Induced anisotropy with the energy of $6{\times}10^4\; J/m^3$ is obtained in amorphous Sm-Fe based thin films which are fabricated by rf magnetron sputtering under a magnetic field of 500~600 Oe. Compared with conventional thin films, the anisotropic thin films exhibit a similar "saturation" magnetostriction, but show a very large anisotropy in magnetorstiction which is of significant practical importance due to increased strain at a particular direction. It is shown from a systematic investigation over a wide composition range for binary Sm-Fe alloys that anisotropy is also induced, though small, during a normal sputtering procedure due to the stray field, and the largest anisotropy is observed in the composition range of 25~30 at.% Sm. Furthermore, induced anisotropy is also found to be formed by magnetic annealing, but the anisotropy energy is much smaller than that by magnetic sputtering. This may be because the volume diffusion by which atoms move during magnetic annealing to from induced anisotropy is much slower than the surface diffusion which is expected to be a dominant factor during magnetic sputtering.puttering.
The polarizatin properties of an internal-mirror 543 nm He-Ne laser with and without a transverse magnetic field were investigated for single-mode operation. Two orthogonal eigenpolarizations field to the natural tube axes of laser were observed when the emitted laser output was linearly polarized. Polarization unstability between these polarizations occurred when the applying a 500 gauss transverse magnetic field at 35$^{\circ}$ with respect to the natural tube axes of laser. Under such conditions stable single-mode operation which is useful for the frequency stabilization of a 543 He-Ne laser to $I_2$-saturated absorptions was obtained in the tuning range of 880 MHz.
Fundamental characteristics of giant magnetostrictive alloy $Terfenol-D(Tb_{0.3}Dy_{0.7}Fe_{1.9~1.95})$ are rreasured and discussed on the application for actuators. The magnetostriction is measured by laser displacement rreasuring system and the applied compressive stress is measured by load cell. Magnetostrictions increased as the applied compressive stresses increased. When the stress is 7 MPa, the magnetostriction is 1000 ppm at 1500 Oe. As the stresses iocreased from 0 to 14 MPa, the magnetic fields for saturating the magnetostriction also increased. The temperature increased during the experiment is $0.3^{\circ}C$, so the thermal expansion is negligible in these experirrents. The feedback or temperature control function should be added for the precise position control actuator.
$NiFe/TbCo/Si_3N_4$ thin films were fabricated, which can be employed as dualOongitudinal and transverse) biased magnetoresistive elements utilizing surface magnetic exchange at the interface of NiFe/TbCo films. When Tb area percent was 36 % and substrate bias was not applied, magnetic exchange fields of 100~180 Oe were obtained. The thicknesses of NiFe, TbCo and $Si_3N_4$(Protective layer) were $470\;{\AA},\;2400\;{\AA}\;and\;600\;{\AA}$, respectively. Magnetoresistance ratio of 1.45 % was obtained using NiFe films fabricated with 1000 W power and 2.5 mTorr of Ar pressure. The MR ratio of microstructured elements was reduced to 1.31 % and the MR response curves were shown not to saturate due to demagnetizing fields of the elements. When elements were fabricated with $36^{\circ}$ of misalignment with respect to the exchange field direction using films having 150 Oe exchange field, MR response curve was shifted by 85 Oe, and the operating point of the device shifted to the linear region of the response. Also, the Barkhausen noise was eiminated due to longitudinal bias field originating from the exchange field.
Polycrystalline thin films of La$_{2}$3/Sr$_{1}$3/MnO$_3$(LSMO) were prepared by water-based sol-gel processing on thermally oxidized Si(100) substrate. The thickness dependence of the low-field tunnel-type magnetoresistance properties at room temperature was studied. Tunnel-type magnetoresistance at low-field is found to be strongly dependent on film thickness. Maximum value of tunnel-type magnetoresistance of LSMO thin films was appeared at the film thickness of ~1500 $\AA$. This behavior can be explained in terms of dead layer between LSMO thin film and Si(100) substrate and thermal lattice strain effect in the LSMO thin films.
By applying the Nakayama's theory of saturation spectroscopy to 87Rb $D_2$ lines, taking into account the optical pumping process, the relative intensities of the resonance signals were calculated for various polarization combinations of pump and probe beams. The saturated absorption spectra were observed with a linewidth-narrowed semiconductor laser. As the result, it was found that the theoretical calculations were in good agreement with the experimental observations in the case where the geomagnetic field was- shielded.
자기기록의 고밀도화로 인해 보자력(Hc)이 큰 자기기록매체가 필요하게 되었다. 고보자력매체에 신호를 충분히 기록하기 위해서는 보다 강한 자장이 필요하다. 이 때문에 포화자화(Ms)가 큰 재료가 필요하며 고주파 영역에서 실효투자율($\mu$eff)이 높아야 한다. Fe계 합금박막은 이에 적합한 재료이다. 본 연구에서는 Fe의 결정자기이방성에 영향을 미치는 Si과 Fe의 격자 변형을 유도할 수 있는 B를 첨가하였다. Fe-B-Si 계 박막을 질소분위기 중에서 RF Matnetron Sputter로 제작하여 연자기적 특성에 관하여 고찰하였다. Fe91.49B4.01Si4.50at% 박막은 35$0^{\circ}C$에서 1시간 열처리를 행함으로써 약 900(10MHz) 정도의 투자율과 7.6Oe의 보자력을 나타냈으며 포화자화는 1300emu/㎤를 얻었다.
무전해도금법에 의한 퍼멀로이 박막의 도금 최적조건 규명 및 자기적 특성 향상을 위하여 퍼멀로이 박막의 미세구조 및 자기적 특성 등을 연구하였다. 소지는 알루미나를 사용하였으며, 환원제는 boron을 포함하는 Ni-Fe-B도금막이 형성되는 DMAB(dimethylamine borane)를 사용하였다. 도금시 인가된 도금막이 무자장하에서 도금된 도금막과 비교하여 기공이 적고, 조밀한 막이 형성됨을 SEM을 통하여 확인하였다. 도금속도는 온도, pH, DMAB 농도가 증가할수록 증가하였다. 도금막에 함유되는 boron의 함량은 pH가 감소할수록, 온도와 DMAB농도가 증가할수록 증가하였다. 도금막 보자력값은 30$0^{\circ}C$에서 1시간 열처리하였을 때 약 4.5Oe로 감소하였고, 포화자기유도값은 3-5kG 정도 증가하였다. 이때 포화자기유도값은 자장하에서 도금된 후 열처리한 도금막이 무자장하에서 도금된 후 열처리한 도금막에 비하여 1.7kG 정도 높았다. 또한 열처리 후의 도금막이 열처리 전의 도금막에 비하여 기공이 적고 조밀한 도금막을 형성함을 볼 수 있었다.
The effects of annealing in rotating magnetic field after deposition on electromagnetic properties of $Co_{82}Zr_6Mo_{12}$ thin (200~1200 $\AA$) films prepared by RF-magnetron sputtering were investigated in terms of microstructure and surface morphology. The coercivity decreases, but $4{\pi}M_5$ does not change with increasing the film thickness. The coercivity of the films was decreased below 300 $^{\circ}C$ due to stress relief and decreasing the surface roughness, while increased at 400 $^{\circ}C$ due to partial grain growth. And then, $4{\rho}M_5$ was almost independent of annealing temperatures below 200 $^{\circ}C$, but increased from 7.4 kG to 8.0 kG at 300 $^{\circ}C$ and at 400 $^{\circ}C$, which was caused by precipitation and growth of fine Co particles in the films. The electrical resistivity of films was decreased with increasing annealing temperatures and the magnetoresistance was a negative value of nearly 0 $\mu$$\Omega$cm. After annealing at 300 $^{\circ}C$, maximum effective permeability was 1200 to the hard axis of the thin films according to high frequency change. Considering the practical application of biasing layers of the films for magnetoresistive heads, optimal annealing conditions was obtained after one hour annealing at 300 $^{\circ}C$ in 400 Oe rotating magnetic field.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.05a
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pp.11-11
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2009
종래의 산업폐수 처리기술로는 중금속 함유 폐수에 수용성의 금속염을 첨가하여 가성소다 혹은 소석회를 이용하여 pH를 조정하고 고분자 응집제를 첨가하여 금속의 수산화물을 생성시켜 이를 부상 혹은 침전시켜 Sludge화하여 제거하는 방법이 주로 사용되고 있다. 그 외 질소, 인, 유기물이 함유된 폐수의 경우에는 Biological Oxidation Techniques, 활성탄 흡착방식이 주로 채택되고 있다.[1-3] 이러한 폐수처리기술은 화학약품 사용량이 과다하고 이는 Sludge 생성량을 증대하고 2차 폐수처리가 필요로 하는 경우가 많고, 처리장이 면적이 넓어야 하고 대용량의 Sludge 제거창치가 필요하여 고비용의 처리공정으로 문제점을 가지고 있다.[2-3] 이에 본 연구에서는 이러한 기존 기술의 문제점을 보완할 수 있고 기존 기술로는 완벽하게 처리하기 곤란한 악성 폐수들에 대한 새로운 고도처리기술로 초전도 마그네트를 이용한 고구배 자기분리기술에 대한 기초연구를 하였다. 본 연구에서 사용한 고구배 자기분리 시스템은 무헬륨 전도냉각방식으로 자기분리를 위해 사용한 필터는 SUS 430 재질의 메쉬 형태로 제작하여 실험하였다. 또한, 자기분리 처리를 위한 전처리 공정으로는 응집제를 첨가하여 자기분리 효율을 높이고자 하였다. 자기분리 처리대상수로는 포항제철에 압연 강판에 사용되는 냉각수를 대상으로 자기분리 처리에 대한 효과를 실험하였다. 또한, 자기분리에 대한 특성을 평가하기 위해 강자성의 $Fe_3O_4$ 미세자성분말을 첨가하여 처리수내의 들어있는 유기물질에 대해 자기분리 자장 및 유속에 대한 처리효율을 미치는 영향을 조사하였다. 자기분리 처리는 1~6 Tesla에서 자기필터는 디스크 형태로 다층으로 연속적으로 적층하였으며, 처리유속은 1~4 l/min으로 하였다. 고농도인 처리폐수를 자가분리 인가 자장에 따라 처리하여 고농도에서는 70%, 저농도에서는 98 %까지 처리되었다. 또한, 자기분리용 필터는 SUS 430 재질의 mesh 망을 사용하였으며 인가자장 및 유속변화에 대한 실험 결과 탁도 및 농도는 필터 크기의 영향은 거의 차이가 없었으며 단지 인가자장 및 유속에 따라서 지수적으로 감소하였다. 자기분리된 용액 내 $Fe_3O_4$ 입도 분석 결과 자기분리 이전에 분포하던 $10\sim20\;{\mu}m$의 입자는 거의 제거되었으며 2 ${\mu}m$ 이하의 입자들은 실험 횟수에 따라 점점 직경이 작은 쪽으로 분포가 좁아졌으며, 마그네타이트의 자화율을 분석한 결과 약 0.8 Tesla에서 포화 되었으며 처리수의 탁도 및 농도가 자장에 따라 감소하는 것으 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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