• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 방전 플라즈마연구회
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• pp.44-48
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• 2003

할로겐 난연재료 및 고분자의 연소시 Dioxine의 문제점이 대두되고 있어 유럽국가를 중심으로 할로겐 난연제 사용을 규제하고 있다. 환경과 인체에 대한 안정성을 고려해서 저 유해 가스화, 저 발연화, 저 부식성, 리사이클링 등을 겸비한 제품의 개발로 관심이 모아지고 있는 실정이다. 본 연구에서는 환경친화적인 금속화합(수산화 알루미늄)을 사용하여 연소시 발생할 수 있는 난연성, 무독성, 소연성 등을 함량별로 확인하고 난연재가 증가할수록 취약한 기계적 물성 보완을 위해 moisture cure crosslikable 기술로 케이블절연 및 자켓 피복층 특성을 증가 시켰다. 그러나 수산화알루미늄 함량이 증가할수록 기계적 물성과 기타 특성도 감소하는 경향을 보이고 있어 최적의 난연제 조성함량이 약 130~150 phr정도에서 우수한 결과를 확인하였다. 또한 moisture cure agent는 전선압출 시 표면에 scorch 및 장기 압출에 영향을 주므로 약 1.5~2phr 범위에서 처방하는 것이 우수하다. 원료투입 후 mixing 공정 중에서는 온도관리가 매우 중요하므로 되도록 믹싱 온도를 $130^{\circ}C$ 이하를 유지해야한다. 온도는 수산화알루미늄의 분산성과 케이블 피복압출 시 표면에도 영향을 주기 때문이다 본 연구는 이런 작업방법을 통해 친환경 가교 난연콤파운드가 비(比) 가교된 제품에 비해 특성이 증가되는 것을 입증할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권1호
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• pp.43-47
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• 2024

The size of semiconductor devices has been scaled down to improve packing density and output performance. However, there is uncontrollable spreading of the dopants that comprise the well, punch-stop, and channel-stop when using high-temperature annealing processes, such as rapid thermal annealing (RTA). In this context, low-temperature deuterium annealing (LTDA) performed at a low temperature of 300℃ is proposed to reduce the thermal budget during CMOS fabrication. The LTDA effectively eliminates the interface trap in the gate dielectric layer, thereby improving the electrical characteristics of devices, such as threshold voltage (V_TH), subthreshold swing (SS), on-state current (I_ON), and off-state current (I_OFF). Moreover, the LTDA is perfectly compatible with CMOS processes.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제48권5호
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• pp.568-573
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• 2010

본 연구에서는 polyester 섬유표면에 활성기를 부여하기 위한 전처리제로 isocyanate를 이용하여 농도에 따른 접착력을 평가하였다. 이 후 HNBR compound와 polyester fabric의 접착 시 접착력이 우수한 RFL 용액용 latex 선정 및 F/R mole ratio, F/R resin/latex 무게 비에 따른 실험을 진행하였다. 그 결과 전처리제의 농도가 7 wt%인 경우 가장 높은 접착력을 나타내었으며, RFL 용액용 latex로는 HNBR 컴파운드와 상용성이 높은 NBR latex가 우수한 결과를 나타내었고 F/R mole ratio, FR resin/latex 무게비가 각각 1/1, 20%일 때 가장 높은 접착력을 나타내었다. 또한, peel test와 FTIR 분석을 이용해 RF resin의 열처리 온도에 따른 접착강도와 spectra의 peak 변화를 평가해 본 결과 최적의 열처리 온도는 $200^{\circ}C$이었다.

• 한국재료학회지
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• 제34권4호
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• pp.202-207
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• 2024

In this study, we undertook detailed experiments to increase hydrogen production efficiency by optimizing the thickness of titanium dioxide (TiO₂) thin films. TiO₂ films were deposited on p-type silicon (Si) wafers using atomic layer deposition (ALD) technology. The main goal was to identify the optimal thickness of TiO₂ film that would maximize hydrogen production efficiency while maintaining stable operating conditions. The photoelectrochemical (PEC) properties of the TiO₂ films of different thicknesses were evaluated using open circuit potential (OCP) and linear sweep voltammetry (LSV) analysis. These techniques play a pivotal role in evaluating the electrochemical behavior and photoactivity of semiconductor materials in PEC systems. Our results showed photovoltage tended to improve with increasing thickness of TiO₂ deposition. However, this improvement was observed to plateau and eventually decline when the thickness exceeded 1.5 nm, showing a correlation between charge transfer efficiency and tunneling. On the other hand, LSV analysis showed bare Si had the greatest efficiency, and that the deposition of TiO₂ caused a positive change in the formation of photovoltage, but was not optimal. We show that oxide tunneling-capable TiO₂ film thicknesses of 1~2 nm have the potential to improve the efficiency of PEC hydrogen production systems. This study not only reveals the complex relationship between film thickness and PEC performance, but also enabled greater efficiency and set a benchmark for future research aimed at developing sustainable hydrogen production technologies.