• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.9 no.6
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• pp.1581-1584
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• 2008

In dual-polycide-gate structure with butting contact, net doping concentration of polysilicon was decreased due to overlap between $n^+$ and $p^+$ and lateral dopant diffusion in silicide/polysilicon layers. The generation of parasitic Schottky diode in butting contact region is attributed both to the $CoSi_2$-loss due to $CoSi_2$ agglomeration and to the decrease in net doping concentration of polysilicon layer. Parasitic Schottky diode reduces noise margin of sense amplifier in DDI DRAM, which causes column fail. The column fail could be reduced by physical isolation of $n^+/p^+$ polysilicon junction or suppressing $CoSi_2$ agglomeration by using nitrogen implantation into $p^+$ polysilicon before $CoSi_2$ formation.

• Resources Recycling
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• v.18 no.1
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• pp.38-43
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• 2009

In this study, binderless consolidation processes of ultra foe Si powder, by-products of making high purity poly-Si in the current method, were systematically investigated for use as economical solar-grade feedstock. The average diameter of the silicon powder was $7.8{\mu}m$. The main contaminants of the fine silicon powder were $SiO_2$ type oxide and humidity. The chemical pretreatment using the HF solution was observed to be effective for the improvement of the compactability of the silicon powder and the density ratio and the strength of the silicon powder compacts. The yield of the binder-free consolidation process increased by 20% under a vacuum condition. In as-received state, the silicon powder were not pure enough to be used as solar grade feed-stock material. After the dry chemical treatments, a sufficiently high purity above solar-grade was able to be achieved.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.48-48
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• 2011

2010년 약 19.5 GWp 의 규모로 성장한 태양광 시장의 주요 소재는 실리콘을 이용한 태양전지이며, 고성능 및 고효율 태양전지 시장이 급성장 하였다. 이러한 고품질 태양전지에 사용되는 주요 원료인 9N 급 폴리실리콘은 2008년 4월 $265/kg 까지 상승하였으나, 점차 하향안정세에 있으며, 급속한 가격 경쟁을 통해 당분간 장기공급가가 50$/kg 이하로 하락할 것으로 전망된다. 이러한 실리콘 제조기술 중 가장 많이 사용되는 기술은 Trichloro-silane (TCS) 또는 Mono-silane (MS)를 사용하는 기상법인 일명 Siemens 공정이다. 이러한 기상법의 경우 12N 이상의 초고품질 실리콘 제조가 가능하나, 대규모의 설비투자(1억원/폴리실리콘 1톤)와 높은 에너지(120 kWh/kg)가 요구된다. 이에 최근 기상법이 아닌 야금학적인 정련법에 대한 기술이 개발되고 있으며, 이는 금속 실리콘을 슬래그 처리, 편석 분리, 응고 급랭, 전자빔, 플라즈마 등을 이용하여 정련하는 공정을 말한다. 야금학적 정련법은 순도 면에서 기상법에 비하여 낮은 단점이 있음에도 불구하고, 여러 장점들로 인해 활발히 연구되며 점차 실용화 되고 있는 매우 유용한 기술이다. 야금학적 정련법의 주요 장점은 기상법에 비해 약 25% 정도의 설비 투자비로 가능하고, 금속 실리콘을 직접 사용하며, 에너지 payback이 짧다. 또한, 산 및 염화실렌을 사용하지 않으므로 환경 문제를 적게 야기하고, 생산설비의 확장성도 매우 높다. 본 연구에서는 국내 규석광을 이용하여 일련의 정련 공정을 거쳐 고순도SG(Solar Grade)급 실리콘을 제조하고자 하였다. 실리콘 용융 환원로를 개발하고 순도를 높이기 위해 슬래그정련법을 이용하였으며, 생산된 3N 급의 금속 실리콘을 비기상법정련 방식인 일방향 응고와 플라즈마 정련 및 전자기유도 용해법을 이용하여 고순도의 실리콘을 제조하였다. 본 연구에서는 상업생산을 개시한 외국의 E사와 비교하여 산침출공정을 거치지 않으므로 실리콘회수율 및 환경부하 절감의 장점을 갖고 있으며 최종 순도 실리콘 6N 이상, 보론 함유량 0.2 ppm 이하를 달성하였으며, 기존 기상법 대비 약 20%의 전력 감소와 약 13%의 금속실리콘 원료 절감 효과가 있었다. 저가/고순도 SG급실리콘의 제조기술 개발은 향후 세계 태양광 시장에 대한 경쟁력을 확보하고, 시장 점유율 상승에 기여할 수 있으며, 산업 확대를 통한 주변 산업으로의 파급 효과가 매우 클 것으로 예상된다.

• The Safety technology
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• no.199
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• pp.18-20
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• 2014

차세대 친환경 에너지의 대표주자로 꼽히는 태양광 발전. 지구촌의 환경오염 문제가 심각한 문제로 대두되기 시작하면서 세계 각국에서는 태양광 발전 산업에 뛰어들고 있다. 우리나라도 이와 같은 추세에 적극 동침하고 있다. 특히 오늘의 주인공인 한화케미칼(주)은 지난 2010년 태양광 사업을 추진한 이후 지난해 8월부터는 여수에서 폴리실리콘공장을 가동하는 등 본격적인 행보에 나서고 있다. 태양광 발전에서 가장 중요한 요소가 바로 태양전지인데 이의 기초 원료가 되는 폴리실리콘을 이곳에서만 연간 1만톤가량 생산하고 있는 것이다. 이에 힘입어 현재 한화케미칼에서 태양광 사업은 주력 사업으로 부상했을 정도다. 때문에 이곳 공장에서는 그야말로 빈틈없는 안전관리가 전개되고 있다. 작은 사고로도 한화케미칼이 그동안 쌓아온 '안전사업장'이라는 명성에 오점을 남길 수 있기 때문이다. 본사 차원의 시스템을 바탕으로 현장 상황에 맞는 최적의 안전관리를 전개하고 있는 한화케미칼(주) 폴리실리콘공장을 찾아가 봤다.

• Journal of the Korean Recycled Construction Resources Institute
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• v.2 no.4
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• pp.328-334
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• 2014

This study reviewed the usability of sludge, a material that is additionally created when polysilicon (a solar light material) is produced, as the raw material for cement clinker. It was evaluated that when cement clinker is produced, the chloric component of polysilicon acted as a mineralizer in the firing process. In addition, the physical features of the produced cement were measured. The setting time of the produced cement was reduced as the amount of content of polysilicon sludge increased. Such results were drawn because the chloric component acted as hydration accelerator and enhanced the dissolution of calcium hydroxide that was formed by hydration of $C_3S$. Furthermore, for such reason, on the day 1, the compression strength of mortar increased as the content of polysilicon sludge increased. In day 3, 7, and 28, the tendency in which the compression strength increasing up to 5% of the amount of added polysilicon sludge was shown. It is because when clinker was produced, the chloric component increased the amount of $C_3S$ mineral created, thus enhancing the compression strength after day 3.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.32 no.3
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• pp.546-567
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• 2015

Silicone-based surfactants consist of a hydrophobic organosilicone group coupled to one or more hydrophilic polar groups, while the hydrophobic groups of hydrocarbon surfactants are hydrocarbons. Silicone surfactants have been widely used in many industrial fields starting from polyurethane foam to construction materials, cosmetics, paints & inks, agrochemicals, etc., because of their low surface tension, lubricity, spreading, water repellency and thermal and chemical stability. A wide range of silicone surfactant structures are required to provide the functional diversity for reflecting the necessities in the various applications. This review covers the basic properties and the synthetic schemes of polydimethylsiloxane and reactive polysiloxanes as hydrophobic siloxane backbones, the main reaction schemes, such as hydrosilylation reaction, for coupling reactive polysiloxanes to hydrophilic groups, and the synthetic schemes of the main polysiloxane surfactants including polyether-, ionic-, carbohydrate-type surfactants.

• Journal of Korea Technology Innovation Society
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• v.14 no.3
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• pp.578-598
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• 2011

This study estimates the value of photovoltaic core material technology, which is getting attention as a clean energy source. The estimation is based on the real option pricing model (ROPM). This study has two main contributions. The first is in the methodology. The process of modeling volatility, which is the most complicated stage in ROPM, is greatly simplified by using the stock price as a covariate representing the volatility of the real option's basic asset. The second contribution is the application of technology. In this study, the economic value of poly-silicon, a core material in the photovoltaic industry and recently surging in demand, is evaluated as a manufacturing technology. In a case study of a company in the photovoltaic industry, the stochastic process of a basic asset follows geometric Brownian motion (GBM), and the option value of firm A's poly-silicon manufacturing technology is estimated at 3.4 trillion won.

• Journal of the Korean Recycled Construction Resources Institute
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• v.6 no.4
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• pp.275-282
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• 2018

This study examines the ways to address environmental issues by utilizing activated loess to reduce the amount of cements that emit a large amount of carbon dioxide during the process of manufacturing, and by reusing the polysilicon sludge produced as a result of manufacturing polysilicon, one of the components for solar power generation panels. The findings of the experiment showed that the optimal replacement ratio of the polysilicon sludge is 20%, 35% for W/B, and 20% for the ratio of the fine aggregate addition. As it is deemed that utilizing the polysilicon sludge for reinforced concrete may lead to rebar corrosion due to the $CI^-$ contained in the sludge, it can be considered to use for unreinforced concrete or bricks.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.05a
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• pp.74-78
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• 2002

MEMS공정을 이용하여 폴리실리콘의 piezoresistivity를 이용한 스트레인 센서어레이를 제작하였고, 이 센서 어레이를 flexible substrate에 패키징하는 공정을 개발하였다. 실리콘 웨이퍼에 표면 가공(surface micromachining)된 센서는 폴리이미드 코팅, release-etch 방법을 통해 웨이퍼로부터 분리되어 폴리이미드를 기판으로 하는 flexible sensor array module을 완성할 수 있었다. 공정은 희생층과 절연층을 증착하고 폴리실리콘 0.5 $\mu\textrm{m}$을 증착, 도핑 및 패터닝하여 센서 어레이를 구성하였다. 이 센서어레이를 flexible substrate에 패키징 하기 위해서 폴리이미드를 코팅하여 15 $\mu\textrm{m}$의 막을 구성하였고, 100% $O_2$RIE를 이용한 선택적 식각 방법으로 via hole을 구성하였다. 이후 전기도금을 통해 회로를 구성하여 1단계 패키징(die to chip carrier)과 2단계 패키징(chip to substrate)을 웨이퍼 레벨에서 완성하였다. 희생층을 제거함으로서 웨이퍼로부터 센서어레이 모듈을 분리하였다. 제작되어진 센서 모듈은 임의의 곡면에 실장이 가능하도록 충분한 flexibility를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1353-1354
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• 2007

폴리 실리콘 층의 유무에 따른 금속-옥사이드-반도체(MOS) 구조의 소자를 제작하였다. 터널링 산화막과 블로킹 산화막으로는 $Al_{2}O_{3}$ 층을 증착하였으며, 원자층 증착법을 이용하여 제작하였다. 터널링 산화막 층의 두께에 따른 I-V와 C-V 특성을 측정하였다. 전자들이 폴리 실리콘 층에 저장됨에 따라 N-형의 I-V 특성이 관찰되었다. C-V 측정 시에는 반시계 방향의 히스테리시스 특성을 나타내었으며, 전압이 증가할수록 플랫-밴드 전압 이동 폭이 더욱 증가하였다. 이러한 전기적 특성은 전압의 이동에 따른 전자들이 터널링 산화막 층을 통하여 폴리 실리콘 내부에 저장되기 때문이다. 이를 특성들은 폴리 실리콘의 전하 저장 가능성을 보여주는 것이며, 터널링 산화막 층의 두께에 따른 전기적 특성 변화도 관찰하였다.