• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제36권4호
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• pp.12-24
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• 2023

• 자원리싸이클링
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• 제8권5호
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• pp.3-10
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• 1999

• 대한자원환경지질학회:학술대회논문집
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• 대한자원환경지질학회 2005년도 춘계 학술발표회 논문집
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• pp.86-89
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• 2005

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2011년도 추계학술논문요약집
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• pp.349-350
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• 2011

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권3호
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• pp.352-356
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• 1995

Native oxide layer on MCT (HgCdTe) has been grown uniformly in H$\_$2/O$\_$2/ electrolyte through anodic oxidation method. It has been determined that anodic oxidation of HgCdTe in H$\_$2/O$\_$2/ electrolyte proceeds immediately with the input of constant currents without any induction time required for anodic oxideation in KOH electrolyte. Oxide layer with the resistivity of 2*10$\^$10/.ohm.cm and the refractive index of 2.1 suggested the possibility of well matching combination layer with ZnS for MCT MIS device. XPS results indicated that the major components of oxide layer grown in H202 solution is TeO$\_$2/ with the possibility of small amounts of CdTeO$\_$3/.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2008년도 추계학술대회 논문집
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• pp.104-104
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• 2008

• 대한화학회지
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• 제38권7호
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• pp.496-501
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• 1994

Tellurium(Ⅳ)에 대한 네모파 전압전류법적 연구를 HMDE를 사용하여 염산 용액에서 수행하였다. 염산 용액중에서 Tellurium(Ⅳ)의 환원반응은 산에 의한 촉매반응의 특징을 나타내는 비가역적인 과정으로 진행됨을 알 수 있었다. 본 연구에서는 또한 네모파 전압전류법에 의한 Tellurium(Ⅳ)의 분석 조건 및 방해이온들에 대하여 검토하였다. 이 방법에 의한 Tellurium(Ⅳ)의 검출한계는 $4.2\;ppb (3.3{\tiems}10^{-8}M)$이었으며, 전극표면에서의 4.2 Tellurium(Ⅳ)의 양은 ${\Gamma}=(7.2{\pm}1.4){\times}10^{-11}\;mol\;cm^{-2}$이었다.

• 자원환경지질
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• 제47권6호
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• pp.645-655
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• 2014

금 정광으로부터 순수한 금속 형태의 Te을 얻기 위하여 소성처리, 차아염소산 용출, Fe 제거 및 전기분해실험을 수행하였다. 정광 및 소성시료에 포함되어 있는 Au, Ag 및 Te는 왕수보다 차아염소산에서 더 많이 용해된 반면에 Pb, Zn, Fe 및 Cu는 차아염소산보다는 왕수에서 더 많이 용출되었다. 전기분해하기 전, 차아염소산 용출-용액에 NaOH를 첨가한 결과 Fe가 정광시료에서 96% 제거되었지만 소성시료에서는 98% 제거되었다. 전기분해실험을 240분 동안 수행한 결과, 금속 구리가 정광시료에서 98% 회수된 반면에 소성시료에서 99%나 회수되었다. 이는 소성처리에 의하여 S가 제거되었기 때문이다. 양극 슬라임도 정광시료보다 소성시료의 전해질 용액에서 더 많이 생성되었다. 양극 슬라임을 자력선별한 결과 순수한 자연금속 형태의 텔루륨이 정광시료보다 소성시료에서 더 많이 회수되었다.

• 대한기계학회논문집
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• 제12권3호
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• pp.622-629
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• 1988

본 연구에서는 박판형 열유속 센서의 감도를 높임과 동시에 두께와 면적을 줄 이기 위한 방안으로서 시벡 계수(Seebeck doefficient)가 일반 열전대재료보다 월등히 큰 반도체 열전재료를 이용하여 박판형 센서를 제작하고 그 성능을 조사하였다. 센 서의 제작에 사용한 열전재료는 Melcor 사에서 열전 열펌프 생산에 사용하기 위하여 개발한 소자로서 통상 텔루루화 비스무스(bismuth telluride)라 불리우며 그 조성은 비스무스, 텔루륨, 셀레늄, 안티몬의 4가지 합금에 미량의 불순물(dopent)이 첨가된 것으로 불순물의 종류에 따라 전기적인 P형 또는 N형의 반도체가 되는 것으로 알려져 있으며 Table 1에 물성치가 나타나 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권5호
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• pp.294-300
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• 2017

$TeO_x$ thin films were deposited at various $O_2$/Ar gas-flow ratios by a reactive RFmagneton sputtering technique from $TeO_2$ and Te targets. X-ray diffraction (XRD) results revealed that the $TeO_x$ thin films were amorphous. The structure and chemical composition of the $TeO_x$ thin films were investigated by fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The optical characteristics of the $TeO_x$ thin films were investigated by an Ellipsometer and a UV-VIS-NIR spectrophotometer. According to the $O_2$/Ar gas-flow ratios, the atomic composition ratio of $TeO_x$ thin films was divided into two regions(x=1-2, 2-3). Different optical characteristics were shown in each region. With an increasing $O_2$/Ar gas-flow ratio, the refractive index of the $TeO_x$ thin films decreased and the optical bandgap of the films increased.