기술성과측정은 항공기 등 대형 개발사업에 수십 년 동안 널리 사용되어 왔으며, 항공기 체계 개발 요구사항에 충족되지 않는 부적합한 사항들을 식별할 수 있는 유용한 방법으로 인식되어 왔다. 뿐만 아니라 개발 프로그램의 문제점에 대한 조기 경고를 하고, 기술적 위험을 감시할 수 있게 함으로써 성능, 비용을 절감할 수 있다. 본 논문에서는 기술성능 측정방법에 관한 개괄적인 내용과 성능파라미터 선정에 내용을 기술하고, 국내에서 개발하고자 하는 KHP 개발사업 등 항공기 개발사업에 대한 적용 제시하고자 한다.
국과연 종합시험단은 지난해 12월 국가정밀기술진흥대회 계량.측정기 개발 부문에서 "정방향 스텝 동압력 교정장치 개발"로 최고의 상인 우수상(국무총리상)을 수상하였다. 국가 정밀기술진흥대회의 목적은 산업의 고도화에 기반이 되는 정밀측정 기술의 개발을 촉진시키고 정밀측정 능력을 향상시켜 산업의 품질 경쟁력을 높이며 새로운 계략측정기의 개발의욕을 고취시켜 계측기기의 대외 수입 의존도를 낮추어 가는데 있다. 1971년 제1회 대회가 시작된이래 지금까지 31회째 정밀기술대회가 개최되었다. 본 대회는 국가차원에서 실시되는 기술올림픽에 해당하는 권위와 역사를 가지는 대회로 산업자원부, 중소기업청 및 한국경제신문사가 후원하고, 한국계량측정협회가 매년 주최하고 있다.
이동통신 가입자의 폭발적인 신장세와 더불어 발전하는 이동통신기술의 놀라운 발전은 유비큐토스(Ubiquitous)라는 새로운 용어를 창출하며 새로운 기술의 영역에 놀라운 속도로 다가서고 있다. 하지만 이러한 성장세와 기술적 발전에도 불구하고 기지국 안테나의 위치제원(높이, Swing 각도, Tilting 각도)의 측정 및 설치 문제가 아직까지 극복되지 못한 낙후 영역으로 존재하고 있었다. 본 고에서는 RF 무선환경 예측 프로그램 및 안테나 구축 그리고 RF운영 최적화에 필수 불가결한 필요한 안테나 위치 제원에 대한 전자동 측정 시스템 기술 구현 및 기대 효과 등에 대해 기술한다.
국과연 종합시험단은 지난해 12월 국가정밀기술진흥대회 계량.측정기 개발 부문에서 "정방향 스텝 동압력 교정장치 개발"로 최고의 상인 우수상(국무총리상)을 수상하였다. 국가 정밀기술진흥대회의 목적은 산업의 고도화에 기반이 되는 정밀측정 기술의 개발을 촉진시키고 정밀측정 능력을 향상시켜 산업의 품질 경쟁력을 높이며 새로운 계략측정기의 개발의욕을 고취시켜 계측기기의 대외 수입 의존도를 낮추어 가는데 있다. 1971년 제1회 대회가 시작된이래 지금까지 31회째 정밀기술대회가 개최되었다. 본 대회는 국가차원에서 실시되는 기술올림픽에 해당하는 권위와 역사를 가지는 대회로 산업자원부, 중소기업청 및 한국경제신문사가 후원하고, 한국계량측정협회가 매년 주최하고 있다.
반도체소자의 고속실현을 위해서 알루미늄배선에서 40% 가량 성능을 높이는 반면 제조비용은 30%까지 낮출 수 있는 구리를 선호하고 있으나, 식각이 잘 되지 않아 원하는 패턴으로 만들어 내기가 곤란한 공정기술의 어려움과 구리물질이 지닌 유독성문제를 가지고 있다. 기존의 식각기술로는 구리패턴을 얻을 수 없는 기술적 한계 때문에 화학.기계적 연마(CMP)를 이용한 평탄화와 연마를 통해서 구리배선을 얻는 다마스커스(Damascene)기술이 개발됐고 이를 이용한 구리배선기술이 현실적으로 가능하게 됐다. CMP를 이용한 평탄화 및 연마 공정에서 Wafer에 도포된 구리의 두께를 실시간으로 측정하여 정밀하게 제어할필요가 있는데, 본 논문에서는 와전류를 이용하여 옹고스트롬 단위의 두께를 실시간으로 측정하여 제어 하는 시스템구현에 대해 기술한다.
Strained silicon 기술은 MOSFET 채널 내 캐리어 이동도를 향상시켜 집적회로의 성능을 향상시키는 기술이다. 최근에는 strained 실리콘 기술과 SOI(silicon On Insulator) 기술을 접목시켜 집적회로 소자의 특성을 더욱 향상시킨 SSOI(Strained Silicon On Insulator) 기술이 연구되고 있다. 본 연구에서는 pseudo MOSFET 측정법을 이용하여 strained SOI 웨이퍼의 전기적 특성 분석을 행하였다. pseudo MOSFET 측정법은 SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석을 위해 고안된 방법으로써 산화, 도핑 등의 소자 제조 공정 없이도 SOI 표면 실리콘층의 이동도와 매몰산화막과의 계면 특성 등을 분석해 낼 수 있는 기술이다. 표면 실리콘층의 두께와 매몰산화막의 두께가 각각 60nm, 150nm인 SOI 웨이퍼와 동일한 막 두께를 가지며 표면 실리콘층이 strained silicon인 SSOI 웨이퍼를 제작하여 그 특성을 비교 분석하였다. Pseudo MOSFET 측정 결과 Strained SOI 웨이퍼에서 표면 실리콘총 내의 전자 이동도가 일반적인 SOI 웨이퍼보다 약 25% 향상되었으며 정공 이동도나 매몰산화막의 계면 트랩밀도는 큰 차이를 보이지 않았다.
본 논문은 비전 기술을 기반으로 RHS 칼라차트를 이용하여 작물의 색채를 측정하는 특성조사기준에 관한 연구를 수행하였다. 다양한 색상을 가진 작물의 색채를 측정하기 위해 시료 채취 후 표준광원 촬영장치 광원 6500K 환경하에 촬영한 영상을 기반으로 분석 위치를 관심영역 선정 후, k-mean clustering을 활용한 세그먼테이션 방법을 통해 대표 RGB 색상을 획득한다. 획득한 RGB 색상과 RHS 칼라차트의 RGB 색상을 유클리디언 거리를 이용하여 최소화하는 RHS 칼라차트 정보를 추정하였다. 7가지 작물 시료에 대해 작물 형질 분석 전문가들이 측정한 결과와 비교 시 전체 평균 △E 5.013의 오차를 결과로 도출하였다.
열전 발전은 버려지는 폐열을 재사용 가능한 에너지로 전환할 수 있다는 점에서 차세대 청정 에너지원으로 분류되며, 19세기 초 발견된 이래 꾸준히 연구되어온 연구 분야이다. 특히 1990년대 열전소재로의 나노 기술의 접목에 따라 열전성능(figure of merit, ZT)이 2 배 이상 증가 되면서, 고성능의 열전 소재 개발을 위해 나노구조화 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만, 기존의 열전 특성 측정용 상용 장비의 경우, 벌크형 소재를 대상으로 설계되어 연구실 수준에서 개발되고 있는 마이크로미터 스케일의 두께를 가지는 박막형 열전 소재의 두께 방향 (cross-plane)의 열전 특성을 평가하는데 정밀성이 떨어져서 적합하지 않다. 이러한 표준화된 측정 기술의 부재로 인하여 최근 연구되고 있는 나노소재들의 열전 특성 측정 결과를 정확하게 측정하지 못하고 있다 [1] 본 연구에서는 박막형 열전 소재의 열전성능을 평가하는데 가장 중요한 요소인 열전도도를 측정하기 위해 장비를 설계하고, 장비의 측정 능력에 대해 평가하였다. 특히, 측정 포인트 간 큰 온도 차가 발생하여 비교적 쉽게 측정이 가능한 너비 방향 (in-plane) 이 아닌, 온도 차가 작은 박막의 두께 방향의 열전도도를 측정하였다. 그리고 센서의 측정 능력을 평가하기 위해, 폴리이미드를 대상으로 $-10-70^{\circ}C$ 온도 범위에서 측정한 결과와 벌크형 소재 대상으로 신뢰성이 확보된 보호열판법을 이용해 측정한 결과를 비교하였다.
최근 클라우드 컴퓨팅 기술의 발전에 따라 해저지도 데이터의 효율적인 측정, 기록 및 업데이트하는 분야에서의 원격탐사 기술과 클라우드 컴퓨팅 기술의 활용이 확대되고 있다. 실제 해양 분야에서 수심측정 및 측정 데이터 관리, 유통, 디스플레이 장비 개발 및 보급에 많은 시간과 비용이 발생하고 있다. 이러한 시스템을 개선하고자 실시간 3차원 디스플레이 시스템을 통하여 해당 위치에서의 측정 활동의 중요도를 판단할 수 있으며, 측정 활동의 시간과 비용 감소로 이어질 수 있다. 해양조사선 및 원격탐사 장비 등 다양한 경로를 통해 측정된 데이터는 클라우드 컴퓨팅 기술을 활용하여 처리, 관리된다. 본 논문에서는 원격탐사를 통한 수심측정과 동시에 실시간 3차원으로 디스플레이하는 시스템을 제안한다. 제안된 실시간 3차원 디스플레이 시스템은 해저지형뿐만 아니라 육지의 지형 측량 분야에서도 효과적으로 적용될 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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