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• pp.5-10
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• 2007

복부 단순방사선 촬영은 흉부촬영에 이어 가장 많이 검사가 이루어지고 있는 실정인 것이 임상현장이므로 환자의 피폭선량에 대한 연구가 필수적으로 진행이 이루어 질 필요성이 대두가 된다. 그 결과는 다음과 같았다. 1. 관전압이 60-85kV 증가 시 표면선량은 증가하고, 촬영거리를 50-150cm로 20cm씩 증가함에 mAs도 증가시킨 결과 표면선량은 감소되었다. 2. 심부선량 백분율은 60-75kV에서는 4cm 깊이, 80-85kV에서는 6cm 깊이에서 50% 이하를 나타내었으며, 60kV에서는 12cm 깊이, 65-85kV에서는 14cm 깊이에서 5% 이하를 나타났다. 3. 전방산란율은 60-85kV까지 관전압이 증가 시 10-11.78%까지 증가함을 나타내었다. 후방 산란율은 관전압이 60-85kV 증가 시 25-37%로 증가하였다. 측방산란율은 음극 측에서는 관전압이 60-85kV 증가 시 1.63-2.95%로 완만하게 증가하나 양극측은 그 반대로 감소하는데 그 원인은 heel effect 현상 때문인가 사료된다. 후방산란율이 가장 크고, 그 다음이 전방산란율, 측방산란율 순으로 작아짐을 알 수 있다.

• 전기화학회지
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• 제22권2호
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• pp.60-68
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• 2019

이차 전지의 고전압 구동은 기존 셀 구조의 변화 없이도 고용량을 구현할 수 있는 유용한 접근 방법 중에 하나이나, 전극 표면에서의 극심한 부반응과 전극 활물질의 구조 붕괴 등과 같은 문제를 야기하게 된다. 본 연구에서는 니켈-망간-코발트 삼성분계(NCM) 활물질을 도입한 양극의 고전압 구동을 위해 원자층 증착법 (Atomic Layer Deposition, ALD)을 통해 전극판 표면에 $Al_2O_3$와 ZnO층으로 구성된 코팅 층을 형성하였다. 기존 ALD법으로 제조되는 박막에 비해 유사한 조건에서도 두꺼운 Al-doped ZnO (AZO)층을 최초로 형성하였고, 코팅된 AZO층의 두께를 달리한 NCM 기반의 양극판을 제조하였다. ALD 코팅된 양극이 도입된 코인셀을 제조하여 두껍게 형성된 코팅 층의 두께에 따른 고전압에서 충방전 거동을 확인하였다.