• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 추계학술대회
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• pp.243-244
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• 2017

이 논문은 터널링 전계효과 트랜지스터의 밴드 간 터널링 전류 계산에 대하여 1차원과 2차원 방향의 터널링이 어떤 차이를 나타내는지 알아보았다. 2차원 방향의 터널링은 1차원 방향의 터널링에서 계산 되지 않는 대각선 방향의 터널링이 나타나기 때문에 더 정확한 터널링 전류를 계산할 수 있다. 시뮬레이션 결과는 문턱전압 이상의 전압에서는 2차원 방향으로 일어나는 터널링이 큰 영향을 미치지 않지만, 문턱전압 이하에서는 문턱전압 이하 기울기에 많은 영향을 미친다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2001년도 가을 학술발표논문집 Vol.28 No.2 (3)
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• pp.811-813
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• 2001

본 논문에서는 기존의 IP 망에서 호스트의 이동성을 지원하기 위한 Mobile IP 개념을 ATM 망에 적용할 경우, Mobile IP망에서 Home Agent와 Foreign Agent 사이에 존재하는 Mobile-IP 터널링 구간을 기존의 LAN 기반의 IP 터널링 구간과 ATM 망에서의 단거리 터널링(short-cut tunneling) 구간으로 구분하여 관리하는 방안을 제안하였다. Short-cut 터널링을 설정하기 위하여 NHRP를 이용하였으며 Shot-cut 터널링을 이용함으로써 HA 와 FA 사이에 데이터 전달 지연을 기존의 IP 터널링에서의 데이터 전달 지연보다 줄일 수 있음을 시뮬레이션을 통해 확인하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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• pp.167-169
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• 2016

이 논문은 라인 터널링과 포인트 터널링을 모두 고려한 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 여러가지 구조 및 물질 파라미터에 따른 시뮬레이션 결과를 소개한다. 포켓의 도핑 농도와 두께가 증가할수록 구동전류 $I_{on}$이 증가하고 포켓의 두께와 게이트 절연체의 유전율이 증가할수록 SS(subthreshold swing)가 좋아짐을 보인다. hump 효과는 SS를 나쁘게 하기 때문에 최소화할 수 있도록 최적의 구조를 만들어야 한다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2004년도 춘계학술발표대회
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• pp.1393-1396
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• 2004

모바일 환경에서 멀티캐스트를 구현하는 방법으로 대표적인 방법으로는 원격가입(MIP-RS)와 양방향 터널링(MIP-BT)이 있으며 이의 단점을 보완한 MoM이 제안되었다. 하지만 터널링 경로가 최적으로부터 멀어지는 현상을 처리하지 못함에 따라 이를 해결하기 위해 터널링 범위에 제한을 가하는 RB MoM이 제안되었다. RB MoM의 경우 터널링 경로의 조절은 가능할 수 있었으나 이동호스트의 이동에 따른 HA 등록 등과 같은 등록메시지의 양은 줄일수는 없었다. 따라서 본 논문에서는 RB MoM의 장점인 터널링 경로 조절기능을 살리면서 이동호스트의 이동에 따른 등록메시지를 줄이고 GFA의 터널링 부하를 분산시키기 위해 멀티캐스트 터널링 범위에 제한을 둔 지역등록 기법을 제안하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.1617-1622
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• 2015

본 연구에서는 10 nm이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑농도 변화에 대한 터널링 전류(tunneling current)의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm이하로 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 문턱전압이하 영역에서 차지하는 비율이 증가하게 된다. 비록 비대칭 이중게이트 MOSFET가 단채널효과를 감소시키기 위하여 개발되었을지라도 10 nm 이하에서 터널링 전류에 의한 차단전류의 증가는 필연적이다. 본 연구에서는 채널도핑농도의 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 열방사 전류와 터널링 전류로 구성된 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel- Kramers-Brillouin) 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm이하의 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널도핑농도에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 및 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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• pp.611-613
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• 2016

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스영역으로 오버랩된(overlapped) 게이트를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 오버랩된 게이트 길이에 따른 터널링 전류 특성을 조사하였다. 터널링은 크게 라인터널링과 포인트 터널링으로 구분되는데, 라인터널링이 포인트터널링보다 subthreshold swing(SS), on-current에서 더 높은 성능을 보인다. 본 논문은 Silicon, Germanium, Si-Ge Hetero TFET구조에서 게이트 길이를 소스영역으로 오버랩될 경우에 포인트 터널링과 라인터널링의 효과를 조사해서 SS와 on-current에 최적합한 구조의 가이드라인을 제시한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.1311-1316
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• 2016

본 연구에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이에 따른 문턱전압이동에 터널링전류가 미치는 영향을 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm 이하로 감소하면 터널링 전류는 급격히 증가하여 문턱전압이동 등 2차효과가 발생한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우에도 터널링 전류에 의한 문턱전압이동은 무시할 수 없게 된다. 차단전류는 열방사전류와 터널링 전류로 구성되어 있으며 채널길이가 작아질수록 터널링전류의 비율은 증가한다. 본 연구에서는 터널링 전류를 분석하기 위하여 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하였으며 채널 내 전위분포를 해석학적으로 유도하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널길이 가 작아질수록 터널링 전류의 영향에 의한 문턱전압이동이 크게 나타나고 있다는 것을 알 수 있었다. 특히 하단게이트 전압 등에 따라 터널링 전류에 의한 문턱전압 값은 변할지라도 문턱전압이동은 거의 일정하였다.

• 한국광학회지
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• 제7권2호
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• pp.112-119
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• 1996

TM 편광된 광자가 frustrated total internal reflection(FTIR) 구조에서 2차원적 터널링을 할 때 터널링에 소요되는 시간과 터널링되어 나오는 위치를 계산하였다. 이는 TM 편광된 광자의 FTIR 터널링 문제를 효과질량이 다른 이종 포텐셜 장벽을 터널링하는 전자의 문제로 변환시킴으로써 가능하였다. 계산된 결과를 TE 편광된 광자에 대한 경우와 비교하였다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 1999년도 가을 학술발표논문집 Vol.26 No.2 (3)
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• pp.664-666
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• 1999

Mobile IP 기술에 의해 시간 및 장소의 제한을 받지 않고 사용자가 원격지 또는 이동 중에도 정보를 처리할 수 있는 환경이 제공된다. 패킷 필터링 기술 같은 경우에는 패킷의 출발지, 목적지 주소뿐만 아니라 패킷의 이동 방향도 고려하므로 Mobile IP의 동작이 방해를 받게 될 수가 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 나온 것이 역 터널링 기법인데 이 경우는 효율성이 떨어지므로 상황에 따라 역 터널링을 수행하는 선택적 역터널링 기법에 나오게 되었다. 효율성을 증진시킨 선택적 역 터널링 기법은 외부 네트워크의 보안 정책에 위배되는 패킷 전송이 이루어질 수도 있으므로 새로운 보안 정책이 절실히 요구된다. 본 논문에서는 선택적 역 터널링시 외부 에이전트가 패킷 필터링 기능을 갖는 기법에 대해 제안한다. 이 기법을 적용함으로써 이동노드가 선택적 역 터널링시 외부 네트워크의 보안 정책에 부합되게 행동할 수 있도록 하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.876-884
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• 2017

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다.