• Title/Summary/Keyword: 차세대 공정

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프린팅월드 - 차세대 통합 워크플로 수익향상.고객 이윤 창출

  • Kim, Sang-Ho
    • 프린팅코리아
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    • v.11 no.4
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    • pp.132-135
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    • 2012
  • 이미 일본의 인쇄업계에서도 디지털인쇄를 포함하는 통합 워크플로가 활발하게 도입되고 있다. 이런 통합 워크플로는 인터넷을 통한 데이터의 입고, 교정, 승인 기능과 후가공 공정까지 포함하는 방향으로 발전하고 있다. 특히 자동화 기능이 강화되는 추세를 보이고 있는 새로운 통합 워크플로는 생산성 향상에도 큰 영향을 주고 있다.

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플렉서블 투명 전극 기술 동향

  • Lee, Jae-Hyeon
    • Broadcasting and Media Magazine
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    • v.20 no.2
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    • pp.27-32
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    • 2015
  • 플랙서블 디스플레이는 차세대 정보표시 소자의 가장 핵심적인 산업분야로 많은 연구와 기술개발결과들을 바탕으로 현재 핸드폰 등의 소형 디스플레이에 적용되고 있다. 이러한 성공적인 시장 진입은 새로운 디스플레이 제조 공정과 신개발 재료들을 기반으로 달성할 수 있었다. 저자는 이러한 플렉서블 디스플레이의 원리 및 개발 역사 그리고 플렉서블 디스플레이의 핵심 기술인 플렉서블 투명전극 형성 기술에 대하여 설명하고자 한다.

마이크로 / 나노 구조물의 비전통적인 물성

  • Kim, Dong-Cheol
    • Journal of the KSME
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    • v.50 no.1
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    • pp.42-45
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    • 2010
  • 나노구조물이 스스로 원하는 형태를 형성하는 자기조립현상은 최근 차세대 미세공정 기술로서 많은 관심을 끌고 있다. 현재 자기조립현상을 야기하는 다양한 메커니즘들을 체계화하기 위한 여러 해석 연구들이 진행되고 있으며, 이는 효율적인 제어 기술 개발을 유도하여 자기조립현상의 성공적인 활용성을 보장할 것이다.

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MMIC 기술 동향

  • Kim, Dong-Gu;Park, Hyeong-Mu
    • ETRI Journal
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    • v.9 no.3
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    • pp.127-138
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    • 1987
  • 본고에서는 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)의 연구동향을 미국을 중심으로 소개한다. MMIC의 역사, 공정, 소자, 설계, packaging, 측정에 대하여 조사함으로써 차세대 화합물반도체 MMIC개발의 앞으로의 방향을 모색하고자 한다. 본고는 미국 Microwave & RF 논문지 1987년 3월호에 게재된 R. S. Pegally와 D. Maki의 논문내용을 중심으로 편역한 것이다.

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Integrated Forming of Automotive Parts using Laser Welded Tube (레이저 용접 튜브를 이용한 자동차 부품 일체화 성형 기술 개발)

  • 김성준
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.22 no.3
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    • pp.14-17
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    • 2004
  • 일체화 성형 기술은 복잡한 형상 또는 여러 개의 부품으로 구성된 제품을 1회의 가공이나 축약된 수의 부품을 이용하여 최종 형상으로 생산할 수 있는 기술로서 생산 공정의 단축, 재료비의 절감, 자원 및 에너지의 절감 등과 함께 경량화를 꾀할 수 있는 차세대 성형기술이다.(중략)

Atomic Layer Deposition of TaC gate electrode with TBTDET

  • Jo, Gi-Hui;Lee, Si-U
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.22.1-22.1
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    • 2009
  • 차세대 CMOS 공정에서 유전상수가 높은 게이트 절연막과 함께 게이트 전극이 관심을 끌고 있다. 게이트 전극은 전도도가 높아야 하고 p-MOS, n-MOS에 맞는 일함수를 가져야 하며 열적 특성이 안정해야 한다. 탄탈룸 계열 탄화물이나 질화물은 게이트 전극으로 관심을 끌고 있는 물질이며 이를 원자층 화학증착법으로 박막화 하는 공정이 관심을 끌고 있다. 원자층 화학공정에서는 전구체의 역할이 중요하며 이의 기상반응 메카니즘, 표면 반응 메카니즘을 제대로 이해해야 한다. 본 연구에서는 TBTDET (tert-butylimido tris-diethylamido tantalum) 전구체의 반응 메커니즘을 FTIR(Fourier Transform Infrared)을 이용해 진단하였다. 또한 수소, 암모니아, 메탄을 이용한 열화학 원자층 증착, 플라즈마 원자층 증착 공정을 수행하여 박막을 얻고 이들의 특성을 평가하였다. 각 공정에 따라 반응 메커니즘이 달라지고 박막의 조성이 달라지며 또한 박막의 물성도 달라진다. 특히 박막에 형성되는 TaC, TaN, Ta3N5, Ta2O5 (증착 후 산소의 유입에 의해 형성됨) 등의 조성이 공정에 따라 달라지며 박막의 물성도 달라진다. 반응메카니즘의 연구를 통해 각 공정에서 어떠한 조성의 박막이 얻어지는 지를 규명하였고 박막의 밀도에 따라 산소유입량이 어떻게 달라지는 지를 규명하였다.

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The Fabrication of Reflective Multilayer Mirror for EUVL that Included The Structure of Ru/Mo/Si Multilayer by Magnetron Sputtering (Ru/Mo/Si 다층박막 구조를 가지는 극자외선 노광공정용 반사형 다층박막 미러의 제조)

  • 김형준;김태근;이승윤;강인용;정용재;안진호
    • Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.241-246
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    • 2002
  • 극자외선 노광공정(EUVL: Extreme Ultraviolet Lithography)은 반도체 공정에서 0.1$\mu\textrm{m}$ 이하의 해상도를 실현하기 위해 연구되고 있는 유력한 차세대 노장공정(NGL: Next Generation Lithography)이다. [1] 본 연구에서는 극자외선 노광공정에서 사용되는 반사형 다층박막 미러를 제조하기 위해서 직접 제작한 전산모사 도구를 이용하여 130~135$\AA$의 파장 영역에서 고반사도를 가지는 효율적인 다층박막의 구조인자를 예측하였으며, 그러한 구조인자를 실현하기 위해서 상온(~300K)에서 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 다층박막을 증착하였다. 증착조건 중에서, 공정압력에 따른 다층박막 계면 성장의 질적 의존성이 나타났으며, 결과적으로는 낮은 공정압력에서 더좋은 계면특성을 가지는 다층박막이 형성되었다. 다층박막의 구성물질로 Ru, Mo, Si을 사용하였으며, 다층박막의 구조분석은 high/low angle XRD, 단면 TEM images 등을 이용하여 분석되었다.

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1 Selector + 1 Resistance Behavior Observed in Pt/SiN/Ti/Si Structure Resistive Switching Memory Cells

  • Park, Ju-Hyeon;Kim, Hui-Dong;Kim, Tae-Geun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.307-307
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    • 2014
  • 정보화 시대로 접어들면서 동일한 공간에 더 많은 정보를 저장할 수 있고, 보다 빠른 동작이 가능한 비휘발성 메모리 소자에 대한 요구가 증가하고 있다. 하지만, 최근 비휘발성 메모리 소자 관련 연구보고에 따르면, 메모리 소자의 소형화 및 직접화 측면에서, 전하 저장을 기반으로 하는 기존의 Floating-Gate(FG) Flash 메모리는 20 nm 이하 공정에서 한계가 예측 되고 있다. 따라서, 이러한 FG Flash 메모리의 한계를 해결하기 위해, 기존에 FET 기반의 FG Flash 구조와 같은 3 terminal이 아닌, Diode와 같은 2 terminal로 동작이 가능한 ReRAM, PRAM, STT-MRAM, PoRAM 등 저항변화를 기반으로 하는 다양한 종류의 차세대 메모리 소자가 연구되고 있다. 그 중, 저항 변화 메모리(ReRAM)는 CMOS 공정 호환성, 3D 직접도, 낮은 소비전력과 빠른 동작 속도 등의 우수한 동작 특성을 가져 차세대 비휘발성 메모리로 주목을 받고 있다. 또한, 상하부 전극의 2 terminal 만으로 소자 구동이 가능하기 때문에 Passive Crossbar-Array(CBA)로 적용하여 플래시 메모리를 대체할 수 있는 유력한 차세대 메모리 소자이다. 하지만, 이를 현실화하기 위해서는 Passive CBA 구조에서 발생할 수 있는 Read Disturb 현상, 즉 Word-Line과 Bit-Line을 통해 선택된 소자를 제외하고 주변의 다른 소자를 통해 흐르는 Sneak Leakage Current(SLC)를 차단하여 소자의 메모리 State를 정확히 sensing하기 위한 연구가 선행 되어야 한다. 따라서, 현재 이러한 이슈를 해결하기 위해서, 많은 연구 그룹에서 Diodes, Threshold Switches와 같은 ReRAM에 Selector 소자를 추가하는 방법, 또는 Self-Rectifying 특성 및 CRS 특성을 보이는 ReRAM 구조를 제안 하여 SLC를 차단하고자 하는 연구가 시도 되고 있지만, 아직까지 기초연구 단계로서 아이디어에 대한 가능성 정도만 보고되고 있는 현실 이다. 이에 본 논문은 Passive CBA구조에서 발생하는 SLC를 해결하기 위한 새로운 아이디어로써, 본 연구 그룹에서 선행 연구로 확보된 안정적인 저항변화 물질인 SiN를 정류 특성을 가지는 n-Si/Ti 기반의 Schottky Diode와 결합함으로써 기존의 CBA 메모리의 Read 동작에서 발생하는 SLC를 차단 할 수 있는 1SD-1R 구조의 메모리 구조를 제작 하였으며, 본 연구 결과 기존에 문제가 되었던 SLC를 차단 할 수 있었다.

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The Development of Next Generation Smart PMIS System (차세대 스마트형 PMIS 시스템 개발)

  • Park, Kyung-Mo;Im, Chul-Woo;Kim, Chang-Duk;Jeong, Hyung-Seok
    • Korean Journal of Construction Engineering and Management
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    • v.14 no.2
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    • pp.117-130
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    • 2013
  • It is a difficult thing to administer a various task in the construction site because, the person placing an order are eagerly demanding for the reduction of project duration as the trend of construction are becoming larger and international. The advanced country have made an effort to development PMIS based on the Web, which to exchanges a various construction information such as Time Management/Construction Management/Resource Management/Document Management to solve these problems since 2000. However, the expectation to develop a smart PMIS that can deal with a more quick change of a various process are becoming lager as the lively supply of IT equipment such as smart phone and table PC. The research are aim to develop the next generation smart PMIS, which is link with the table PC and smart phone for a site manager to use the system based on the web in the movement. Also, it has an object in view to introduce the development process and the major function of the next generation PMIS.