• Journal of the Semiconductor & Display Technology
• /
• v.3 no.4
• /
• pp.51-55
• /
• 2004

In the design stage of high precision manufacturing/inspection FAB facilities, it is necessary to investigate the allowable vibration limits of high precision equipments and to study structural dynamic characteristics of C/R and Sub-structure in order to provide structural vibration criteria to satisfy these allowable limits. The goal of this study is to investigate the dynamic characteristics of PC-Type mock-up structures designed for next generation TFT-LCD FAB through experiments and analysis procedures. Therefore, in order to provide a proper dynamic structural design for high precision manufacturing/inspection work process, these allowable limits must be satisfied.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2000.11a
• /
• pp.80-80
• /
• 2000

차세대 대화면 평판 디스플레이에서 가장 주목을 받고 있는 디스플레이 소자는 PDP라고 할 수 있다. PDP 패널 제조 공정 기술에서 난해한 공정 중 하나인 투명 유전체 제조 공정은 현재까지 인쇄법에 의한 연구가 주로 진행되어 왔다. 그러나 인쇄법은 여러 번의 인쇄와 건조, 소성이 반복되어야 함으로써 유전체 제조에 있어서 복잡한 제조 공정이므로 대폭 단순화할 필요가 있다. 이에 대한 해결책으로서 제시된 것이 tape casting을 이용한 건식 공정이다. 본 연구에서는 tape casting용 slurry에 포함되는 유기물인 binder, plasticizer, solvent의 변화에 따른 dry film의 특성 및 소성 조건에 따른 유전체 특성에 관하여 조사하였다. PbO-SiO$_2$-B$_2$O$_3$계 유리 분말과 유기 vehicle을 ball mill을 이용하여 분산, 혼합하여 tape casting용 slurry를 제조하고, 이 slurry를 doctor blade법으로 tape를 제조하고 건조한 후 유리기판에 transfer한 후 소성하였다. Slurry의 조건과 소성 조건에 따른 투광성, 표면 조도 및 단면의 미세구조 등 투명 유전체의 특성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2003.12a
• /
• pp.59-63
• /
• 2003

체적 음향파 공진기(Film bulk acoustic resonator, FBAR)는 2~10 Ghz 대역의 차세대 이동 통신용 구현에 필수적인 부품이기 때문에 국내외에서 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 FBAR 소자 제조를 위한 연구에서 원자층 증착(Atomic layer deposition, ALD) 방법에 의한 ZnO buffer layer 위에 스퍼터링 방법을 이용한 2-step 방법을 사용하여 제조하였다. ALD를 이용한 ZnO buffer layer는 diethylzinc(DEZn)/$H_2O$를 순차적으로 주입하여 증착하였다. 이 때 두 원료물질 사이에 고순도 Ar 가스를 purge gas로 사용하였다. 원료의 주입시간은 1초, 원료간 purge 시간은 23 초로 하고 증착하였다. 2-step 방법을 이용할 경우, 스퍼터링 방법만을 이용하였을 때 보다 우수한 c-축 배향성 및 박막의 표면형상이 관찰되었다. 2-step 방법을 FBAR 소자 제작에 적용할 경우 보다 우수한 특성의 공진기를 제작할 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2004.05a
• /
• pp.129-131
• /
• 2004

극자외선 리소그래피(EUV lithography) 기술은 50nm 이하의 선폭을 가지는 차세대 소자 제작에 있어서 선도적인 기술 중 하나이다. EUVL 에서 필수적인 요소중의 하나가 mirror 로 사용되는 blank mask 이다. Blank mask 에 있어서 가장 중요한 요소는 반사도이다. 이 blank mask 는 Si substrate 위에 반사를 위한 Mo/Si pair 가 40pair 이상 적층되어있다. Blank mask 는 매우 청결해야한다. 만약 결함이 있다면 blank mask 에는 치명적이다 결함은 blank mask 에 있어서 반사도를 떨어뜨리는 주 요소이기 때문이다. 그 결함에는 amplitude defect 과 phase defect 이 있다. FIB 에서는 amplitude defect 을 수정하는 것이 가능하다. 우리는 FIB 를 이용하여 mage mode, spot mode, bar rotation mode 를 사용하여 amplitude defect을 수정하였다. 그리고, 그 결과 효과적으로 amplitude defect을 수정하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2004.05a
• /
• pp.123-128
• /
• 2004

Semiconductor Wet Station has a very important place in semiconductor process. It is important that to discharge chemical with fit concentration and temperature using chemical supply system for clean process. The chemical supply system which is used currently is not only difficult to make a fit mixing rate of chemical which is need in clean process, but also difficult to make fit concentration and temperature. Moreover, it has high stability but it is inefficient spatially because its volume is great. We propose In-line System to improve system with implement analysis of fluid and thermal transfer on chemical supply system and understand problem of system.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2015.05a
• /
• pp.95-95
• /
• 2015

IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 물질은 기존에 사용되던 Amorphous Silicon에 비해 전자 이동도가 더욱 빠르기 때문에 차세대 디스플레이 재료로서 각광받고 있으며, 이러한 빠른 전자 이동도는 디스플레이 소자에 있어서 매우 중요한 요소 중 하나이다. 이를 향상시키기 위하여 본 연구에서는 ICP(inductively coupled plasma) antenna를 이용하여 rf power와 requency를 변화함으로써 박막 증착 시 발생되는 플라즈마의 특성을 조절하여, 박막의 특성을 조절하고자 했다. 이렇게 증착된 IGZO 박막은 Hall Effect Measurement를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 박막의 조성을 분석하였다.

• Annual Conference of KIPS
• /
• 2019.10a
• /
• pp.1053-1055
• /
• 2019

최근 사용자에게 단순히 체험을 제공하는 것을 넘어서 같은 내용의 체험을 제공하더라도 더욱 실감있는 체험을 제공하기 위한 연구가 이루어지고 있다. 사용자에게 시각적으로 현존감 있는 체험을 제공하기 위한 유사 홀로그램(hologram-like)시스템은 고전적인 디스플레이 방식에 빛의 간섭현상을 더해 투영되는 물체가 실제 현장에 존재하는 것과 같은 효과를 준다. 이러한 유사홀로그램 시스템은 공연, 전시, 교육 등 다양한 서비스 분야에 널리 확대가 가능한 차세대 디스플레이 시스템이다. 유사홀로그램 시스템을 구성하는 방법은 피라미드, 반투명 대형 단일 스크린 등 다양한 형태의 H/W 구성 특성에 따라 다양한 형태로 제작이 가능하지만 시스템 내부에 콘텐츠를 표현할 때 마다 H/W 구성 특성에 맞춰 콘텐츠를 매번 재구성해야 하는 번거로움이 존재한다. 본 논문에서는 다양한 형태의 H/W 구성을 가질 수 있는 유사홀로그램 시스템에 표현되는 콘텐츠 구성을 자동적으로 보정하여 다양한 종류의 유사홀로그램 시스템 H/W 를 사용하여도 콘텐츠를 변형없이 적용할 수 있는 저작도구 설계를 제안한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2007.04a
• /
• pp.26-26
• /
• 2007

ALD는 저온 증착과 대면적에의 증착 균일도에 있어 디스플레이 소자의 제조에 유용한 특성을 지니고 있다. ZnO TFT는 차세대 디스플레이의 구동 소자의 한 후보로, 본 연구에서는 기존의 다른 연구와는 달리 ALD를 이용한 ZnO TFT의 제조에 관해 연구하였다. ZnO를 sputtering과 ALD 두가지 방법으로 증착하여 각각의 물성 및 전기적 특성 연구를 진행하였다. ALD ZnO의 경우 TEZ와 물을 이용한 증착방법으로는 높은 캐리어 농도로 인해 TFT에의 적용이 어려웠으므로 질소 도핑을 통해 캐리어 농도를 조절하여 소자 특성을 확보할 수 있었다. 이 경우 $I_{off}$, $I_{on}/I_{off}$, mobility, sub-threadshold swing 등과 같은 특성이 매우 향상됨을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.253-253
• /
• 2010

유리 기판 상에 시스템 온 패널과 같은 차세대 디스플레이 구현과 평판형 디스플레이의 문제점 해결을 위하여 비휘발성 메모리 소자 등의 전자 소자 집적화와 빠른 구동 속도를 가진 박막트랜지스터가 요구된다. 본 논문에서는 비휘발성 메모리 소자에서 MONOnS 각 layer층의 두께 따른 특성에 대한 연구를 진행하였다. 실험은 ONO 구조를 12.5nm/35nm/2.7nm, 12.5nm/20nm/2.3nm, 8.5nm/10nm/2.3nm, 6.5nm/10nm/1.9nm 의 두께로 증착하였다. ${\Delta}VFB$, Retention time, capacitance을 측정하여 oxide/Nitride/Oxynitride 층의 두께 변화를 통해 최적화된 tunneling layer와 charge storage layer, 그리고 blocking layer의 두께를 알 수 있다.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.28 no.5
• /
• pp.111-121
• /
• 2013

인쇄전자(printed electronics) 기술은 인쇄가 가능한 기능성 전자 잉크 소재를 이용하여 초저가격의 프린팅 공정을 통해서 다양한 전자소자를 제작하는 기술로써, 차세대 ICT 기기의 제작에 적합한 전자제품을 생산하는데 적합한 공정기술로 잘 알려져 있다. 현재 인쇄전자의 기술수준은 일부 요소 부품들을 제작하고 간단한 전자회로를 구현하는 수준에 머무르고 있으나, 도체, 반도체, 절연체의 여러 잉크 소재 및 다양한 초미세 인쇄공정 기술의 개발이 진행됨에 따라 향후 폭넓은 분야에 적용될 것으로 기대된다. 이러한 인쇄전자의 관련 기술 중에서 최근 삼차원(3D) 프린팅 기술이 부상하고 있는데, 지난해 Economist에서는 3D 프린팅을 제3차 산업혁명을 가져올 기술 중 하나로 소개했으며, 세계경제포럼(WEF: World Economic Forum)에서는 2013년 10대 유망 기술 중 하나로 선정했다. 올해 초, 미국의 오바마 대통령은 국정연설에서 거의 모든 제품의 생산 방식을 바꿀 수 있는 잠재력을 가진 기술로 3D 프린팅을 언급했고, Optomec에서는 전자소자용 3D 프린팅 기술을 선보였다. 본 논문에서는 최근에 많이 연구되는 모바일용 무선통신소자나 차세대 디스플레이 백플레인용의 인쇄전자 기술과 상품의 모형인 목업(Mock-up)을 제작할때뿐 만 아니라 전자소자 제작에도 적용이 가능한 3D 프린팅 기술에 대하여 논하고자 한다.