• Applied Microscopy
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• 제19권1호
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• pp.89-108
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• 1989

알루미늄-4%동 계에서의 ${\theta}$ 및 ${\theta}'$ 석출물과 석출물/기지 계면 전위를 투과전자현미경상으로 관찰하고 콘트라스트 실험 및 석출물 분석으로 석출물/기지 계면의 정합성과 여러 전위들의 Burgers 벡타를 규명하였다. 실험 결과, 변형장은 정벽면에 수직으로 되어 있고, 판상의 ${\theta}'$ 석출물은 {100}형 정벽면을 지니고 있었다. ${\theta}'$판 주위의 전위는 정벽면에 수직인 Burgers 벡타를 지닌 칼날전위였다. 그리고, 석출물과 기지 사이의 접합변형을 작게하기 위한 계면전위의 Burgers 벡타는 a<100>과 a/2<100>형이었다. 또한 Hornbogen의 예견과 일치하는 사실로, ${\theta}'$의 석출물의 끝부분에서 ${\theta}$상이 핵생성을 하는 사실을 발견하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제20권4호
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• pp.1177-1185
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• 1996

The crack growth under creep condition is one of the major damage mechanisms which determines remaining life of the component operating at high temperatures. In this paper, the creep crack growth by grain boundary cavitation is studied, which is frequently observed failure mechanism for creep brittle materials. As a result of diffusive growth of creep cavities, it is shown that the crack-tip stress field is modified from the original stress distribution by the amount of singularity attenuation parameter which is function of crack growth rate and material properties. Also, the stress relaxation at crack-tip results in the extension of cavitating area by the load dump effect to meet the macroscopic force equilibrium conditdion.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권3호
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• pp.135-139
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• 2018

본 연구에서는 HVPE 성장법을 이용하여 사파이어 기판 위에 알파 갈륨옥사이드를 성장시키며 VI/III 비의 변화에 따른 효과를 확인하였다. 성장된 알파 갈륨옥사이드의 표면은 평평하고 crack 없이 성장되었다. 성장된 갈륨옥사이드의 광학적 특성을 분석하기 위해 투과율을 측정하고 광학 밴드갭을 얻었다. 광학 밴드갭은 약 5.0 eV로 나타났고 VI/III 비가 증가함에 따라 비례하여 증가하는 결과를 보여주었다. 이론적 광학 밴드갭에 가장 근접한 VI/III 비가 23인 조건에서 성장된 알파 갈륨옥사이드의 결정성을 확인하기 위해 HR-XRD를 이용하여 FWHM을 측정하였고 이를 바탕으로 전위밀도를 계산하였을 때 나선형 전위밀도는 $1.5{\times}10^7cm^{-2}$, 칼날 전위 밀도는 $5.4{\times}10^9cm^{-2}$로 계산되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권3호
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• pp.96-102
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• 2020

본 논문에서는 6H-SiC (0001) 기판 위에 AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. 시간당 5 nm의 성장률로 0.5 ㎛ 두께의 AlN 에피층을 얻었다. FE-SEM과 EDS 결과를 통해 6H-SiC (0001) 기판 위에 성장된 AlN 에피층 표면을 조사하였다. HR-XRD와 계산식을 통해 전위 밀도를 예측하였다. 1.4 × 10⁹ cm^-2의 나사 전위 밀도와 3.8 × 10⁹ cm^-2의 칼날 전위 밀도를 가지는 우수한 결정질의 AlN 에피층을 확인하였다. 혼합소스 HVP E 방법에 의해 성장된 6H-SiC 기판 위의 AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.