• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.29 no.6
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• pp.1-13
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• 2014

GaN(Gallium Nitride)는 3.4eV의 넓은 에너지 갭으로 인하여 고전압에서 동작이 가능하고, 분극전하를 이용한 캐리어 농도가 높아 높은 전류밀도와 전력밀도를 얻을 수 있으며, 높은 전자 이동도와 포화 속도로부터 고속 동작이 가능하여 고주파 고출력 고효율 소형의 전력증폭기 소자의 재료로 적합하다. 본고에서는 민수 및 군수 겸용 Ku-대역 및 Ka-대역 GaN 고출력 전력증폭기(SSPA: Solid-State Power Amplifier)와 관련된 GaN 전력증폭 소자, GaN 전력증폭기 MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit), 내부정합 패키지형 GaN 전력증폭기 및 GaN SSPA에 대하여, 국내외 특허 기술동향과 연구개발 기술동향을 중심으로 고찰하고자 한다. 국외의 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술의 연구동향이나 특허동향을 심층분석하여 연구개발에 활용하고자 한다.

• 보일러설비
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• no.8 s.151
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• pp.104-109
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• 2006

보일러회사들의 사업다각화 기세가 놀라울 정도다. 특히 난방사업과 냉방사업을 아우르는 다각화는 유난히 계절을 타는 보일러 회사들에게는 최적의 조합으로 꼽히고 있다. 귀뚜라미보일러와 경동보일러가 그렇다. 이들 회사들은 동절기를 겨냥한 난방 시즌이 끝나도 하절기를 겨냥한 냉방 시즌이 기다리고 있으니 일년 365일을 항상 같은 템포로 유지할 수 있다. 가을철 추수가 끝나면 기나 긴 농한기에 접어 드는 농촌처럼 한 구석이 허전했던 보일러 회사의 대리점들도 이제는 손발에 땀이 나게 뛰기만 하면 된다. 하지만 귀뚜라미와 경동의 사업 내용은 전혀 다르다. 귀뚜라미는 에어컨의 제조원이고 경동은 판매원이다. 귀뚜라미가 센추리 아산공장을 인수하고 지난달에는 범양공조까지 흡수하면서 에어컨 메이커의 메이저를 꿈꾸고 있는 반면 경동은 세계 최대 에어컨 회사인 캐리어와 손잡고 마케팅 컴퍼니의 메이저 자리를 노리고 있다. 진입방식은 다르지만 냉난방 전문 기업으로 변신을 꾀하고 있는 귀뚜라미와 경동보일러의 에어컨 사업을 들여다 본다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.6
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• pp.102-107
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• 1989

This paper describes a new circuit modeling technique for the directly frequency modulated semiconductor laser. Especially this model accounts for not only the accounts for not only the carrier density effect but also the temperature effect. The simulation results with this model are compared with published experimental results of sinusoidal frequency modulation in the range from DC to 3 GHz, and show good agreements.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.05a
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• pp.321-324
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• 2001

The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) has undergone many changes in the last decade in response to the constant demand for increased speed, decreased power, and increased packing density. This paper has compared Micro-Tec with ISE-TCAD. This paper investigates LDD MOSFET using two simulators. Bias condition is applied to the devices with gate lengths 180nm. We have presented MOSF ET's characteristics such as I-V characteristic, electric field. and compared with Micro-Tec and ISE-TCAD.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.188-188
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• 2009

ZIO 박막은 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 기판 가열 없이 상온에서 non-alkali 유리 기판 위에 증착하였다. RF/(DC+RF) 비율은 0%에서 100%까지 25% 비율로 증가시키면서 전체 파워는 80W로 유지하였다. 100%의 RF/(DC+RF) 비율에 의해 증착된 ZIO 박막에서 $1.28{\times}10^{-3}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항을 나타내었으며, 이것은 캐리어 농도의 증가에 기인되어진다고 생각된다. 한편, 결정성은 50%의 RF/(DC+RF) 비율로 증착된 ZIO 박막에서 가장 우수하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.356-356
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• 2013

Monolithic 3D-IC는 현대 집적회로에서 interconnect로 인해 발생되는 여러 문제들을 해결하기 위해 새롭게 제시되고 있는 기술적 개념으로 구현 시 하위 소자 및 interconnet들에 영향을 주지 않는 저온공정이 필수적이다. 특히 germanium (Ge)은 낮은 녹는점 및 높은 캐리어 이동도 덕분에 3D-IC 구현 시 상위 소자의 channel 물질에 적합한 것으로 알려져 있다. 최근 이러한 Ge을 결정화하기 위해 solid phase crystallization (SPC), metal induced crystallization (MIC), laser annealing과 같은 결정화 방법들이 보고되고 있다. 현재까지 SPC 방법에 의해 얻어진 poly-Ge의 도핑농도 및 이동도와 같은 전기적 특성에 대한 분석은 수행된 바 있으나 3D-IC 공정에 적용이 가능한 MIC 기술을 통해 얻어진 poly Ge 필름에 대한 전기적 특성분석은 부족한 상황이다. 본 연구는 SPC 뿐만 아니라 MIC 방법을 통해 ${\alpha}$-Ge를 결정화시키고 얻어진 poly-Ge 필름의 전기적 특성을 XRD 및 hall effect measurement를 통해 분석하였다. 특히 일반적으로 Ge 내에서 p-type dopant로 동작을 하는 defect과 n-type dopant인 phosphorus 관계를 고려하여 여러 온도에서 SPC 및 MIC에 의해 얻어진 phosphorus doped poly-Ge 필름들의 전기적 특성을 분석하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.4
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• pp.338-343
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• 1991

활성화된 반응성 증발법을 이용하여 비저항 .rho.=1*$10^{-3}$.OMEGA..cm, 이동도 .mu.=4*$10^{3}$$cm^{2}$/V.sec이고 두께가 약 400.angs.인 In$_{2}$O$_{3}$ 박막을 실온에서 유리기판에 생성시켰다. 광투과율은 파장 400-800nm범위에서 80% 이상으로 나타났고 구조는 무정형인 것으로 나타났다. 낮은 저항의 In$_{2}$O$_{3}$ 박막은 Ar과 $O_{2}$의 압력을 적적히 조절함으로서 얻을 수 있을 것으로 분석되었고 약 350.deg.C의 온도로 30분간 열처리로서 정형화할 수 있는 것으로 판단되었다. 또한 증발율, 이동도 및 저항과 캐리어 농도와의 상관관계도 고찰하여 보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.139-139
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• 2011

DC magnetron sputtering과 DC pulsed magnetron sputtering을 이용하여 공정 압력별, $O_2$ 분압별, 온도등의 증착조건에 따른 IGZO 박막의 특성을 조사하였다. Working pressure 따른 deposition rate 측정한 결과 동일 파워 적용 시 DC magnetron sputtering 대비하여 DC pulsed magnetron sputtering 은 약 84% 수준에 머물렀으며, IGZO 박막 내에 $O_2$의 분압비가 증가함에 따라 투과도는 단파장 영역에서 장파장 영역으로 갈수록 상승 경향을 보였다. 캐리어 농도와 이동도 등 전기적 특성도 증가하는 경향을 보였다. 온도에 따른 전기적 특성을 비교 해 본 결과 상온과 $150^{\circ}C$ 영역에서는 유의차가 없었으며, DC pulsed magnetron sputtering의 경우 $50^{\circ}C$ 영역에서 변곡점이 형성됨을 알수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.49-50
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• 2007

MOCVD 법으로 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 이때 VI/II 족 유량비를 변화 시켜 나타나는 박막의 특성 변화에 대해 연구하였다. 유량비가 증가할수록 박막의 결정성과 광특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 유량비가 증가할수록 전기전도도와 캐리어 농도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.321-321
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• 2010

일반적으로 결정질 silicon solar cell의 에미터 층의 면저항이 높아짐에 따라 표면에서의 재결합이 줄어들고, Voc가 상승한다. 그러나 에미터 층의 면저항이 높을 경우 전면에서의 전극 저항과 에미터에 흐르는 캐리어에 의한 저항 손실이 커져 태양전지의 효율을 저하시키는데, 이를 해결하기 위한 방법으로 selective emitter에 대한 연구가 진행되고 있지만 이는 공정 과정이 다소 복잡하다는 단점이 있다. 본 연구에서는 투명 전도막 재료 중의 하나인 ITO를 결정질 실리콘 태양전지에 적용하여 위의 문제점을 해결하였다. 낮은 농도로 도핑한 에미터 층 위에 ITO를 증착시켜 cell을 제작하였으며, 완성된 high Rs cell의 결과를 기존의 low Rs cell의 특성과 비교, 분석하였다.