• Title/Summary/Keyword: 초청

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현상설계경기 - 종합에너지회관(에너지관리공단 새사옥)

  • Korea Institute of Registered Architects
    • Korean Architects
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    • no.8 s.316
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    • pp.118-119
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    • 1995
  • 에너지관리공단에서는 국내외 에너지ㆍ환경변화에 맞춰 화상회의 시스템 등 종합정보통신망과 최첨단 에너지 절약 기술과 기법이 망라돼 21세기 에너지 관리의 총본산으로 활용할 계획으로 새 사옥인 종합에너지회관 건립을 위한 현상설계경기를 실시, 초청 경기로 치뤄진 결과 정일(엔)종합건축안을 당선작으로 선정, 지난 6월 24일 발표했다.

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특집-IGAS2003

  • Yun, Jae-Ho
    • 프린팅코리아
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    • s.17
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    • pp.68-79
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    • 2003
  • 4년 만에 치러진 이번 IGAS 전시회에는 국내에 장비 및 자재 등을 공급하는 지사 및 대리점에서 인력을 대거 파견해 영업 및 마케팅 활동을 적극적으로 펼침으로써 국내 전시회를 방불케 했다. 뿐만 아니라 각사에서 고객들을 초청, 해당 업체의 장비 등을 한국어로 시연하는 등 국내에서보다도 더 열띤 판촉전이 벌어지기도 했다. 게다가 각 언론사 및 단체에서도 참관단을 파견, 한 자리에서 여러 제품 정보를 얻을 수 있도록 했다. 본지에서도 기자와 참관단을 파견해 IGAS 2003의 새로운 정보와 출품경향에 대해 알아보았다.

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행사 - 한국인쇄학회, 30주년 기념식 및 초청강연회

  • Im, Nam-Suk
    • 프린팅코리아
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    • v.11 no.12
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    • pp.76-77
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    • 2012
  • 인쇄업계 유일한 학회인 한국인쇄학회(회장 구철회)가 창립 30주년을 맞았다. 11월 2일 동국대학교 문화관 덕암세미나실에서 열린 기념식에는 김남수 대한인쇄문화협회장을 비롯해 김진배 대한인쇄기술협회장, 김도필 국군인쇄창장, 남석순 한국출판학회장, 이의수 동국대RIS사업단장 등 단체장과 인쇄학회 회원들이 참가해 인쇄학회 30주년을 축하했다.

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이슈&이슈 (3) - 한강예술섬, 국내 최초로 한강수 활용 냉.난방시스템 도입

  • 대한설비건설협회
    • 월간 기계설비
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    • s.239
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    • pp.50-51
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    • 2010
  • 바닷물뿐만 아니라 강물을 이용한 냉난방 기술도 개발된다. 서울시는 지난 3월 국제지명초청설계경기 당선작 발표 후 2010년 착공을 목표로 설계가 한창 진행중인 "한강예술섬" 조성사업에 국내 최초로 한강수를 이용한 친환경 냉 난방시스템을 도입하기로 했다.

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명사와의 대담-자율위생에는 책임과 의무가 필요

  • Lee, Gang-Chu;Kim, Jeong-Gi
    • 베이커리
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    • no.2 s.319
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    • pp.50-53
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    • 1995
  • UR, WTO발족으로 무한 경쟁 시대를 맞고 있는 우리 업계는 지금 새로운 전기를 맞고 있다. 홍수처럼 밀려오는 외국 제품과의 경쟁에서 살아남기 위해서는 제품의 질뿐 아니라 위생 비중 역시 날로 높여야 한다. 이에 본지는 국립보건원의 이강추 원장과 뉴욕제과의 김정기 사장을 초청해 개방화 시대에 우리 업계가 나아갈 방향은 무엇이며 위생 확보를 위해서는 무엇이 필요한지 알아본다.

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한국 브로일러 상품의 품질 향상을 위한 제언

  • 어형선
    • KOREAN POULTRY JOURNAL
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    • v.17 no.4 s.186
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    • pp.40-45
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    • 1985
  • 닭고기의 품질을 높여야 한다는 데는 모두 의견을 같이 한다. 정부당국에서도 도계품의 포장유통을 의무화한데 이어 5월 16일부터는 특급도계장에 한해서 타시도 반출을 허용한다고 한다. 이러한 일련의 조치들이 닭고기의 품질을 높이는데 얼마나 공헌할 것인지는 두고 보아야 하겠지만 전문가들이 지적한 품질 향상을 위한 시급한 문제들은 무엇인지 알아 본다. 이 글은 지난해 본회와 미국사료곡물협회에서 초청한 미농무성 도계검사관 어형선 박사의 보고 내용을 편집자가 요약한 것이다.

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정진호 소장의 가치관경영과 성과 ①

  • (사)한국포장협회
    • The monthly packaging world
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    • s.310
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    • pp.110-112
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    • 2019
  • 지난해 5월 (사)한국포장협회는 '제1회 포장인포럼'을 개최했다. 'Fun & Value - 직원이 행복하면 회사도 행복하다'를 주제로 열린 이날 포럼에 더밸류즈 정진호가치관경영연구소의 정진호 소장을 초청해' 직원이 일 잘하는 즐거운 일터 만들기'에 대한 이야기를 들어봤다. 참석자들의 열띤 호응에 힘입어 이번호부터 5회에 걸쳐 가치관경영은 무엇이고, 어떻게 적용할 수 있는지에 대해 살펴보도록 한다.

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ZOOM-IN - Zemax User Conference 2017 및 대학생 설계 경진대회 개최

  • 한국광학기기산업협회
    • The Optical Journal
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    • s.171
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    • pp.10-12
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    • 2017
  • (주)래디언트솔루션(대표이사 김지형)이 지난 7월 20일 서울 상암동 중소기업 DMC타워에서 국내 광학전문가들과 국내 기업체 약 80여명의 Zemax 사용자들을 초청해 'Zemax User Conference 2017'를 개최함과 동시에 'Zemax OpticStudio 대학생 설계 경진대회'를 진행했다.

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간담회 - 월간양계 창간50주년 기념

  • 대한양계협회
    • KOREAN POULTRY JOURNAL
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    • v.51 no.11
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    • pp.130-135
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    • 2019
  • 1969년 11월에 탄생한 월간양계가 이번 호로 창간 50주년(통권 601호)을 맞이했다. 지난 11일 본회 회의실에서 초기 월간양계 발간에 참여하신 월간양계 선배님들을 초청해 '월간양계 창간 50주년 기념 간담회-시대와의 만남'을 진행했다. 과거 50년의 월간양계 역사를 되짚고 앞으로 나가야 할 방향에 대해 자유롭게 토론하는 시간을 가졌다.

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The effects of oxygen on selective Si epitaxial growth using disilane ane hydrogen gas in low pressure chemical vapor deposition ($Si_2H_6$$H_2$ 가스를 이용한 LPCVD내에서의 선택적 Si 에피텍시 성장에 미치는 산소의 영향)

  • 손용훈;박성계;김상훈;이웅렬;남승의;김형준
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.11 no.1
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    • pp.16-21
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    • 2002
  • Selective epitaxial growth(SEG) of silicon were performed at low temperature under an ultraclean environment below $1000^{\circ}C$ using ultraclean $Si_2H_6$ and $H_2$ gases ambient in low pressure chemical vapor deposition(LPCVD). As a result of ultraclean processing, epitaxial Si layers with good quality were obtained for uniform and SEG wafer at temperatures range 600~$710^{\circ}C$ and an incubation period of Si deposition only on $SiO_2$ was found. Low-temperature Si selectivity deposition condition and epitaxy on Si were achieved without addition of HCl. The epitaxial layer was found to be thicker than the poly layer deposited over the oxide. Incubation period prolonged for 20~30 sec can be obtained by $O_2$addition. The surface morphologies & cross sections of the deposited films were observed with SEM, The structure of the Si films was evaluated XRD.