본 연구에서는 100GHz 이상의 높은 주파수에서 발진하는 초고주파 발생장치의 연구를 하였다. 전자파를 이용한 발진장치에서 대구경 후진파에 입사하는 전자빔의 크기와 상태를 좋게 하여 동작특성을 증진시키는 실험을 하여 그에 따른 변화 및 결과를 조사하였다. 출력의 증대와 방사할 때의 크기 및 그에 따른 주파수 교정, 그리고 마이크로파의 발진모드 특성을 분석하였다. 이는 주기의 크기에 따른 발진 주파수와의 관계를 분석하였으며 자기장의 변화 등 여러 가지 형태의 조건에 따른 결과를 나타내었다.
Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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2011.07a
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pp.524-527
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2011
본 논문에서는 웨이블릿 기저를 적용하여 영상을 주파수 대역이 각각 다른 영상으로 분리하고 이들과 원본 영상을 조합 후 웨이블릿 역변환을 적용하여 고해상도의 영상을 획득하는 초고해상도 기법을 제안한다. 기존의 단일 영상을 이용한 초고해상도 기법의 경우 영상에서의 고주파 대역을 찾기 위해 확률 기반의 여러 다양한 방법이 제시되었으나 연산 복잡도 증가로 인해 처리시간 증가 등의 문제가 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 웨이블릿 기저 함수를 이용한 다양한 초고해상도 기법이 제안되었다. 본 논문에서는 주어진 영상 내에서 웨이블릿 기저 함수를 이용하여 주파수 대역 별로 영상을 먼저 생성하고, 원본 영상과 주파수 대역 별로 분리된 영상을 조합한 후 웨이블릿 역변환을 적용하여 해상도를 증가시키는 새로운 기법을 제안한다. 실험을 통해 제안하는 웨이블릿 기반의 초고해상도 기법이 기존의 해상도 향상을 위한 다양한 보간법에 비해 향상된 효율을 보이는 것을 확인하였다.
본 고에서는 HEMT를 사용하여 제작할 수 있는 여러가지 초고주파 소자들에 대하여 간락하게 나마 알아보았다. 고속 전자 이동 트랜지스터의 전위 우물이 가진 특성으로 인한 2차원 전자 개스(2DEG)의 이동을 이용한 고속소자의 사용은 정보의 보다 빠른 전달을 가져다 주었고 현재의 데이터 처리요구에 부응하고 있다. 최근 선진국의 초고주파 기술동향으로 볼때 HEMT의 구조와 동작에 관한 연구가 활발히 이루어 지고 있는 실정이며 그에 따른 초고주파 집적회로의 주파수 동작영역이 계속 넓어지고 있다. 하지만 현재 우리나라의 초고주파수에 대한 관심은 실로 놀라울 만큼 급부상하고는 있다고는 하나 그 초고주파대역에 사용되는 소자는 거의 선진국으로부터 전량에 가까운 정도로 수입에 의존하고 있는 실정이다. HEMT는 FET에 대한 응용소자로서 개발의 여지가 충분한만큼 관심을 가질 필요가 있다. 실제로 HEMT가 상업적으로 많이 이용되고 있는 분야는 저잡음 특성이 강하기 때문에 저잡음 증폭기용 소자로 사용되고 있고 제작시에 도핑되는 층의 배열을 변형하거나 첨가하여 소자내의 2차원 전자개스 층을 확장하여 어둑 빠른 소자 개발도 현재 이루어지고 있는 실정이다. 점점 더 증가하는 초고속 통신 시스템의 요구와 초고주파와 밀리미터파의 이용은 고속전자이동 트랜지스터의 미래를 밝게 해줄것이다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.8
no.2
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pp.484-493
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2004
A new lightwave locking technique which can be used in tuning the wavelength of a local laser diode to the reference wavelength is presented in this paper. The optical frequency from the reference laser source and the optical frequency from the local slave VCO laser are heterodyned on a optical receiver, resulting in the 1.5GHz RF signal corresponding to the difference frequency between two input optical signals. The difference frequency is locked to the reference 1.5GHz oscillator source in off-set frequency locking loop. Using the commercialized microwave components, frequency difference detector can be easily established to lock the lightwave. The optical frequency of 1.55um laser diode which keeps the frequency off-set of 1.5GHz is locked to the input reference optical signal with the locking range of 320MHz.
We present a 12.5-GHz interleaved bidirectional ultra-dense wavelength-division-multiplexing transmission over a conventional single mode fiber of 80 km achieving spectral efficiency as high as 0.8-bit/s/Hz. The beat-frequency-locking method is used to stabilize the channel frequency within $\pm$200 MHz error. To facilitate the identification of multiple beat frequency signals, we use a radio-frequency spectrum analyzer. The bidirectional transmission penalty is about 0.3 dB compared with the unidirectional transmission over the same fiber.
본고에서는 (1) 대전력장거리송전계통의 안정도향상 문제, (2) 기간송전계통의 단락전력압제 문제, (3) 대전력장거리송전계통의 계통전압과 주파수의 유지 문제, (4) 사고파급에 의한 광범위대정전의 방지 문제의 문제들에 대하여 초고압계통의 운용에 경험이 있는 외국의 전력계통운용방안들을 참고로하여 그의 개요를 기술코자 한다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2010.05a
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pp.512-515
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2010
SIGINT(SIGnal INTelligence) includes several parameters intercepted by measurement and analysis of the RF(Radio frequency) signal from free space. One of the important parameters is frequency information. Expecially, in order to perform instantaneous frequency measurement of Radar and Missile seeker's RF signals, we use dedicated RF modules as a DFD(Digital Frequency Discriminator) to provide frequency information by measurement of the relative phase difference between signals via intended RF delay lines. It must measure and provide realtime based frequency information on short pulsed RF signal up to 100 nSec or less. This document proposes Ultra wideband DFD consisted of a RF input section of Wideband 4 channel RF delay line and correlator, a digital processing section to measure and provide frequency information from I/Q signal, and a frequency calibration section. Also, it will show design suitability based on test results measured under test condition of very short input pulse signals.
Kim, Jin-Tae;Lee, Jun-Ha;Lee, Kang-Ho;Choi, Jong-Ho
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.15
no.12
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pp.175-180
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2010
In this paper, we have investigated ultrahigh frequency nano-mechanical resonators, made of DWCNTs with various wall lengths, via classical molecular dynamics simulations. We have aimed our analysis on the frequency variations of these resonators with the DWCNT wall lengths. The results show that the variations can be well fitted by either the Pearson VII function when the resonant frequency of normalized by its maximum frequency is plotted as a function of the inner/outer wall length ratio L5/L10 for different values of the outer wall length L10, and the Gauss distribution function when the resonant frequency of normalized by its maximum frequency is plotted as a function of the outer/inner wall length ratio for different values of the inner wall length.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.30
no.5
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pp.437-443
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2010
In recent years, as nano scale structured thin film technology has emerged in various fields such as the materials, biomedical and acoustic sciences, the quantitative nondestructive adhesion evaluation of thin film interfaces using ultra high frequency scanning acoustic microscopy(SAM) has become an important issue in terms of the longevity and durability of thin film devices. In this study, an effective technique for investigating the interfaces of nano scale structured thin film systems is described, based on the focusing of ultrasonic waves, the generation of leaky surface acoustic waves(LSAWs), V(z) curve simulation and ultra high frequency acoustical imaging_ Computer simulations of the V(z) curve were performed to estimate the sensitivity of detection of micro flaws(i.e., delamination) in a thin film system. Finally, experiments were conducted to confirm that a SAM system operating at a frequency of 1 GHz can be useful to visualize the micro flaws in nano structured thin film systems.
The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.2
no.2
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pp.3-10
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1991
The new structure method of GaAs microwave amplifiers using DC block function and impedance transforming property of DC block/transformer(non-symmetrical two - microstrip coupled line and interdigital three - microstrip coupled line), instead of chip capacitor, is presented. The newly structured microwave amplifier showed wideband characteristics(bandwidth, 3.5 GHz) and flat frequency response. Interdigital three - microstrip coupled line which is used for microwave amplifier can be used to match amplifiers as well as DC blocking.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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