• 한국결정성장학회지
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• 제25권1호
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• pp.1-5
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• 2015

AlN 단결정의 특별한 용도로 이를 개발하기 위한 노력이 전 세계적으로 매우 활발하게 이루어지고 있다. 이러한 AlN을 기반으로 하는 자외선 LED는 생활, 의학, 자동자 등에 유용한 용도로서 살균, 정화, 경화 및 분석 등 분야에 이용된다. 이에 실험을 통해 PVT법으로 카본 도가니를 사용하여 AlN 단결정을 성장시켰으며 실험 중 3가지 형태의 도가니를 이용하여 성장에 미치는 영향을 분석하였으며, 그 온도 조건은 $1900{\sim}2100^{\circ}C$이고 실험 압력으로는 1~200 Torr였다. 그 결과, 높이가 높은 형태의 도가니를 사용할 경우 증발량은 기준 형태보다 증가 하는데 그쳤다. 반면, 넓은 형태의 도가니는 더욱 많은 증발양의 증가를 보였으며, 기준 형태에 비하여 훨씬 안정하다는 것을 알았다. 또한, 제한된 크기의 도가니를 이용한 PVT법에서의 도가니 형태의 변화에 따른 결과는 성장률에 따른 최적 조건, 성장 결정의 품질변화 및 성장 조건 안정성에 영향을 주는 것을 알았다.

• KSBB Journal
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• 제11권3호
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• pp.303-310
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• 1996

해양 미세조류인 Isochrysis galbana Parke의 성장에 미치는 여러 환경요인과 배지요인의 영향을 조사하고 최적 배양조건을 구하였다. 그 결과를 요약하 면 다음과 같다. 1. 인공바닷물은 자연바닷물보다 다소 낮은 비성 장속도와 최종 균체농도를 나타내었다. 2.. 자연바닷물이 기초배지로 사용되었을 때 2mM 이상의 충분한 질산염 농도가 필요하였다. 그러나 미량원소와 비타민의 영향은 관찰되지 않았다. 3. 완충용액요로 Tris를 첨가한 경우 pH는 일정 하게 유지가 가능하나 비성장속도와 최종 균체농도 가 감소하였다. 4. 최적 초기 pH와 온도는 각각 pH 8, $20^{\circ}C$ 였다. 5. 벚세기를 400-21001ux의 범위에셔 변화시켰을 때 비성장속도는 18501ux까지 증가하였고 그 이 후로는 일정하였다. 6. 10mL에서 70mL로 Working volume을 증가 시켰을 때 초기 성장속도는 비슷하였으나 최종 균체 농도가 감소하는 경향을 보였다. 7. Working volume이 30mL일 때 최적 교반속 도는 100rpm정도이고, 더 높은 교반속도에서는 최 종 균체농도의 감소가 관찰되었다. 8. 플라스크배양의 최적조건에서 최대 비성장속도 와 최종 균체농도는 각각 $O.021hr^{-1}$과 1.1g/L로 얻어졌다.

• 한국식품과학회지
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• 제21권3호
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• pp.399-403
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• 1989

A. cylindracea의 균사 성장을 위한 영양배지 조성 및 배양조건을 최적화하였다. 최적 영양배지 조성은 starch 20.0g/l, bacto-soytone 4.0g/l, 그리고 yeast extract 6.0g/l였다. 무기염류 $KH_2PO_4\;0.46g/l,\;K_2HPO_4\;1.0g/l,\;MgSO_47H_2O\;0.5g/l$을 첨가한 배지의 pH는 5.8로_ 완충되었으며 무기염류를 첨가하지 않은 배지보다 균사성장이 양호하였다. 균사의 최적 배양온도는 $28^{\circ}C$였으며 최적 생장 pH는 6.0이었다. 균사 성장 온도범위는 $10-35^{\circ}C$로서 $40^{\circ}C$ 이상에서는 균사가 사멸하였다.

• KSBB Journal
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• 제11권2호
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• pp.254-261
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• 1996

수두 바이 러스(Varicella-zoster virus, VZV) 백신을 생산하기 위하여 약독화된 수두 바이러스 주인 Oka 주를 사용하여 정상세포인 인체 폐세 포(human lung fibroblast cells)로부터 수두 바이 러스 생산조건을 검토하였다. 숙주세포의 배양을 위 한 최적 성장배지로는 DMEM이 조사된 배지 중에 서는 가장 좋음을 알 수 있었으며 숙주세포의 성장율은 세포 age의 지표인 population doubling level (PDL) 이 46 이상인 경우 낮아지는 것무로 확인되 었으며 따라서 수두바이러스 생산을 위해서는 PDL 4 46 이하의 young cell을 사용해야 할 것으로 사료된 다 한편 수두바이러스 생산을 위한 최적 증식조건 으로는 배양온도 $37^{\circ}C$, 혈청농도 2%, MOl 1:5였다. 숙주세포를 대량배양하기 위한 기본조건을 검토 하기 위하여 미 럽담체 (Cytodex-3)를 이용한 spm­n ner flask culture를 시행하였다. 미럽담체에서의 숙 주세포 성장은 T -flask와 비하여 별다른 차이가 없었으나 VZV의 증식은 T-flask 배양에서보다 훨씬 낮았다. 이는 미립담체배양에서의 높은 전단응력 과 미립담체끼리의 영김현상 때문으로 생각된다.

• 생명과학회지
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• 제13권5호
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• pp.559-568
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• 2003

본 연구는 된장 숙성 중 각종 미생물중에서 항산화 및 혈전 용해효소를 분비하는 균주를 분리 동정하고 이들 균주를 이용하여 기능성 항산화 및 혈전용해활성이 있는 된장을 제조하였다. 본 실험에서 된장에서 분리한 균주 중 1차적으로 항산화 활성 및 혈전용해 활성이 우수한 균주 BH-23을 선별하였다. 분리, 선별한 균주 BH-23은 형태학적, 생리화학적 및 생화학적 특성을 확인한 결과 Bacillus subtilis으로 잠정 적으로 결정하였고, 편의상 Bacillus subtilis BH-23으로 명명하였다. Bacillus subtilis BH-23의 최적 생육조건은 온도 $40^{\circ}C$, pH 5.0에서 가장 좋았고, 식염이 15%에서도 성장속도는 좋았다. 그리고 Bacillus subtilis BH-23의 항산화 활성 및 항혈전효소의 최적생성 조건은 본 균주의 성장조건과 거의 일치하였다. Bacillus subtilis BH-23을 이용하여 만든 제품과 시판된장과 비교 분석한 결과 Bacillus subtilis BH-23로 만든 된장은 시판된장보다 암모니아 취가 거의 없었으며 된장의 색깔도 탁하지 않았으며 풍미도 우수하였다. 따라서 Bacillus subtilis BH-23으로 만든 된장을 본래의 제품에 큰 영향이 없으면서 항산화 및 혈전용해 효소을 분비하는 기능성 된장을 제조할 수 있을 것으로 생각되어진다.

• 공업화학
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• 제21권6호
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• pp.659-663
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• 2010

미세조류는 전 세계 바다에 분포하고 있으며 일부 종들은 인간의 식품에 이용되어 왔다. 특히, 광합성 미세조류 Nannochloropsis oculata는 영양적 가치가 우수하여 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 광합성 미세조류 Nannochloropsis oculata의 고농도배양을 위한 배양온도, 초기 pH, 배양액 선정, 인공해수 농도, 배지농도, $CO_2$영향 등 최적조건을 확립하고자 하였다. 그 결과, 3%의 인공해수, 초기 pH 8.5, 배양온도 $25^{\circ}C$가 최적 배양조건으로 판별되었다. 미세조류에 $CO_2$를 공급하지 않았을 때에는 건조 균체량이 0.76 g/L이었지만, 5% $CO_2$ 공급 이후 1.50 g/L로 높은 성장률을 보였다. 클로로필 생합성은 미세조류 성장과 깊은 연관이 있는 것으로 판명되었다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제13권10호
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• pp.63-68
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• 2012

본 연구는 해양미세조류의 일종인 Isochrysis galbana를 다양한 파장의 발광다이오드를 이용하여 배양한 후 최적 파장을 찾아내고, 최적파장을 광원으로 하여 회분식 실험에서의 대량 배양 조건을 찾기 위해 수행되었다. I. galbana 배양에 가장 효율적인 파장은 백색 LED였으며, 백색 LED의 광도에 따른 실험을 통해 3,000Lux의 광도가 본 미세조류의 성장에 최적임을 알 수 있었다. 형광등과의 비교 실험 시 같은 광도에서 백색 LED가 미세조류의 배양에 있어 10% 정도 높은 효율을 나타내었다. 배양이 진행되어 셀 농도가 증가하면서 발생하는 그림자 효과를 상쇄시키기 위해 공기 공급을 하였으며, 4가지 조건의 공기 공급 속도에서 모두 비슷한 성장특성을 보여주었다. 공기를 주입한 경우 주입하지 않은 경우보다 최대 3배 이상 균체 농도가 증가하였다.

• 한국재료학회지
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• 제6권11호
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• pp.1113-1120
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• 1996

다이아몬드 박막을 이용한 반도체소자를 실현시키기 위해서는 다이아몬드가 아닌 다른 재료의 기판위에 대면적에 걸쳐 다이아몬드막을 에피텍셜 성장시키는 것이 필수적이다. 그러나 이 분야의 연구는 아직 초보상태로 그 목표가 실현되지 못하고 있다. 본 논문에서는 저압의 ECR 마이크로파 플라즈마 CVD에 의하여 대면적의 Si(100)기판상에 방향성을 갖는 다이아몬드막을 성공적으로 성장시킨 결과를 보고자한다. 지금까지 얻어진 최적 핵생성 공정조건은 다음과 같다 : 반응압력 10Pa, 기판온도 80$0^{\circ}C$(마이크로파 전력이 3kW일 때), 원료가스 CH4/He 계로 농도비 3%/97%, 가스총유량 100sccm, 바이어스 전압 + 30V, 마이크로파 전력(microwave power)4kW, 바이어스 처리 시간 10분간이며, 성장단계에서의 증착공정 조건은 기판온도 80$0^{\circ}C$, 원료가스 CH4/CO2/H2계로 농도비 5%/15%/85%, 가스 총유량 1000sccm, 바이어스 전압 +30V, 마이크로파 전력 5kW, 성막시간 2시간으로 일정하게 유지하였다. 이 조건하에서 기판 면적 3x4$\textrm{cm}^2$의 대면적에 대해서 약 2x109cm-2의핵생성 밀도를 균일하게 재현성있게 얻었다. 원료가스로 CH4/H2를 사용한 경우보다 CH4/H2를 사용할 경우에 라디칼밀도의 증가에 의하여 더 높은 핵생성밀도를 얻을 수 있었다. 또한 저압의 ECR플라즈마 CVD의 경우에는 양의 바이어스전압이 막의 손상이 없어 다이아몬드 핵생성에 더 적합하였다.

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.40-45
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• 1995

직경 2인치의 YBa2Cu3O7-y 타겟을 사용하여 높은 스퍼터링 기체 압력 하에서 off-axis DC-마그네트론 스퍼터링 방법으로 MgO(100) 단결정 기판 위에 YBa2Cu3O7-y 박막을 c축 방향으로 in-냐셔 성장시킬 때 기판의 접지 여부와 인가전류의 양이 박막 성장에 미치는 여향을 연구하였다. 그 결과 접지 여부는 박막의 초전도 변환온도, 전기수송 특성, 결정 구조적 특성에는 영향을 거의 주지 않는 반면 표면상태에는 상당한 영향을 미치며, 인가전류의 양은 초전도 특성에 많은 영향을 미침을 발견하였다. 기판온도 $670^{\circ}C$, 스퍼터링 기체압력 300mTorr, 아르곤 대 산소 분압비 5:1의 조건에서 인가전류의 최적량은 300-500 mA이었으며 평균 박막 성장속도는 $0.11-0.14AA$/s로 매우 낮았다. 기판의 접지 효과와 낮은 성장속도의 원인에 대해 고찰해 본다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.179-179
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• 2016

희토류계 영구자석은 높은 보자력과 잔류 자화을 가지고 있어 자기기록저장매체, MEMS(엑츄에이터), 센서 등의 응용 분야에 적용시키기 위해 다양한 연구들이 진행되고 있다. 하지만 희토류계 원소의 수급 및 가격의 문제점으로 친환경자석으로의 전환 및 희토류나 중희토류를 사용하지 않는 비희토류계 영구자석을 개발하는 연구에 대한 필요성이 대두되고 있다. 이 중 Fe-N 계 자성 물질인 $Fe_{16}N_2$는 포화 자화 값이 현재까지의 자성물질 중 가장 높은 값(240emu/g)을 나타내며 상대적으로 높은 결정자기이방성 상수를 가지고 있어 비희토류계 영구자석 물질 중 하나로 주목받고 있다. 본 연구에서는 $Fe_{16}N_2$ 박막을 얻기 위해 DC Magnetron Sputtering 방법을 이용하여 Si wafer 위에 박막을 증착하고 증착공정 조건 중 질소 유량 및 Sputtering Power를 변수로 따른 박막의 성장, 조직변화, 자성 특성을 관찰을 통해 최적의 공정 조건을 찾고자 하였다. $N_2$ 가스 유량 변화에 따른 박막의 성장 속도는 거의 변화가 없었으며 $N_2$ 가스 유량의 증가에 따라 박막 내 Fe의 함유량은 감소하였다. 모든 공정 조건에서 $Fe_3N$, $Fe_4N$, $Fe_{16}N_2$ 상들이 섞여 성장하였으며 XRD를 통한 상분석과 더불어 VSM을 통한 자성 특성을 분석해본 결과 $Fe_{16}N_2$의 분율이 가장 높게 성장된 공정 조건은 Power는 200W, $N_2$ 가스 유량은 20sccm이었으며 이 조건에서 2.45T의 포화 자화 값과 1.4T의 잔류 자화 값을 얻을 수 있었다.