• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
• /
• v.19 no.2
• /
• pp.463-474
• /
• 1995

Modified Vainshtok weight function method is developed. The thermal shock stress intensity factors for elliptical surface cracks existed in the thin and thick walled cylinders are determined. The present results are compared with previous solutions and shown to be good agreement with them.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.08a
• /
• pp.136-136
• /
• 2011

AlSb는 광전자 소자응용에 매우 유용한 재료이며 이를 이용한 반도체소자 설계 및 밴드갭 엔지니어링을 위해서는 화합물 반도체의 전자밴드구조를 포함한 광학적 특성이 반드시 요구된다. 본 연구는 이러한 요구의 해결방안으로서 AlSb 화합물의 유전함수 온도의존성을 0.7~5.0 eV의 에너지 영역에서 타원편광분석법을 이용하여 분석하였다. AlSb는 산소와 급격히 반응하기 때문에, 대기 중에서 물질 고유의 광특성이 유지되기 어려울 뿐만 아니라, 박막 위에 생성되는 산화막 때문에 순수한 AlSb의 유전함수 측정이 불가능하다. 따라서 박막의 산화 효과를 최소화하기 위하여 초고진공 상태의 molecular beam epitaxy 챔버 안에서 800 K의 온도로 성장한 1.5 ${\mu}m$ 두께의 AlSb 박막을 상온 300 K 까지 온도를 단계적으로 변화시켜가며 타원편광분석기를 이용하여 실시간으로 측정하였다. 각 온도에서 측정된 AlSb의 유전함수를 2차 미분하여 전이점(critical point)을 분석한 결과 $E_0$, $E_0+{\Delta}_0$, $E_1$, $E_1+{\Delta}_1$, $E_0'$, $E_0'+{\Delta}_0'$, $E_2$, $E_2+{\Delta}_2$에 해당하는 각 전이점들의 온도 의존성을 확인할 수 있었다. 실험에서 측정된 특정 온도를 포함하여 임의의 온도에서의 AlSb의 유전함수를 유도하기 위하여 변수화모델을 사용하였고 이를 통하여 각 변수들의 온도 의존 궤적을 분석하였다. 2차 미분법을 이용한 전이점들의 온도의존성 분석결과를 기준으로 변수화 모델링을 진행하였으며 그 결과 각 온도에서 실제 유전함수와 근소한 차이를 갖는 AlSb의 유전함수 모델을 만들 수 있었다. 따라서 본 연구결과는 반도체 물성에 대한 학술적 측면뿐 아니라 고온에서의 소자공정 실시간 모니터링 및 반도체 소자 설계 등의 산업적 측면에서 매우 유용하게 사용될 것으로 기대된다.

• Journal of the Korea Computer Graphics Society
• /
• v.8 no.4
• /
• pp.1-7
• /
• 2002

This paper presents a new approach for modeling human limbs shape from 3D scan data. Based on the cylindrical structure of limbs, the overall shape is approximated with a set of ellipsoids through ellipsoid fitting and interpolation of fit-ellipsoids. Then, the smooth domain surface representing the coarse shape is generated as the envelope surface of ellipsoidal sweep, and the fine details are reconstructed by constructing parametric displacement function on the domain surface. For fast calculation, the envelope surface is approximated with ellipse sweep surface, and points on the reconstructed surface are mapped onto the corresponding ellipsoid. We demonstrate the effectiveness of our approach for skeleton-driven body deformation.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.25 no.1
• /
• pp.8-13
• /
• 2014

By using finite ray-tracing and curve fitting, a numerical method to determine the non-paraxial pupil function of a high-NA objective is presented. MTF degradations caused by the non-paraxial diffraction effect are analyzed for on-axial imaging of a far-infrared objective and aberration-free ellipsoidal mirror system. The ellipsoidal mirror system has the same paraxial specifications as the far-infrared objective.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.16 no.9
• /
• pp.6391-6396
• /
• 2015

In order to investigate characteristics of the von Mises yield criterion under 2 dimensional stress condition, two cases of plane strain were studied. One of which was for zero elastic strain and the other was for zero plastic strain increment. Yield functions for the plane strain condition for zero elastic strain and for the plane stress condition were represented as ellipse and the two yield functions were compared by ratios of major axis, minor axis and eccentricity and it was seen that the ratio of minor axis was the same between the two cases and the ratios of major axis and eccentricity were functions of Poisson's ratio. Region of elastic behavior obtained from considering plane strain condition of zero elastic strain increases as the Poisson's ratio increases. Yield function for plane strain obtained from considering zero plastic increment and associate flow rule was displayed as straight line and the region of elastic behavior was greater than that for the case of plane stress.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.423-423
• /
• 2013

3~5 족 반도체 물질인 phosphorus 화합물 중 대표적인 InAlP 삼종화합물은 작은 굴절률, 큰 밴드갭, GaAs와 lattice 일치 때문에 큰 주목을 받고 있고, p-type high electron mobility transistors(p-HEMT), laser diodes 등의 고속 전자소자 및 광전 소자에 응용이 가능한 매우 중요한 물질이다. 최적의 소자 응용기술을 위해서는, 정확한 광물성 연구가 수행되어야 하지만 InxAl1-xP 화합물에 대한 유전율 함수 및 전자전이점 등의 연구는 미흡한 실정이다. 이에 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 영역에서 각기 다른 In 조성비를 갖는 InxAl1-xP 화합물의 가유전율 함수 ${\varepsilon}={\varepsilon}_1+i{\varepsilon}_2$와 전자전이점 데이터를 보고한다. GaAs 기판 위에 molecular beam epitaxy (MBE)를 이용하여 InxAl1-xP (x=0.000, 0.186, 0.310, 0.475, 0.715, 0.831, 1.000) 박막을 성장하였고 타원편광분석기를 이용하여 유전율 함수를 측정하였다. 또한 실시간 화학적 에칭을 통하여 시료 표면에 자연산화막을 제거함으로써 순수한 InAlP의 유전율 함수를 측정할 수 있었고, 측정된 유전율 함수를 이차미분하여 In 조성비에 따른 전자전이점을 얻을 수 있었다. 얻어진 전자전이점 값을 이용하여 linear augmented Slater-type orbital method (LASTO) 를 통해 이론적 전자 밴드 구조 계산을 하였고, 이를 바탕으로 $E_0$, $E_1$, $E_2$ 전이점 지역의 여러 전자전이점($E_1$, $E_1+{\Delta}_1$, $E_0'$, $E_0'+{\Delta}_0'$, $E_2$, $E_2'$)의 특성을 정의할 수 있었고, $E_0'$과 $E_2$ 전이점의 에너지 값이 In 조성비가 증가함에 따라 서로 교차함을 발견할 수 있었다. 타원 편광 분석법을 이용한 유전율 함수 및 전자전이점 연구는 InAlP의 광학적 데이터베이스를 확보하는 성과와 더불어 새로운 디바이스 기술 및 광통신 산업에도 유용한 정보가 될 것이다.

• The Magazine of the Society of Air-Conditioning and Refrigerating Engineers of Korea
• /
• v.6 no.2
• /
• pp.87-90
• /
• 1977

핀(fin) 재료의 열전도계수는 온도에 따라 직선적으로 변한다고 가정하여 일차적, 정상상태의 해석을 하였다. 정밀해는 타원적분의 함수로 표시된다. 핀(fin) 효율은 핀끝의 온도의 함수로 주어졌다. 계산을 용이하게 하기 위하여 perturbation해도 구하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.15 no.4
• /
• pp.157-161
• /
• 2005

Spectroscopic ellipsomerty measurements of the complex dielectric function of the CdTe thin films grown on GaAs(100) substrates by hot wall epitaxy have been performed in 1.5${\~}$5.5 eV photon energy range at room temperature. The spectroscopic ellipsometer spectra revealed distinct structures at energies of the $E_l,\;E_1+{\Delta}_1$, and $E_2$ critical points. These energies were decreased with increasing thickness of CdTe thin films.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2021.05a
• /
• pp.63-65
• /
• 2021

This paper describes an integrated H/W-S/W implementation of elliptic curve digital signature algorithm (EC-DSA) using a security system-on-chip (SoC). The security SoC uses the Cortex-A53 APU as CPU, and the hardware IPs of high-performance elliptic curve cryptography (HP-ECC) core and SHA3 (secure hash algorithm 3) hash function core are interfaced via AXI4-Lite bus protocol. The signature generation and verification processes of EC-DSA were verified by the implementation of the security SoC on a Zynq UltraScale+ MPSoC device.

• Journal of Korea Game Society
• /
• v.19 no.6
• /
• pp.99-106
• /
• 2019

This paper addresses a method to compute the closest approach distance between two ellipsoids in their inter-center direction. This is the key technique for collision detection and response between ellipsoids. We formulate a set of conditions with the inter-center distance, the contact point and the contact normal vector of the two externally-contacting ellipsoids. The equations are solved robustly and efficiently using a hybrid of Newton's method and the bisection method with root bracketing. We demonstrate the robustness and efficiency of the proposed method in various experiments.