• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.26 no.7
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• pp.1032-1039
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• 2022

In this paper, we designed and implemented a cavity bandpass filter combined with a cross-coupling equalizer structure to enhance Group delay for 5G mobile network repeater, which can replace the SAW (Surface Acoustic Wave) type bandwidth filter used in the existing mobile communication system. Using the 3D EM simulation tool (HFSS), the resonance frequency, the coupling coefficient between resonators, and external quality coefficient between resonators were calculated. Based on this, a 12th bandpass filter was constructed to have attenuation characteristics of more than 20dB at the edge end of both sides of the band with a metal cavity structure with a frequency band of 3500MHz to 3600MHz and bandwidth of 97.85MHz. The designed bandpass filter satisfies the group delay time requirement for the 5G mobile communication standard and the in-band and out-band frequency responses.

• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.22 no.3
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• pp.21-30
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• 2018

Building structures of apartment in korea conventionally adopt shear walls using coupling beams as seismic force-resisting systems. Energy dissipating devices employed the building structures are used instead of the coupling beams in order to increase the seismic performances by providing additional damping and stiffness. This study aims to introduce energy dissipating devices which are preferred in structural system and aims to investigate structural behaviors of shear wall structures employing such devices instead of coupling beams. In order for achieve research objectives, Finite Element Analysis and Nonlinear analysis was carry out. Finite Element Analysis results was correspond with experimental results and this is indicated that the device can provide sufficient additional damping and stiffness into shear wall structures. Throughout nonlinear static analyses, examples structures with the devices can enhance seismic performance of building structures due to their sufficient energy dissipating capacities. Especially, strength and ductility capacities were significantly improved when it is compared with the performance of building structures without the devices. Throughout nonlinear dynamic analyses, it was observed that structural damages can be mitigated due to reduced seismic demands for seismic force-resisting systems. It is especially noted due to the fact that story drifts, accelerations, shear demands are reduced by 15~18%, 20~28% and 15~20%, respectively.

• Polymer(Korea)
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• v.34 no.2
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• pp.159-165
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• 2010

Dipyridine-terminated polystyrenes and polybutadienes were synthesized by the chain endfunctionalization reaction of polystyryllithium (PSLi) and polybutadienyllithium (PBDLi) with di(2-pyridyl) ketone(DPK) using a living anionic polymerization method in the Ar-glove box. Living polymeric lithiums with low molecular weights (Mw=1000~2000 g/mol) were used to investigate the chain end-functionalization yield with DPK and the degree of coupling reaction by the attack of organolithium to the pyridine ring in the presence of TMEDA using GPC, $^1H$-NMR, $^{13}C$ analysis. DPK-terminated PBD exhibited much higher functionalization yield and less amount of coupling reaction compared with DPK-terminated PS. 86% functionalization yield with 9% degree of coupling was obtained when the PBDLi was added dropwise to DPK solution at room temperature. The functionalization yield was increased as the reaction temperature decreased, however, no LiCl effect was observed in this chain end-functionalization reaction with DPK.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.43 no.6 s.348
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• pp.46-52
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• 2006

We report on a high performance 94 GHz MMIC resistive mixer using 70-nm metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT) and micro-machined W-band ring coupler. A novel 3-dimensional structure of resistive mixer was proposed in this work, and the ring coupler with the surface micro-machined dielectric-supported air-gap microstrip line (DAMLs) structure was used for high LO-RF isolation. The fabricated mixer showed an excellent LO-RF isolation of -29.3 dB and a low conversion loss of 8.9 dB at 94 GHz. To our knowledge, compared to previously reported W-band mixers, the proposed MHEMT-based resistive mixer using micro-machined ring coupler has shown superior LO-RF isolation as well as similar conversion loss.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.114-114
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• 2010

최근 고용량의 디커플링 캐패시터를 기판에 내장하여 고주파 발생의 원인인 배선길이와 실장 면적을 획기적으로 줄이는 임베디드 디커플링 캐패시터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 기존의 공정들은 높은 공정온도와 같은 공정상의 한계를 가지고 있어 상온 저 진공 분위기에서 세라믹 분말을 기판에 고속 분사시켜 기공과 균열이 거의 없는 치밀한 나노구조의 세라믹 제작이 가능한 후막코팅기술인 Aerosol Deposition Method (ADM)에 착목하였으며, 이 ADM을 박막공정으로 응용하여 $BaTiO_3$ 박막을 제작하고 고용량의 디커플링 캐패시터 제작을 실현하고자 한다. 하지만, Cu 기판 상에 성막 된 $0.5\;{\mu}m$이하의 $BaTiO_3$ 박막에서는 $BaTiO_3$ 분말 내에 존재하는 평균입자 보다 큰 입자와 응집분말로 인해 발생하는 pore, crater, not-fully-crushed particles와 같은 거시적인 결함들에서의 전류 통전과 울퉁불퉁한 $BaTiO_3$ 박막과 기판 사이의 계면에서의 전계의 집중에 의한 전류의 증가로 인하여 큰 누설전류 발생하는 문제에 봉착하였다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 제시된 효과적인 방법으로 Stainless steel 기판과 같이 표면경도가 높은 기판을 사용하는 것이며, 이를 통해 $0.2\;{\mu}m$의 두께까지 유전 $BaTiO_3$ 박막을 성막 할 수 있었으며, 치밀한 표면 미세구조와 줄어든 $BaTiO_3$ 박막과 기판 사이의 계면의 거칠기를 확인하였다. 하지만, $BaTiO_3$ 박막 내에 발생하는 누설전류의 근본원인을 확인하기 위해서는 누설전류에 대한 미시적인 접근이 더욱 요구된다. 이에 본 연구에서는 누설전류 발생원인의 미시적 접근을 위해 두께에 따른 $BaTiO_3$ 박막의 누설전류 전도기구에 대한 조사하였으며, 이를 통해 $BaTiO_3$ 박막내 발생하는 누설전류의 원인은 $BaTiO_3$막 내에서 donor로서 역할을 하는 oxygen vacancy와 불균일한 전계의 집중으로 인한 전자의 tunneling 현상임을 확인할 수 있었다. 또한, Nano-indenter와 Conductive atomic force microscopic를 이용한 정밀 측정을 통해 표면경도의 중요성을 재확인하였으며 $BaTiO_3$ 박막의 두께가 $0.2\;{\mu}m$이하로 더욱 얇아지게 되면 입자간 결합 문제 또한 ADM을 박막화 하는데 있어 중요한 요소임을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.328-329
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• 2018

본 논문에서는 전기자동차용 단상 온-보드 충전기를 위한 Cycloconverter-type High Frequency Link 회로구조와 능동 전력 디커플링 회로를 이용한 전기자동차용 고전력밀도 양방향 온-보드 충전기를 제안한다. 제안된 시스템은 전력변환부 단계를 줄이기 위한 AC-AC 변환회로와 DC링크 캐패시터를 최대한 줄이기 위해서 벅-타입 능동 전력 필터를 사용한다. 이를 통해 전력변환시스템 전체의 부피를 줄일 수 있으며, 전해 커패시터를 필름 커패시터로 대체하여 수명 문제를 해결할 수 있다. 제안된 시스템의 성능은 MATLAB/Simulink 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07d
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• pp.2959-2961
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• 2000

인터넷의 발전으로 기존의 가정 자동화의 개념이 변화되어 단순한 제어의 범위를 넘어 정보제공, 원격관리 등의 서비스와 연계되어 통합적인 흠 네트워크의 구축이 요구되고 있다. 이에 관련하여 기존에 포설된 망을 이용하여 흠 네트워크를 구축하는 방안으로 최근 들어 전력선을 이용한 통신 시스템 개발에 대한 관심이 고조되고 있다. 지금까지는 변압기 2차측에 설치되는 라우터나 전력신호와 통신 신호를 커플링하는 커플러 개발 등의 하드웨어에 대한 연구와 흠 네트워크 관리를 위한 웹브라우저의 개발에 대한 연구가 진행되어 왔다. 그러나 실제 흠 네트워크 제어를 위한 운영체제에 대한 연구는 미흡한 실정이다. 따라서 본 논문에서는 전력선 통신망 이용환경 하에서의 가전 네트워크 및 인터넷을 포괄하여 관리할 수 있는 전용 운영체제의 구성과 흠 네트워크를 위한 전력선 네트워크 어댑터의 기본 구조를 고찰 하였다.

• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• v.2006 no.10
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• pp.171-174
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• 2006

• Journal of IKEEE
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• v.18 no.4
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• pp.559-565
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• 2014

A 3 dB coupler has been designed and implemented using the most commonly used double-sided FR4 boards. The coupling and the bandwidth of the coupler are enhanced with the enlarged overlapped area of the coupler. Major design parameters are plotted as a design guide and the parameters are verified by simulation and measurement. The size of the manufactured coupler is $30{\times}14mm^2$. Its measured insertion loss and phase difference are 0.6 dB and $90.5^{\circ}$ at center frequency of 2.5 GHz, respectively. The operating frequency range is 1.72 GHz to 3.08 GHz for $3.6{\pm}0.5dB$ insertion loss. The coupler has the performance similar to that of conventional Lange coupler, and implementation of the coupler is easy and cheap with wide metal width and spacing and no additional wire bonding process.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.186-186
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• 2010

소자의 축소화에 따라 floating gate 형의 flash 메모리 소자는 얇은 게이트 절연막 등의 이유로, 이웃 셀 간의 커플링 및 게이트 누설 전류와 같은 문제점을 지니고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 charge trap flash 메모리 (CTF) 소자가 연구되고 있지만, CTF 메모리 소자는 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 성능간의 trade-off 관계와 같은 문제점을 지니고 있다. 최근, 이를 극복하기 위한 방안으로, 다른 유전율을 갖는 유전체들을 적층시킨 터널 절연막을 이용한 Tunnel Barrier Engineered (TBE) 기술이 주목 받고 있다. 따라서, 본 논문에서는 TBE 기술을 적용한 MIS-capacitor를 높은 유전율을 가지는 Al2O3와 HfO2를 이용하여 제작하였다. 이를 위해 먼저 Si 기판 위에 Al2O3 /HfO2 /Al2O3 (AHA)를 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 약 2/1/3 nm의 두께를 가지도록 증착 하였고, Aluminum을 150 nm 증착 하여 게이트 전극으로 이용하였다. Capacitance-Voltage와 Current-Voltage 특성을 측정, 분석함으로써, AHA 구조를 가지는 터널 절연막의 전기적인 특성을 확인 하였다. 또한, high-k 물질을 이용한 터널 절연막을 급속 열처리 공정 (Rapid Thermal Annealing-RTA) 과 H2/N2분위기에서 후속열처리 공정 (Post-RTA)을 통하여 전기적인 특성을 개선 시켰다. 적층된 터널 절연막은 열처리를 통해 터널링 전류의 민감도의 향상과 함께 누설전류가 감소됨으로서 우수한 전기적인 특성이 나타남을 확인하였으며, 적층된 터널 절연막 구조와 적절한 열처리를 이용하여 빠른 쓰기/지우기 속도와 전기적인 특성이 향상된 비휘발성 메모리 소자를 기대할 수 있다.