본 논문에서는 반도체 소자 제조 기술의 발전을 위하여 극 저 에너지 붕소(B),인(P), 및 비소(As) 이온 주입시 발생되는 채널링 현상이 초미세 접합깊이 형성에 미치는 영향에 관한여 개선된 MDRANGE 시뮬레이션 결과를 통하여 보여주고 있다. 본 연구에서 시뮬레이션된 5keV 이하의 에너지에서 조차도 이온 채널링 현상은 불순물의 농도 분포에 중요한 영향을 미치게 되는 것을 알 수 있었다. 붕소의 경우 500eV 이상의 에너지에서, 인의 경우 2 keV 이상의 에너지에서, 그리고 비소의 경우 대략 4 keV 이상의 에너지에서 채널링 현상이 불순물 분포에 크게 영향을 미치는 것으로 예측되었다. 또한 1 keV 붕소, 2 keV 인, 그리고 5keV 비소 이온 주입 에너지에서 경사도 7°인 경우와 경사도 0°인 경우의 2차원적인 농도분포를 통하여 채널링 현상이 측면 방향보다는 깊이 방향으로 대부분 발생되는 것을 볼 수 있었다.
Fig. 1에서 보는 바와 같이 수 MeV의 에너지를 가진 입사이온이 고체 시료표면과 충돌했을 때 여러 가지의 상호작용과 과정들이 일어난다. 입사 아온이 표적원자의 원자가전자나 내각전자와 상호작용을 하였을 때 원자를 여기시키거나 이온화시키게 되며 입사 이온이 표적 핵과 매우 가까이 접근했을 때 입사이온과 표적 핵사이에 쿨롱상호작용이나 핵 상호작용이 일어나게 된다. 이러한 여러가지 상호작용의 결과들로부터 분석하고자 하는 시료의 성분, 구조, 상호작용 과정에 대한 정보를 얻을 수 있다. 이러한 고에너지 이온선을 이용한 분석기술로는 Fig. 1에서 보는 바와 같이 후방산란법(BS : Backscattering Spectrometry), 전방산란법(FRS : Forward Recoil Spectrometry), 핵반응법(NRA : Nuclear Reaction Analysis), 양성자여기X선검출법(PIXE : Proton Induced X-ray Emission)등과 이러한 방법들과 같이 조합하여 사용하는 이온 채널링(ion channeling)등이 있다. 본 해설에서는 이러한 분석법중에서도 널리 사용되고 있는 후방산란법과 이온 채널링에 대하여 주로 기술하고자 한다.
현재의 소프트웨어 개발 환경과 네트워킹 기술의 발전은 엔터프라이즈 소프트웨어 개발 등에서 소프트웨어 위기론과 함께, 객체 지향식 개발 방법의 한계를 드러냈으며 , 이에 새로운 소프트웨어 개발론인 CBD(Component Based Development 컴포넌트 기반개발)기술이 전 세계적으로 빠르게 확산되고 있다. 특히 네트워크 기반의 EJB에서의 컴포넌트형 소프트웨어 개발이 활발히 이루어지고 있다. EJB로 만들어진 소프트웨어는 뛰어난 확장성과 트랜잭션을 보장하며, 멀티유저 환경에서도 그 보안성을 인정받고 있다. 최근에는 실시간으로 이루어지는 인터넷 및 인트라넷에서 EJB의 런타임 유지의 중요성이 부각되고 있지만 런타임을 유지하는 동안 컴포넌트의 동적 업데이트, 수정, 및 삭제에 대한 지원이 미미한 상태이다 SOFA/DCUP는 SOFA(Software Appliances)형의 아키텍처를 활용한 DCUP(Dynamic Component Updating). 즉 동적업데이팅이 이루어지는 구조이다 동적업데이트를 할 수는 강력한 장점이 있지만, 이런 구조는 항상 SOFA형의 컴포넌트만 가능하기 때문에, 이종의 컴포넌트를 조립하는데 있어서 무리가 있으며, EJB구조에 직접적인 적용에 어려움이 존재한다. 이에 대해 본 논문은 채널을 이용하여, SOFA/DCUP기반의 컴포넌트 조립 방법을 EJB에서 런타임시에도 컴포넌트의 동적 업데이트, 수정 및 삭제가 가능하도록 연구하였으며. 이종의 컴포넌트 역시 좀더 용이하게 조립할 수 있게 되었다.
Focused Ion Beam (FIB) has been used for site-specific TEM sample preparation and small scale fabrication. Moreover, analysis on the surface microstructure and phase distribution is possible by ion channeling contrast of FIB with high resolution. This paper describes FIB applications and deformed surface structure induced by sliding. The effect of FIB process on the surface damage was explored as well. The sliding experiments were conducted using high purity aluminum and OFHC(Oxygen-Free High Conductivity) copper. The counterpart material was steel. Pin-on-disk, Rotational Barrel Gas Gun and Explosively Driven Friction Tester were used for the sliding experiments in order to investigate the velocity effect on the microstructural change. From the FIB analysis, it is revealed that ion channeling contrast of FIB has better resolution than SEM and the tribolayer is composed of nanocrystalline structures. And the thickness of tribolayer was constant regardless of sliding velocities.
본 논문은 지니 네트웍 프로토콜을 TCP/IP 기반에서 IEEE 1394로 확장하여 IEEE 1394와 TCP/IP를 동시에 지원하는 홈 네트웍에서의 지니 룩업 서비스 구조 및 방법에 관한 것으로, IEEE 1394 프로토콜 기반 서비스와 TCP 기반 서비스 사이의 상호 연동을 제공할 수 있는 구조를 제공하기 위해 기존의 지니 시스템의 룩업 서비스를 확장하여 홈 엔터테인먼트 네트웍을 쉽게 구성할 수 있도록 한다. 즉, 본 논문에서는 자바 기반 네트웍 미들웨어 구조에 IEEE 1394 네트웍과 TCP/IP 네트웍간 채널링을 수행하는 SLCH를 구현하여 IEEE 1394와 TCP/IP 프로토콜을 모두 지원 가능하도록 함으로써, TCP/IP와 IEEE 1394 사이의 정보 교환을 위해 큐 메카니즘을 사용하여 IEEE 1394 기기도 지니 네트웍에 손쉽게 연결되도록 함으로서, 서로 다른 종류의 네트웍을 지원하는 클라이언트나 서비스 제공자사이의 서비스 이용이 가능하게 되는 이점이 있다.
IEEE1394 를 하부 프로토콜로 사용하는 HAVi 는 TCP/IP 를 기반으로 하는 Jini 보다 멀티미디어 데이터의 전송에 효과적이다. HAVi 는 IEEE1394 를 기반으로 하는 네트웍에 적용될 수 있으며, 이들 기기간의 메시지 전송과 스트리밍 자원 관리, 네트웍 관리, 이벤트 관리등을 수행할 수 있도록 제안된 홈 네트웍 미들웨어이다. 반면, Jini 는 TCP/IP 기반의 분산 컴퓨팅 기술로 동적으로 네트웍에 연결된 서비스에 대해 검색하여 제공하는 서비스를 언제 어디서나 받을 수 있도록 하는 기술이다. Jini 는 자바기술에 기반을 둠으로써, 플랫폼 독립적인 특성과 코드의 이동성이 보장되며 데이터 기반의 분산 홈 네트웍 기술에 적용되어 연구되고 있다. 디지털 홈 미들웨어에서 서로 적용 분야와 네트웍 미디어가 다른 HAVi 와 Jini 사이에 스트리밍 데이터의 교환을 위해 본 논문에서는 Jini Lookup Source 에서 IEEE1394 와 TCP/IP 간의 스트리밍 서비스의 효과적인 연결을 위한 채널링 기법을 제안한다.
Retrograde well is a new process for ULSI fabrication. High energy ion implantation has been used for retrograde well formation. In this paper the forming condition for retrograde well using high energy ion implantation is compared with that for conventional well. TW signals for retrograde p-,n-well($900^{\circ}C$),after annealing are similar trends to those of conventional ones($1150^{\circ}C$), however the signals for RTA have the highest value because of small thermal budget. Junction depths of retrograde well are varied from about 1.2 to $3.0\{mu}m$ as for conventional well. The peak concentrations of retrograde well, however, are about 10 times higher in values than those of conventional ones so that they can be used as any types of potential barriers or gettering sites. The critical dose for phosphorus implantation in our experiments is between $3\times10^{13} and 1\times10^{14}/cm^2$. Under the above critical dose, there are many secondary defects near projected range such as dislocation lines and dislocation loops.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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