Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.05a
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pp.206-206
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2004
평판디스플레이의 사이즈 및 그 응용범위가 확대되어 감에 따라, 기존의 근접식 노광장비로는 원하는 성능의 디스플레이소자를 생산하는데 한계에 도달하게 되었다. 최근에는 반도체웨이퍼 생산에 적용되는 투영식분할노광방식 또는 스캔방식의 노광장비가 평판디스플레이소자의 생산에 적용되는 추새인데, 이러한 방식의 노광장비의 핵심기능을 수행하는 모듈 증 마스크스테이지가 있다. 투영식노광 장비의 노광광원(조명광학계)에서 발생된 노광광은 마스크를 통과함으로써 특정패턴을 형성할 수 있는 형태로 변화되고, 투영광학계를 거쳐 피노광재에 조사 된다.(중략)
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2004.05b
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pp.25-29
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2004
멀티미디어 및 인터넷의 기술의 발전과 더불어 브라운관 중심의 디스플레이 기술은 평판디스플레이 기술로 발전하였으며, 유비궈터스 및 디지털 컨버전스 기술의 발전은 무기물을 중심으로 한 평판디스플레이 기술로부터 유기물을 중심으로한 플렉서블 디스플레이 기술로 디스플레이 기술의 진화가 예상된다. 플렉서블 디스플레이는 90년대 후반 주로 저가형 수동구동 방식을 이용한 디스플레이를 중심으로 발전해 왔으나 현재에는 능동구동 방식을 이용한 디스플레이로 방향이 전환된 상태이다. (중략)
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.56
no.7
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pp.1275-1281
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2007
The discharge phenomena in a flat fluorescent lamp for the backlight unit of liquid crystal displays are simulated by sung a two-dimensional fluid model. The numerical methods for the calculation of plasma dynamics and the radiation transport are introduced for the discharge simulation and for the transmission of the vacuum ultraviolet lights. The simulation results are presented to compare the luminance and the luminance efficacy with the variation of gas pressure, gas mixture ratio, driving voltage, and frequency.
In this study, the characteristics of large area internal linear ICP sources of 1020mm X 920mm(substrate area is 880 X 660mm) were investigated using two different types of antenna, that is, a conventional serpentine-type antenna and a newly developed multiple U-type antenna. The multiple antenna showed a higher plasma density, a higher radical density, and more plasma stability compared to the serpentine-type antenna, and it appeared from the higher inductively coupling and less standing wave effect compared to the serpentine-type antenna. Using the multiple U-type antenna, the plasma density of $2\times10^{11}/cm^3$ with the plasma uniformity of 4% could be obtained using 15mTorr Ar and 5000W of RF power.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2003.05a
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pp.1-3
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2003
평판형 안테나를 채택한 TCP (Transformer Coupled Plasma) 형태의 CVD 장비를 이용하여 비정질의 실리콘 박막을 증착 하였다. 비정질 실리콘 박막은 태양전지 및 TFT-LCD 등의 디스플레이 제품 등에 다양하게 적용되고 있는데, 일반적으로 CCP(Capacitor Coupled Plasma) 형태의 CVD 장비에서 증착되어 왔다. TCP-CVD 장비는 CCP-CVD에 비해 플라즈마 내의 높은 이온밀도 및 저압, 저온에서 공정이 가능할 뿐만 아니라, 기판 바이어스 전압을 독립적으로 조절할 수 있어 이은에 의한 증착막의 결함을 낮출 수 있는 장점이 있다. 본 발표에서는 자체 기술로 제작된 TCP-CVD의 소개와 증착된 비정질 실리콘 박막의 특성평가를 위한 라만 분석 및 dark conductivity 데이타를 다루었다. 또한 비정질 실리콘 박막의 반도체 소자의 응용성을 보기 위하여 3족 및 5족의 불순물을 도핑하여 전기전도도의 변화를 측정하였다.
20세기 디스플레이의 중심에 서 있던 브라운관이 1990년대 이후 PDP나 LCD 등 박형 평판디스플레이로 대체되면서 현재까지 스크린 사이즈의 중대형화, 고해상도화, 저소비전력화, 저가격화 등 다양한 노력들이 지속적으로 이루어져 왔다. 특히 TV와 디스플레이 산업에 있어 우리나라는 2004년 이후 세계 점유율 1위의 위치를 꾸준히 유지해 오고 있으나 2020년에 들어서면서 중국과의 격차가 1%대로 좁혀지고 있는 등 TV 시장에 대한 후발주자의 공세가 점차 거세지고 있다. 이에 따라 LCD에서 OLED나 마이크로 LED 등 차세대 디스플레이로의 사업구조 전환을 서두르고 있으며 후발주자의 추격 또한 만만치 않은 상황에 있다. 이러한 가운데 코로나 19를 계기로 비대면 문화가 확산되면서 IT 제품 수요가 지속적인 강세를 보이고 있으며 TV와 디스플레이도 대형 및 프리미엄 TV를 중심으로 그 수요가 빠르게 확대 개선되고 있는 추세로서 100인치대 내외의 대화면, 8K UHD와 같은 초고해상도, 5-10mm 수준의 초슬림에 대한 요구가 절정을 이루고 있다. 이를 위해 TV와 디스플레이를 구성하는 핵심 요소인 전원장치 또한 고전력밀도와 초솔림화를 위한 많은 연구 개발이 이루어지고 있으며 특히 최근 EU의 에코디자인 규정에 따라 디스플레이의 소비전력과 효율 또한 매우 중요한 이슈로 부각되고 있다. 한편, 최근까지 주류를 이루고 있는 LCD TV와 디스플레이용 전원장치의 경우 역률 개선을 위한 PFC(Power Factor Correction) 단과 LED 백라이트 및 영상보드의 전원공급을 위한 절연형 DC/DC 단으로 구성되며, OLED와 같은 저전압 대전류 디스플레이 소자의 경우 전반적인 전원장치의 구성은 유사하나 비절연형 DC/DC컨버터가 추가적으로 요구되기도 한다. 본고에서는 상기한 바와 같은 최근 추세에 따라 TV 및 디스플레이용 전원장치의 각 구성요소별로 고효율, 고밀도, 초슬림을 위한 전원회로 기술에 대해 간략히 소개한다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.253-253
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2010
유리 기판 상에 시스템 온 패널과 같은 차세대 디스플레이 구현과 평판형 디스플레이의 문제점 해결을 위하여 비휘발성 메모리 소자 등의 전자 소자 집적화와 빠른 구동 속도를 가진 박막트랜지스터가 요구된다. 본 논문에서는 비휘발성 메모리 소자에서 MONOnS 각 layer층의 두께 따른 특성에 대한 연구를 진행하였다. 실험은 ONO 구조를 12.5nm/35nm/2.7nm, 12.5nm/20nm/2.3nm, 8.5nm/10nm/2.3nm, 6.5nm/10nm/1.9nm 의 두께로 증착하였다. ${\Delta}VFB$, Retention time, capacitance을 측정하여 oxide/Nitride/Oxynitride 층의 두께 변화를 통해 최적화된 tunneling layer와 charge storage layer, 그리고 blocking layer의 두께를 알 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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