• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.326-326
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• 2008

갈륨 질화물 (GaN) 기반의 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 최근 디스플레이, 교동신호등, 휴대폰용 키패드의 광원 등에 널리 사용되는 전자소자로, 차세대 조명용 광원으로도 각광받고 있다. 일반적인 수평 구조의 LED에 비해 수직형 구조 LED 는 발광면이 n-GaN 표면 전체이며, 전류 확산 특성이 매우 뛰어남으로 인해 차세대 구조라고 표현되어 진다. 이런 구조에서 활성층 영역에서의 균일한 전류 분포는 전류밀집 현상을 억제하여 결과적으로 광학적 특성을 향상시킨다. 따라서 현재까지도 전류확산에 따른 발광다이오드의 성능향상에 대한 연구가 다각도로 이루어지고 있다. 본 연구에서는 수직형 GaN LED 의 전극 패턴에 따른 활성층 영역에서의 전류밀도 분포에 대해 조사하였다. 전극 패턴의 크기 및 구조 변화에 따른 활성층 영역에서의 전류분포도를 삼차원 회로 모델을 이용하여 분석하였다. 또한 활성층 영역으로 주입되는 전류 밀도의 크기가 내부양자효율에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 활성층 영역에서의 균일한 전류밀도 분포를 갖는 전극구조를 설계하였으며, 각각의 전극구조를 적용한 수직형 GaN LED의 전기/광학적 특성에 대해 전산모사 하였다. 최종적으로, n-GaN 위 전극의 크기 및 구조 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 토대로, 균일한 전류분포 및 내부 양자효율 향상을 위한 전극패턴 설계 방침을 제안한다.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.18 no.6
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• pp.533-540
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• 2014

We propose an age estimation-based smart digital signage for the next-generation airport service. The proposed system can recognize the face of the customer so that it can display the selective information. Using a webcam, the system captures the face of the customer and estimates the age of the customer by calculating the wrinkle density of the face and applying bayesian classifier. The developed age estimation method is tested with a face database for the performance evaluation. We expect the new digital signage may improve the satisfaction of customers of the airport business.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.456-456
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• 2011

최근 차세대 디스플레이, 터치스크린, 전자파 차폐 및 흡수 등의 다양한 응용분야에 적합한 소재를 개발하기 위한 연구가 진행되고 있다. 현재 주로 사용되는 ITO박막은 희소원소인 인듐의 매장량 한계와 높은 비용이 문제시 되고 있기 때문에, 대체 재료의 개발이 시급하게 요구되고 있다. 탄소나노튜브(CNT)는 금속을 능가하는 이론적인 전기전도도를 갖고 있으며 높은 탄성등의 우수한 기계적 성질을 갖고 있어 다양한 차세대 응용에 있어서 최적의 재료로 주목을 받고 있다. 특히, CNT 기반의 투명전도막은 기존의 ITO 박막 보다 우수한 유연성이 기대되어 더욱 기대를 모으고 있다. 본 연구에서는, 최종 고순도 재료를 얻기까지 합성 및 정제에 많은 공정과 시간이 요구되는 고가의 단층벽 나노튜브(SWNT)를 이용하지 않고, 웨이퍼 기판 위에 수직배향 합성한 상태의 다층벽 나노튜브(MWNT)를 별도의 정제과정 없이 초음파 분산한 뒤, 스프레이 코팅법을 이용하여 고분자 기판 위에 투명전도막을 제작하였고, 이때 각기 다른 길이의 수직배향 MWNT를 이용하여 유연성 투명전도막의 전기적 특성에 미치는 MWNT 길이의 영향에 대해 알아보았다. MWNT는 아세틸렌가스를 이용하여 열CVD법으로 합성하였고, 합성시간을 제어함으로써 길이가 다른 MWNT를 얻을 수 있었다. 투명전도막 제조공정의 단순화를 위하여 이용한 MWNT의 초음파 분산 결과, $500{\mu}m$ 이하 길이의 MWNT에서 분산성이 현저히 빨라지는 것을 확인하였다. 한편, 제작한 MWNT 기반의 유연성 투명전도막은 원자간힘현미경 및 면저항 측정기를 이용하여 막 두께에 따른 면저항 특성을 조사하였다. 그 결과 응용 가능한 면저항을 갖는 MWNT 투명전도막의 두께는 최소 50 nm 이상이어야 함을 알았고, 특히 MWNT등의 접촉점(node) 수에 따른 접촉저항 및 전기전도경로(electric conductivity path)를 고려했을 때 최적의 MWNT 길이가 존재하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.79-79
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• 2010

최근, 차세대 디스플레이, 터치스크린, 전자파 차폐 및 흡수 등의 분야에 응용하기 위해서 현재 주로 사용되고 있는 ITO박막을 대체하기 위한 연구가 활발하게 진행 되고 있다. ITO 박막은 희소원소인 인듐에서 기인하는 높은 비용뿐만 아니라 매장량도 한계가 있어 대체 재료의 개발이 시급하게 요구되고 있다. 더구나, 다양한 차세대 응용에 있어서는 투명전도성 뿐만 아니라 휠 수 있는 유연성까지 요구되어 ITO박막을 대체할 새로운 투명전도성 유연 박막의 개발에 관한 연구들이 활발히 이루어지고 있다. 탄소나노튜브(CNT)는 금속을 능가하는 이론적인 전기전도도를 갖고 있으며, 높은 탄성등의 우수한 기계적 성질을 갖고 있어, 전도성 확보 및 유연성 구현이라는 투명전도성 플렉서블 박막소재에 요구되는 사항들을 충족시킬 뿐만 아니라, 최근의 대량 합성법등의 개발로 저가에 공급할 수 있다는 장점들이 있어 ITO대체 재료로서 주목을 받고 있다. 그러나, CNT는 튜브 사이에 강한 반데르발스 인력을 가지고 있어 용매 중에 분산하는데 많은 어려움이 있으며, 액상 분산과정을 통한 CNT기반의 플렉서블 박막 제작에 있어서 큰 과제로 남아있다. 본 연구에서는 플라즈마 기능화 처리를 통하여 CNT에 친수성을 부여하였고, 초음파 처리를 통하여 에탄올 중에 CNT를 균일하게 분산한 후, 스프레이 분사법을 이용해 투명 유연기판인 PET고분자 필름위에 균일 박막을 제작하였다. CNT는 아세틸렌 가스를 이용한 열화학증기증착법으로 1mm 이상의 길이를 갖는 수직배향 CNT를 합성하였으며, 이를 아르곤 및 암모니아 플라즈마로 기능화 처리를 실시하였다. 플라즈마 처리를 통해 기능화 된 탄소나노튜브는 플라즈마 처리되지 않은 탄소나노튜브와 분산 속도에서 현저한 차이를 보였다. 제작한 CNT 기반의 투명전도성 유연박막들은 막두께에 따른 전도도 및 투광도의 관계를 조사하였고, 기판에 분사된 CNT 박막의 표면 특성은 AFM, Raman, 접촉각 실험 등을 통하여 분석하였다.

• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 2007.02a
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• pp.16-24
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• 2007

모바일 폰은 최근 관심의 대상이 되고 있는 사용자 제작 컨텐츠 (User-Created Content: UCC)의 생산과 공유를 위한 중요한 수단이다. 또한 HSDPA나 4G와 같은 차세대 이동통신 기술은Flickr나 YouTube 등의 웹 사이트에서 제공되고 있는 UCC 서비스가 모바일 폰을 통해서도 더욱 활발히 이용될 수 있는 가능성을 제시하고 있다. 그러나 모바일 폰이 가지고 있는 작은 화면 크기와 불편한 입력 장치라는 기본적인 한계는 모바일 UCC 서비스의 성공에 큰 장애 요인으로 작용할 수 있다. 따라서 본 연구는 정보 구조 (Information Structure) 및 정보 시각화 (Information Visualization)와 관련된 기존 이론 및 연구들을 기반으로 4가지 다른 모바일 폰 인터페이스들을 개발하고, 사용자들의 모바일 폰을 통한 탐색적 UCC 서비스 사용을 지원하는데 어떠한 인터페이스가 더 적합한지 실험 방법론을 통해 검증하는 것을 기본 목적으로 한다. 본 연구를 위하여 개발된 인터페이스들은 컨텐츠 구조의 관점에서 폴더 기반 계층 구조 (Folder-Based Hierarchical Structure)이나 태그 기반 네트워크 구조 (Tag-Based Network Structure)를 가지고 있으며, 컨텐츠 시각화의 관점에서는 고정 버튼 (Fixed Buttons)이나 멀티 디스플레이 버튼 (Multi-Display Buttons)를 가지고 있다. 66명의 실험 참가자들을 대상으로 한 실험 결과, 사용자들은 탐험 지향적 탐색 과업 (Exploratory Browsing)에서 태그 기반 네트워크 구조 또는 멀티 디스플레이 버튼이 제공된 모바일 인터페이스에 대하여 상대적으로 더 높은 유용성, 즐거움, 만족도, 향후 사용의도 등을 나타내었다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.41 no.6
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• pp.525-532
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• 2017

The development of an inkjet-based manufacturing machine for the production of next-generation displays using organic and quantum-dot light emitting diodes at a low cost has been conducted. To employ inkjet printing in production lines of displays, the development of a high-speed inkjet-monitoring device to verify the reliable droplet jetting status from multiple nozzles is required. In this study, an inkjet monitoring device using a rotatable mirror with rotary and linear ultrasonic motors is developed in place of a conventional, linear reciprocating, motion-based inkjet monitoring device. Its performance is also demonstrated. The measurements of circular patterns with diameters of $10{\mu}m$, $30{\mu}m$, and $50{\mu}m$ are performed with the accuracies of $0.5{\pm}1.0{\mu}m$, $-1.2{\pm}0.3{\mu}m$, and $0.2{\pm}0.5{\mu}m$, respectively, within 17 sec. By optimizing the control program, the takt time can be reduced to as short as 8.6 sec.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.485-485
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• 2012

유기발광소자는 고휘도, 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 높은 색재현성, 좋은 유연성의 소자특성 때문에 디스플레이 제품에 많이 응용되고 연구가 활발하게 진행되고 있다. 최근에 저소비전력, 고휘도, 소형화 및 장수명의 장점을 가진 유기발광소자의 상용화가 진행되면서 차세대 디스플레이소자로서 관심을 끌게 되었다. 고분자 유기발광소자는 저분자 유기발광소자에 비해 용액 공정법으로 박막을 형성할 수 있어 제조 비용이 적게 들며 대면적 디스플레이를 제작하는데 유리하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 고분자 유기발광소자에서 저전력 소자를 위한 저전압 구동 및 전력 효율을 향상시키기 위한 연구는 대단히 중요하다. 본 연구에서는 고분자 유기발광소자의 구동 전압을 낮추기 위해서 그래핀 정공 주입층을 삽입한 고분자 유기발광소자를 화학적 진공 증착법과 용액 공정을 사용하여 제작하였다. 그래핀 정공 주입층을 삽입한 고분자 유기발광소자는 Indium-tin-oxide(ITO) 투명 전극/그래핀 정공주입층/poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT: PSS)/poly[2-methoxy, 5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylenevinylene] (MEH-PPV) 층/lithium quinolate (Liq)/aluminium (Al) 전극의 구조를 가진다. 그래핀 정공주입층을 삽입한 고분자 유기발광소자에서 향상된 정공 주입능력을 통해 구동전압을 낮아지는 현상을 분석하기 위해서 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 그래핀 정공주입층의 광학적 특성을 분석하기 위해서 빛의 투과도 측정을 한 결과 90% 이상의 값을 얻었다. 그래핀 정공 주입층이 소자에 미치는 영향을 조사하기 위하여 ITO/PEDOT:PSS소자와 ITO/그래핀 층/PEDOT:PSS 소자를 각각 제작하여 원자힘 현미경 측정을 하였다. 그래핀박막층을 삽입할 경우, 그래핀박막층을 삽입하지 않았을 때보다 표면 거칠기가 감소하는 것을 알 수 있었다. 이는 산성을 띠는 PEDOT:PSS 용액이 ITO 투명 전극을 손상시키는 것을 방지하고, 표면 거칠기를 감소시켜 누설 전류를 낮출 수 있다는 사실을 보여준다. 또한, 그래핀 박막은 높은 전기 전도도를 가지기 때문에 그래핀 정공주입층을 삽입하였을 때, 높은 전류 밀도 및 발광 휘도와 더 낮은 구동 전압을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 ITO와 PEDOT:PSS의 계면에서의 전공의 주입 능력을 그래핀박막층이 향상시켜 저전압, 고효율 소자를 제작할 수 있다는 것을 보여준다.

• Journal of Navigation and Port Research
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• v.35 no.6
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• pp.463-467
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• 2011

As the increasing of requirement for safety navigation, IMO has enforced the mandatory installation of vessel AIS equipment by SOLAS regulation. The AIS transceiver broadcasts various vessel information which can be gathered by the receivers on-board or on-shore. And, recently, as web-based application developments on various devices have been increased, there are more and more requirements of AIS information presentation on internet. To meet these web-based application requirements, this paper shows the practical implementation of the AIS display system, which is on the Google maps as online commercial map and adopts the HTML5 as a web standard.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.18 no.1
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• pp.129-135
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• 2019

4M D램 공동연구 개발사업(1986.10~89.03)은 당시 미 일의 강력한 기술보호주의를 극복하기 위한 자구책으로 시작되었다. 국내 반도체업계는 선진국의 높은 기술장벽 및 기술보호주의를 극복하고, 강력한 경쟁력확보 및 기술축적을 위해 정부에 건의하였다. 이에 정부는 적극적인 자금지원을 통해 4M D램 개발 및 주변기술 개발을 목표로 초고집적반도체기술공동개발사업을 수행하게 되었다. 본 공동R&D사업은 ETRI의 주관으로 당시 금성반도체, 삼성전자, 현대전자산업 등의 반도체 업체와 학계가 참여하였고, 1986년 10월부터 1989년 3월까지 3단계에 걸쳐 수행되었다. 공동연구의 목적은 설계, 공정, 조립, 검사 등 4M D램 제조와 관련되는 기본기술개발과 함께 $0.8{\mu}m$ 선폭의 4M D램을 개발하는 것이며, 이를 위해 단계별 목표를 설정하고 관민연의 혼연일치로 추진되었다. 1차년에는 중요 핵심기술개발, 2차년에는 $0.8{\mu}m$ 4M D램 Working-die개발, 3차년에는 수율 20%의 $0.8{\mu}m$ 4M D램 양산시 제품을 목표대로 완료하였다. 각 연구단계별로 주요 핵심기술에 대한 연구평가가 실시되었으며, 관련기술에 대한 중복투자 방지를 위해 2차년도부터 분담연구가 수행되었고, 상호 기술공유를 위한 기술교류회가 활발히 이루어졌다. 또한 R&D수행을 통해 4M D램 Working-die를 2차년도 중반에 개발완료하였으며, 3차년도에는 4M D램의 20% 수율확보와 공정기술의 최적화 및 DB 구축을 수행했다. 공동R&D 방식에서도 기업간 경쟁체제 도입에 입각하여 동기유발 형태로 진행되었다. 정부는 자금적 지원으로 기업간의 경쟁 심리를 자극하는 전략을 추진했다. 선두기업인 삼성에게는 선행적 개발 지위에 비례하여 더 많은 지원을 부여하는 대신에, 삼성의 기술성과를 다른 기업에게로 확산시킴으로써 반도체 3사 전체의 기술능력을 향상시키는 전략을 추진했다. 본 사업이 성공적으로 수행되어 반도체 제품의 세계시장 점유율제고, 국제수지 개선, 반도체 핵심기술 조기확보뿐만 아니라 16M D램급 이상 차세대 반도체기술 개발의 교도보가 되었다.

• Journal of Adhesion and Interface
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• v.23 no.2
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• pp.17-24
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• 2022

Colloidal quantum dots (QDs) have gained attention for applications in quantum dot light emitting diodes (QLEDs) due to their high photoluminescence quantum yield, narrow emission spectra, and tunable bandgap. Nevertheless, non-radiative recombination induced by electron and hole imbalance deteriorates the device efficiency and stability. To overcome the problem, researchers have been trying to enhance hole transport properties of hole transporting layers (HTL) and/or slow down the electron injection in electron transport layer (ETL). Here, we summarize two approaches: i) development of interfacial materials between QD and ETL (or HTL); ii) engineering of HTL by blending or multi-layer approaches.