YBCO coated conductor is one of the most promising materials as a new generations wire especially for practical power applications. In this work, $YBa_2$$Cu_3$$O_{7}$ -$\delta$/(YBCO) coated conductors (CC) were deposited by pulsed laser deposition (PLD) from buffer layers to superconducting layer on hi-axially textured metal tape. The oxide multilayer buffered substrate of architectures of $CeO_2$/$YSZ/Y_2$$O_3$ was fabricated by PLD at steady status. Then YBCO layer was deposited on RABiTS substrate by stationary and reel-to-reel (R2R) continuous process and we compared with deposition conditions of both processes. The degree of texture of each layer was investigated using X-ray diffraction including $\theta$-2$\theta$ scans, $\omega$-scans and $\Phi$-scans analysis. Their surface morphology was observed by scanning electron microscopy (SEM). The FWHM of the X-ray $\Phi$-scans and $\Phi$-scans indicated that YBCO and buffer layers closely replicate the in-plane and out-of-plane texture of metal tape. Critical current (Ic) at 77 K, self-field of 75.8 A/cm-width, critical temperature (Tc) of 85 K, and critical current density (Ic) of 3.7 MA/$\textrm{cm}^2$ were measured from coated conductor deposited by stationary process. And coated conductor deposited by R2R continuous process had Ic of 57.5 A/cm-width, Tc of 86.5 K and Jc of 2.0 MA/$\textrm{cm}^2$. The film also exhibits a homogeneous and dense surface morphology.
[ $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ ] films have been prepared on $LaAlO_3$ (100) single-crystal substrates by the metal organic deposition using dichloroacetate precursors (DCA-MOD). DCA precursor solutions with different composition such as; Yttrium-excess(15 at%), barium-poor(25 at%), and a stoichiometric(Y:Ba:Cu=1:2:3) were prepared in order to investigate the effects of precursor composition on the properties of YBCO films prepared by DCA-MOD method. Coated films were calcined at low temperature up to $500^{\circ}C$ in flowing humid oxygen atmosphere. Conversion heat treatment was performed $800^{\circ}C$ for 2 h in flowing Ar gas containing 1000 ppm oxygen with a humidity of 9.45%. For the film prepared using excess yttrium composition, high critical current density ($J_c$) of $>2MA/cm^2$ was obtained whereas, for the films prepared using barium-poor composition, $J_c$ was lower than $1MA/cm^2$.
다층의 산화물 박막으로 이루어진 coated conductor의 제조를 위하여 각층의 증착조건이 최적화되어야 한다. 가공/열처리를 통하여 2축배향성을 가지는 Ni 금속 기판위에 $Y_2O_3$, YSZ, $CeO_2$ 등의 산화물 완충층을 증착한 후 초전도층인 YBCO를 증착하였다. 12도와 8도의 in-plane fwhm (full width at half maximum)과 out-of-plane fwhm을 가지는 Ni 기판을 이용하여 13도와 4.5도의 in-plane 및 out-of-plane fwhm을 가지는 YBCO coated conductor를 제조하였다. 임계온도 (Tc), 임계전류 (Ic), 및 임계전류밀도 (Jc) 는 각각 84K, 3.3A, 및 $310,000\;A/cm^2$ 이었다.
Y123 films have been deposited on $LaAlO_3$ (100) single-crystal and IBAD substrates by spray pyrolysis method using nitrate precursors. Ultrasonic atomization was adopted to decrease the droplet size, spraying angle and its moving velocity toward substrate for introducing the preheating tube furnace in appropriate location. A small preheating tube furnace was installed between spraying nozzle and substrate for fast drying and enhanced decomposition of precursors. C-axis oriented films were obtained on both LAO and IBAD substrates at deposition temperature of around $710{\sim}750^{\circ}C$ and working pressures of 10~15 torr. Thick c-axis epitaxial film with the thickness of $0.3{\sim}0.6\;{\mu}m$ was obtained on LAO single-crystal by 10 min deposition. But the XRD results of the film deposited on IBAD template at same deposition condition showed that the buffer layers of the IBAD metal substrate was affected by long residence of metal substrate at high temperature for YBCO deposition.
Kim, Ho-Jin;Joo, Jin-Ho;Jung, Choong-Hwan;Lee, Hee-Gyoun;Hong, Gye-Won
Progress in Superconductivity
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제3권1호
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pp.120-124
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2001
To establish the deposition condition of YBCO thin film on MgO single crystal substrates, processing parameters of deposition temperature, chemical composition and oxygen partial pressure were controlled. When using a Ba-deficient composition of YB $a_{1.8}$$Cu_3$$O_{x}$, non-superconducting phase like CuO, $CuYO_2$ were formed, but BaCu02 was formed together with Yl23 phase when the starting composition was Ba-rich ($YBa_{2.3}$$Cu_3$$O_{x}$). The epitaxially grown Yl23 phase was formed at 760-$810^{\circ}C$ and $P_{O2}$=0.29-0.91 Torr.r.r.r.
YB $a_2$C $u_3$$O_{7-x}$ (YBCO) films were deposited on (100) SrTi $O_3$ single crystal substrates by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) system of hot-wall type using single liquid source. Under the condition of the mole ratio of Y(tmhd)$_3$:Ba(tmhd)$_2$:Cu(tmhd)$_2$= 1:2.1:2.9. the deposition pressure of 10 Torr. the MO source line speed of 15 cm/min. the Ar/ $O_2$ flow rate of 800/800 sccm. YBCO films were prepared at the deposition temperatures of 780∼89$0^{\circ}C$. In case of the YBCO films with 2.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness deposited for 6 minutes at 86$0^{\circ}C$. XRD pattern showed complete c-axis growth and SEM morphology showed dense and crack-free surface. The atomic ratios of Ba/Y and Cu/Ba in the film were 1.92 and 1.56. respectively. The deposition rate of the film was as high as 0.37 ${\mu}{\textrm}{m}$/min. The critical temperature ( $T_{c.zero}$) of the film was 87K. The critical current of the film was 104 A/cm-width. and the critical current density was 0.47 MA/$\textrm{cm}^2$. For the thinner film of 1.3 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness. the critical current density of 0.62 MA/$\textrm{cm}^2$ was obtained.d.
We fabricated a resistive superconducting fault current limiter (SFCL) of a meander type based on a YBCO film with the meander cross section of 5 $\times$$10^{-6}$$cm^2$, and performed current limitation experiments. The film was coated quench current was 9.6 Apeak at 60 Hz, and the fast quench time was 0.63 msec. The resistance of the limiter continuously increased for three cycles dut to the temperature rise in the gold layer. The temperature of the current limiting element reached the room temperature in 11 msec, $150^{\circ}C$ in 54 msec after quench, and was saturated afterwards. For $45^{\circ}$and $90^{\circ}$faults the fast quench times were 0.56 msec and 0.26 msec, respectively. The quench time is believed to be reduced because the fault occurred when the current was either increasing or at the peak value. This limiter effectively limited the fault current to about 1/5 of the potential current with no SFCL right after the fault and to about 1/8.5 in three cycles. We confirmed that the gold layer effectively carried out the role of heat dissipation as the SFCL was quenched.
SrTiO3(100) 단결정을 3keV 아르곤이온으로 에칭하면 표면원소의 산화 상태가 환원되고 표면의 거칠기가 증가하는 것이 XPS와 SEM으로 측정되었다. 그러나 3keV의 산소이온으로 에칭하면 표면원소 의 화학적 상태도 변하지 않고 표면도 평탄한 상태로 계속 유지된다. 산소 이온에 의하여 에칭된 SrTiO3 기판상에 off-axis rf 스퍼트링 방법으로 성장된 YBa2Cu3Ox 박막이 아르곤 이온에 의하여 에칭 된 SrTiO3 기판상에 성장된 YBa2Cu3Ox 박막보다 높은 Tc,zero and Jc를 보여주었다. 이논문은 YBCO초전 도 박막의 성장과 전자공학적 활용을 위한 리토그라피 공정에서 이온밀링 공정의 조건은 매우 주의하여 선택되어야 함을 보여준다.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.129-132
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1999
A new single solution source MOCVD technique for the deposition of YBCO film has been developed, using a ultrasonic atomizer to feed the precursors into an evaporation zone. This method being investigated as a basis for future long wire fabrication, for example the electric power use, the magnatic applications, etc.. YBCO films were prepared on MgO(100) substrate, using mixture of Y, Ba, and Cu ${\beta}$ -diketonate chelate was dissolve in tetrahydrofuran as a solution sources. X-ray diffraction measurement indicated that the thin film grew epitaxially with the c-axis orientation perpandicular to the surface of the surface.
YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$(YBCO) high temperature superconducting thin films were grown on SrTiO$_3$single crystal substrates by pulsed laser deposition(PLD). The texture and lattice parameter of the YBCO films were analysed using the GADDS (general area detector diffraction system) which enables XRD analyses to be done faster and with fewer sample movement than with the XRD system with point detector. The XRD results of the films grown in different deposition conditions are reported together with the SEM microstructure analysis results.ysis results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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