• Title/Summary/Keyword: 트랜치

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Effects of Trench Depth on the STI-CMP Process Defects (트랜치 깊이가 STI-CMP 공정 결함에 미치는 영향)

  • 김기욱;서용진;김상용
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.9 no.4
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    • pp.17-23
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    • 2002
  • The more productive and stable fabrication can be obtained by applying chemical mechanical polishing (CMP) process to shallow trench isolation (STI) structure in 0.18 $\mu\textrm{m}$ semiconductor device. However, STI-CMP process became more complex, and some kinds of defect such as nitride residue, tern oxide defect were seriously increased. Defects like nitride residue and silicon damage after STI-CMP process were discussed to accomplish its optimum process condition. In this paper, we studied how to reduce torn oxide defects and nitride residue after STI-CMP process. To understand its optimum process condition, We studied overall STI-related processes including trench depth, STI-fill thickness and post-CMP thickness. As an experimental result showed that as the STI-fill thickness becomes thinner, and trench depth gets deeper, more tern oxide were found in the CMP process. Also, we could conclude that low trench depth whereas high CMP thickness can cause nitride residue, and high trench depth and over-polishing can cause silicon damage.

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A Study on Optimal Design of 100 V Class Super-junction Trench MOSFET (비균일 100V 급 초접합 트랜치 MOSFET 최적화 설계 연구)

  • Lho, Young Hwan
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.50 no.7
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    • pp.109-114
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    • 2013
  • Power MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) are widely used in power electronics applications, such as BLDC (Brushless Direct Current) motor and power module, etc. For the conventional power MOSFET device structure, there exists a tradeoff relationship between specific on-state resistance and breakdown voltage. In order to overcome the tradeoff relationship, a non-uniform super-junction (SJ) trench MOSFET (TMOSFET) structure for an optimal design is proposed in this paper. It is required that the specific on-resistance of non-uniform SJ TMOSFET is less than that of uniform SJ TMOSFET under the same breakdown voltage. The idea with a linearly graded doping profile is proposed to achieve a much better electric field distribution in the drift region. The structure modelling of a unit cell, the characteristic analyses for doping density, and potential distribution are simulated by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas. As a result, the non-uniform SJ TMOSFET shows the better performance than the uniform SJ TMOSFET in the specific on-resistance at the class of 100V.

Analysis of Infiltration Facilities Effects for the Borimcheon Catchment (도림천 유역을 위한 침투증진시설의 효과분석)

  • Lee Seung Jong;Kim Young-Oh;Lee Sang Ho;Lee Kil Seong
    • Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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    • pp.100-104
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    • 2005
  • 본 연구에서는 도시의 급격한 발달로 인해 왜곡된 물순환을 나타내고 있는 도림천 유역에 대해서 물순환 회복을 위한 대안 중 침투증진시설의 효과에 대한 모의를 수행하였다. 물순환 모의는 도시유역의 물순환 정량화를 목적으로 개발된 WEP(Water and Energy transfer Processes) 모형을 이용하였으며, 침투증진시설로는 침투트랜치와 투수성 포장재의 설치효과를 분석하였다. 물순환 회복효과는 도시개발 이전의 유출특성과의 비교를 통해 평가하였으며, 이를 위해 1975년의 토지이용도로 도시개발 이전의 물순환 모의를 수행하였다. 모의결과 도시화에 의해 불투수율이 과거보다 $18.7\%$ 증가한 것을 알 수 있었으며, 이로 인해 첨두시간은 감소하고, 첨두 및 총유출량은 증가한 것으로 나타났으며, 침투량과 기저유출량이 감소한 것을 확인할 수 있었다. 침투증진시설의 설치효과는 침투트랜치와 투수성 포장재의 개별적인 설치보다는 두 가지를 함께 적용했을 경우에 도시개발 이전의 유출특성에 근접하는 것을 알 수 있었다.

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Improvement of Electrical Characteristics of Vertical NPT Trench Gate IGBT using Trench Emitter Electrode (트랜치 에미터 전극을 이용한 수직형 NPI 트랜치 게이트 IGBT의 전기적 특성 향상 연구)

  • Lee Jong-Seok;Kang Ey-Goo;Sung Man-Young
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.19 no.10
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    • pp.912-917
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    • 2006
  • In this paper, Trench emitter electrode IGBT structure is proposed and studied numerically using the device simulator, MEDICI. The breakdown voltage, on-state voltage drop, latch up current density and turn-off time of the proposed structure are compared with those of the conventional trench gate IGBT(TIGBT) structures. Enhancement of the breakdown voltage by 19 % is obtained in the proposed structure due to dispersion of electric field at the edge of the bottom trench gate by trench emitter electrode. In addition, the on-state voltage drop and the latch up current density are improved by 25 %, 16 % respectively. However increase of turn-off time in proposed structures are negligible.

A new structure of completely isolated MOSFET using trench method with SOI (SOI기판과 트렌치 기법을 이용한 완전 절연된 MOSFET의 전기적인 특성에 관한 연구)

  • Park, Yun-Sik;Kang, Ey-Goo;Kim, Sang-Sig;Sung, Man-Young
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • pp.159-160
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    • 2002
  • 본 논문에서는 반도체 응용부문 중 그 활용도가 높은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)의 새로운 구조를 제안하였다. 제안한 소자를 가지고 전자회로의 구성할 때 인접 디바이스들과 연계되어 발생되는 래치 업(latch-up)을 근본적으로 제거하고, 개별소자의 완전한 절연을 실현하였으며 누설전류 또한 제거된다. 이는 SOI기판 위에 벌크실리콘 공정을 이용하여 구현된다. 즉, 소자 양옆의 트랜치 웰(Trench-well)과 SOI 기판의 절연층으로 소자의 독립성을 지켜준다. 또한 게이트 절연층을 트랜치 구조로 기존 MOS구조의 채널 부분에 위치시키고 드레인과 소스를 위치시켜 자연적으로 자기정렬이 되어진다. 이와 같은 과정으로 게이트-소스, 게이트-드레인 기생 커패시터의 효과를 현저히 줄일 수 있다.

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A Study of SiC Trench Schottky Diode with Tilt-Implantation for Edge Termination (Edge Termination을 위해 Tilt-Implantation을 이용한 SiC Trench Schottky Diode에 대한 연구)

  • Song, Gil-Yong;Kim, Kwang-Soo
    • Journal of IKEEE
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    • v.18 no.2
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    • pp.214-219
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    • 2014
  • In this paper, the usage of tilt-implanted trench Schottky diode(TITSD) based on silicon carbide is proposed. A tilt-implanted trench termination technique modified for SiC is proposed as a method to keep all the potentials confined in the trench insulator when reverse blocking mode is operated. With the side wall doping concentration of $1{\times}10^{19}cm^{-3}$ nitrogen, the termination area of the TITSD is reduced without any sacrifice in breakdown voltage while potential is confined within insulator. When the trench depth is set to 11um and the width is optimized, a breakdown voltage of 2750V is obtained and termination area is 38.7% smaller than that of other devices which use guard rings for the same breakdown voltage. A Sentaurus device simulator is used to analyze the characteristics of the TITSD. The performance of the TITSD is compared to the conventional trench Schottky diode.

원주방향응력이 매설배관의 축직각 외부균열에 미치는 영향

  • 황인현;이억섭
    • Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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    • pp.243-250
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    • 2000
  • 배관을 지하에 매설할 경우 매설배관이 묻히는 깊은 도랑을 트랜치라 하는데 이 트랜치의 폭과 깊이의 칫수를 적절하게 결정하는 것은 매설배관의 건전성을 유지하는데 중요한 인자중의 하나이다. Watkins는 매설배관의 트랜치 폭에 대한 연구를 수행하여 최근 그 결과를 발표한바 있다. (1) Fig. 1에 트랜치와 배관의 단면도를 그리고 일반적으로 사용하는 기술적인 용어를 나타내었다.(중략)

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Profile control of high aspect ratio silicon trench etch using SF6/O2/BHr plasma chemistry (고종횡비 실리콘 트랜치 건식식각 공정에 관한 연구)

  • 함동은;신수범;안진호
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • pp.69-69
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    • 2003
  • 최근 trench capacitor, isolation trench, micro-electromechanical system(MEMS), micro-opto-electromechanical system(MOEMS)등의 다양한 기술에 적용될 고종횡비(HAR) 실리콘 식각기술연구가 진행되어 지고 있다. 이는 기존의 습식식각시 발생하는 결정방향에 따른 식각률의 차이에 관한 문제와 standard reactive ion etching(RIE) 에서의 낮은 종횡비와 식각률에 기인한 문제점들을 개선하기 위해 고밀도 플라즈마를 이용한 건식식각 장비를 사용하여 고종횡비(depth/width), 높은 식각률을 가지는 이방성 트랜치 구조를 얻는 것이다. 초기에는 주로 HBr chemistry를 이용한 연구가 진행되었는데 이는 식각률이 낮고 많은양의 식각부산물이 챔버와 시편에 재증착되는 문제가 발생하였다. 또한 SF6 chemistry의 사용을 통해 식각률의 향상은 가져왔지만 화학적 식각에 기인한 local bowing과 같은 이방성 식각의 문제점들로 인해 최근까지 CHF3, C2F6, C4F8, CF4등의 첨가가스를 이용하여 측벽에 Polymer layer의 식각보호막을 형성시켜 이방성 구조를 얻는 multi_step 공정이 일반화 되었다. 이에 본 연구에서는 SF6 chemistry와 소량의 02/HBr의 첨가가스를 이용한 single_step 공정을 통해 공정의 간소화 및 식각 프로파일을 개선하여 최적의 HAR 실리콘 식각공정 조건을 확보하고자 하였다.

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Cu Filling Characteristics of Trench Vias with Variations of Electrodeposition Parameters (Electrodeposition 변수에 따른 Trench Via의 Cu Filling 특성)

  • Lee, Kwang-Yong;Oh, Teck-Su;Oh, Tae-Sung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.13 no.4
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    • pp.57-63
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    • 2006
  • For chip-stack package applications, Cu filling characteristics into trench vias of $75{\sim}10\;{\mu}m$ width and 3 mm length were investigated with variations of electroplating current density and current mode. At $1.25mA/cm^{2}$ of DC mode, Cu filling ratio higher than 95% was obtained for trench vias of $75{\sim}35{\mu}m$ width. When electroplated at DC $2.5mA/cm^{2}$, Cu filling ratios became inferior to those processed at DC $1.25mA/cm^{2}$. Pulse current mode exhibited Cu filling characteristics superior to DC current mode.

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A New Method for Deep Trench Isolation Using Selective Polycrystalline Silicon Growth (다결정 실리콘의 선택적 성장을 이용한 깊은 트랜치 격리기술)

  • 박찬우;김상훈;현영철;이승윤;심규환;강진영
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.11 no.4
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    • pp.235-239
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    • 2002
  • A new method for deep trench isolation using selective growth of polycrystalline silicon is proposed. In this method, trench filling is performed by forming polysilicon-inner sidewalls within the trench, and then selectively growing them by reduced chemical vapor deposition using $SiH_2C1_2$gas at $1100^{\circ}C$. The surface profiles of filled trenches are determined mainly by the initial depth of inner sidewalls and the total thickness of selective growth. No chemical mechanical polishing(CMP) process is needed in this new method, which makes the process flow simpler and more reliable in comparison with the conventional method using CMP process.