• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.259-266
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• 2004

In this paper. a new two types of EST(Emitter Switched Thyristor) structures are proposed to improve the electrical characteristics including the current saturation capability. Besides, the two dimensional numerical simulations were carried out using MEDICI to verify the validity of the device and examine the electrical characteristics. First, a vortical trench electrode EST device is proposed to improve snap-back effect and its blocking voltage. Second, a dual trench gate EST device is proposed to obtain high voltage current saturation characteristics and high blocking voltage and to eliminate snap-back effect. The two proposed devices have superior electrical characteristics when compared to conventional devices. In the vertical trench electrode EST, the snap-back effect is considerably improved by using the vertical trench gate and cathode electrode and the blocking voltage is one times better than that of the conventional EST. And in the dual trench gate EST, the snap-back effect is completely removed by using the series turn-on and turn-off MOSFET and the blocking voltage is one times better than that of the conventional EST. Especially current saturation capability is three times better than that of the other EST.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.546-550
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• 2001

A new Lateral Trench Insulated Gate Bipolar Transistor(LTIGBT) with p$^{+}$ diverter was proposed to improve the characteristics of the conventional LTIGBT. The forward blocking voltage of the proposed LTIGBT with p$^{+}$ diverter was about 140V. That of the conventional LTIGBT of the same size was 105V. Because the p$^{+}$ diverter region of the proposed device was enclosed trench oxide layer, he electric field moved toward trench-oxide layer, and punch through breakdown of LTIGBT with p$^{+}$ diverter was occurred, lately. Therefore, the p$^{+}$ diverter of the proposed LTIGBT didn't relate to breakdown voltage in a different way the conventional LTIGBT. The Latch-up current densities of the conventional LTIGBT and proposed LTIGBT were 540A/$\textrm{cm}^2$, and 1453A/$\textrm{cm}^2$, respectively. The enhanced latch-up capability of the proposed LTIGBT was obtained through holes in the current directly reaching the cathode via the p$^{+}$ divert region and p$^{+}$ cathode layer beneath n$^{+}$ cathode layer./ cathode layer.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권10호
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• pp.889-895
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• 2008

This paper presents a comprehensive mathematical analysis and simulation of trench IGBT with the help of PIN-PNP combinational model. Since trench IGBT is characteristically influenced by PIN diode, it may be almost impossible to analyze the trench IGBT using PNP-MOS modeling methods, even PIN-MOS techniques which neglect the hole current components coming into p-base region. A new PIN-PNP complementary cooperational model is developed in order to make up the drawbacks of existing models. It would allow us to make qualitative analysis as well as simulation about switching and on-state characteristics of 1,700 V trench IGBT. Moreover, if we improve the PIN diode effects through the optimization of trench structure, trench IGBT is expected to be one of the most promising devices in the not only high-voltage but also high speed switching device field.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.235-238
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• 2007

2차원 소자 시뮬레이터인 TMA 메디치를 이용하여 필드링와 깊은 접합 필드링에 대해 연구하였다. 이온 주입될 위치를 미리 트랜치 식각을 시킴으로써 항복전압 특성을 향상시킬 수 있었다. 시뮬레이션 결과 기존 필드링의 항복전압대비 깊은 접합 필드링 항복전압은 약 30%의 증가를 보였다. 깊은 접합 필드링은 같은 면적을 차지하는 조건하에서 설계 및 제작이 비교적 용이하고, 표면 전하의 영향도 적은 것으로 나타났다. 본 논문에서는 여러 분석을 통해 깊은 접합 필드링의 향상된 특성을 논하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제8권4호
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• pp.17-23
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• 2001

3차원 홀 센서는 두 개의 수평 자계($\chi$, y성분) 검출부와 한 개의 수직 자계(z 성분) 검출부를 갖는다. 종래의 3차원 홀 센서는 일반적으로 $B_{z}$에 대한 감도가 $B_\chi, B_y$에 대한 감도의 약 1/10정도에 그친다. 본 연구에서는 새로운 구조를 갖는 3차원 홀 센서를 제안하였다. 이방성 식각을 이용하여 트랜치를 형성함으로써 감도를 약 6배 증가시켰다. 또한 자속을 집속시키기 위하여 웨이퍼 후면에 강자성체 박막을 증가시킴으로써 $B_{z}$에 대한 감도를 $B_\chi, B_y$에 대한 감도의 약 80% 정도로 증가시켰다. 전류 3 mA를 인가했을 때, Ni/Fe 박막을 증착하여 제작된 센서의 감도는 $B_\chi, B_y$, B$_{z}$ 에 대하여 각각 120.1 mV/T, 111.7 mV/T, 그리고 95.3 mV/T로 측정되었다. 센서의 선형성을 오차가 $\pm$3%로 우수하였다.

• 공업화학
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• 제10권7호
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• pp.985-989
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• 1999

유기 실란화합물을 사용하여 실리카($SiO_2$)박막을 감압 유기금속 화학증착법(LPMOCVD)으로 제조하였다. 원료로는 triethyl orthosilicate(TRIES)를 사용하였다. 실험조건은 반응기의 출구압력을 1~100 torr, 반응온도는 $600{\sim}900^{\circ}C$로 하였다. 높은 반응온도와 원료농도에서는 $SiO_2$가 빠른 성장속도를 나타내었다. 마이크로 스케일 트랜치에서 층덮임이 좋게 나타났는데, 이것은 응축된 다량체들이 트랜치쪽으로 유동하는 현상 때문으로 생각되었다. 원료가스가 중합반응을 하여 다량체(2량체, 3량체, 4량체 등)들이 생성되고, 그 다량체들이 확산하여 고체표면에서 응축되는 반응경로를 따를 것으로 추정된다. 반응관의 출구에서 기상중의 화학종들을 사극질량분석기로 분석한 결과, 반응온도 $650{\sim}700^{\circ}C$에서는 단량체, 원료가스의 2량체, 고분자들의 피크가 관측되었다. 고온($900^{\circ}C$)에서는 거의 모든 원료가스와 중간체(중합된 다량체) 분자들이 산화되었거나 차가운 관벽에 응축되어 고분자들의 피크가 없어졌다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제45권4호
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• pp.29-34
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• 2008

일반적으로 종래의 3 차원 홀 센서는 일반적으로 $B_z$에 대한 감도가 $B_x,\;B_y$에 대한 감도의 약 1/10정도에 그친다. 따라서 본 연구에서는 새로운 구조를 갖는 3 차원 홀 센서를 제안하였다. 이방성 식각을 이용하여 트랜치를 형성함으로써 감도를 약 6배 증가시켰다. 또한 자속을 집속시키기 위하여 웨이퍼 후면에 강자성체 박막을 증착시킴으로써 $B_z$에 대한 감도를 $B_x,\;B_y$에 대한 감도의 약 80%정도로 증가시켰다. 제작된 센서의 감도는 각각 361V/A T, 335V/A T, 그리고 286V/A T로 측정되었다. 센서는 $360^{\circ}$ 회전체에 대해 사인파의 출력을 가졌다. 패키징 된 센서의 감응부의 면적은 $1.2{\times}1.2mm^2$이었다. 센서의 선형성은 오차가 ${\pm}3%$로 우수하였다. 제작된 센서의 분해능은 약 $1{\times}10^{-5}T$였다.

• 한국제4기학회지
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• 제20권1호
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• pp.39-50
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• 2006

거창의 정장리 유적은 거창분지에 포함되며 황강천상류 하안단구면 위에 분포한다. 정장리의 유적발굴 지내에는 하성퇴적층이 제2지구 2트랜치 북면과 남면에 잘 발달하여 있다. 본 연구의 목적은 정장리 일대의 하성퇴적층의 산상, 입도분석 및 화분분석을 통하여 퇴적층 환경과정을 해석하는데 있다. 연구결과 하성퇴적층의 상부에는 약 $25,000{\sim}30,000$년전의 토양쐐기 구조가 발달한 고토양층이 분포하며, 하부로 가면서 적갈색 니사질층, 유기질 니층 및 사력층이 분포하고 있다. 대표단면인 남벽토층의 유기질 니층에 대한 화분연구 결과, 단면 하부에 초본식물 화분대, 상부에 오리나무-참나무-소나무 화분대가 각각 발견되었다. 형성시기로 볼 때 하부 화분대는 약 80,000 - 70,000년전의 아빙기, 상부 화분대는 약 60,000-50,000년전 사이에 형성된 것으로 해석된다. 정장리 유적에 나타나는 화분대는 활엽수/침엽수 혼유림이 우세하며, 당시에는 온냉(cool temperate) 습윤기후가 우세하였던 것으로 추정된다.

• 한국축산시설환경학회지
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• 제18권3호
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• pp.247-256
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• 2012

본 연구는 완숙기에 있는 수수${\times}$수수 교잡종을 이용하여 사일리지 제조방법에 따른 사일리지 부위별 사료가치 및 품질에 미치는 영향을 구명하기 위하여 천안에 위치한 국립축산과학원 축산자원개발부에서 수행되었다. 수수${\times}$수수 교잡종 "SS405"는 5월 초순에 파종한 다음 완숙기에 수확하여 사일리지로 조제하였다. 제조방법에 따른 사일리지의 조단백질, NDF, ADF 및 TDN 함량 및 in vitro 건물소화율은 비슷한 수준을 보였다. 젖산균의 첨가에 상관없이 사일리지의 사료가치는 비슷한 수준을 보였다. 사일리지 부위별 조단백질 함량은 외부나 중간부위 보다 내부에서 약간의 감소를 보였으나 (P<0.05), NDF, ADF 및 TDN 함량 및 in vitro 건물소화율에서는 차이를 보이지 않았다. 원형 곤포사일리지의 젖산 함량은 소포장, 톤백 및 트랜치사일리지보다 유의적으로 감소하였으나 (P<0.05) 초산 함량 및 낙산함량은 사일리지 조제 방법에 따른 차이는 나타나지 않았다. 사일리지의 젖산, 초산 및 낙산 함량은 젖산균의 첨가에 상관없이 비슷한 함량을 보였다. 사일리지 부위별 젖산함량은 외부와 중간부 위보다 내부에서 약간 감소되는 현상을 보였으나 (p<0.05), 초산 및 낙산 함량은 큰 차이를 보이지 않았다. 따라서 본 연구의 결과를 요약하면 수수${\times}$수수 교잡종 사일리지의 부위별 사료가치와 품질은 부위에 따라 영향을 받지 않았다.

• 한국초지조사료학회지
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• 제31권2호
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• pp.143-150
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• 2011

본 연구는 수확시기가 수수${\times}$수수 교잡종 원형 곤포사일리지의 품질에 미치는 영향을 구명하기 위하여 천안에 위치한 국립축산과학원 자원개발부에서 수행되었다. 수수${\times}$수수 교잡종 SS405를 이용하여 숙기별 2회(출수기 및 완숙기)에 걸쳐 수확을 하여 사일리지로 조제하였다. 숙기가 진행됨에 따라 수수${\times}$수수 교잡종원형 곤포사일리지의 조단백질은 증가하는 경향을 보였으나 NDF 및 ADF 함량 그리고 TDN 함량은 비슷한 수준을 유지하였다. 그리고 숙기별 in vitro 건물소화율도 비슷하였다. 숙기별 사일리지의 pH는 3.8~4.4을 유지하였으며, 출수기의 pH는 완숙기의 보다 높았다. 수수 ${\times}$ 수수 교잡종 원형 곤포사일리지의 수확시기가 늦어짐에 따라 젖산 함량은 증가하였으나 초산 함량은 감소하였다(P<0.05). 그리고 출수기의 원형 곤포사일리지의 초산 함량은 트랜치사일리지보다 증가되었다(P<0.05). 완숙기에서는 제조방법에 따라 젖산과 초산 함량은 큰 차이를 보이지 않았다. 이상의 결과를 종합하여 볼 때 양질의 수수 ${\times}$ 수수 교잡종 원형곤포 사일리지 조제를 위해서는 출수기와 완숙기 사이에 수확하여 사일리지를 만드는 것이 사일리지 발효를 향상시킬 수 있다.